上海貝嶺推出的BL7920系列增強(qiáng)型隔離式雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器包括BL7920/BL7920B兩個(gè)型號(hào)。此系列柵極驅(qū)動(dòng)器的輸出驅(qū)動(dòng)電源高達(dá)36V，具有8V/11V兩個(gè)UVLO選項(xiàng)，有高達(dá)6A/7A峰值拉電流/灌電流能力，可驅(qū)動(dòng)功率MOSFET、IGBT和GaN晶體管。此系列柵極驅(qū)動(dòng)器可通過外部電阻器編程芯片死區(qū)時(shí)間，可通過禁用功能同時(shí)關(guān)閉兩路輸出。

BL7920系列為工業(yè)級(jí)應(yīng)用產(chǎn)品，工作溫度范圍-40℃至+125℃，可廣泛使用于如x86服務(wù)器、直流充電樁、UPS市場(chǎng)等行業(yè)。

BL7920系列柵極驅(qū)動(dòng)的主要優(yōu)勢(shì)特性

1.高峰值拉電流/灌電流能力

BL7920系列的峰值拉電流/灌電流能力高達(dá)6A/7A,優(yōu)于競(jìng)品。這一特性可以顯著減少M(fèi)OSFET/IGBT的柵極充電或放電所需的時(shí)間,提高器件的開關(guān)速度。

2.高CMTI值

BL7920系列的CMTI值高達(dá)150V/ns，具有較高的瞬態(tài)噪聲承受能力，更有效的防止毛刺和閂鎖的產(chǎn)生，避免芯片損壞和危險(xiǎn)情況的產(chǎn)生。

3.高電源電壓

上海貝嶺的BL7920系列產(chǎn)品具有高達(dá)36V輸出驅(qū)動(dòng)電源電壓，可以更好的驅(qū)動(dòng)SiC MOSFEF，適應(yīng)更多應(yīng)用場(chǎng)景。

4.高峰值拉電流/灌電流能力

兩個(gè)輸出通道完全獨(dú)立，可以配置為驅(qū)動(dòng)一個(gè)半橋（高邊+低邊），或驅(qū)動(dòng)兩個(gè)獨(dú)立的器件（如雙升壓管）。

5.集成豐富的特性功能

DIS引腳：全局關(guān)斷控制，方便實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)級(jí)保護(hù)。欠壓鎖定：對(duì)兩路輸出側(cè)的電源（VDDx）進(jìn)行UVLO監(jiān)控，確保在電源不足時(shí)強(qiáng)制輸出為低。DT引腳：通過外接不同阻值的電阻，實(shí)現(xiàn)可編程死區(qū)時(shí)間。

6.DT引腳懸空保護(hù)功能

BL7920系列芯片DT引腳懸空后，輸出被強(qiáng)制拉低，防范了DT引腳未配置時(shí)，輸出誤發(fā)出信號(hào)的情況。

產(chǎn)品特性

VDDI工作電壓范圍：-0.3V ～ +6V

VDDA/VDDB工作電壓范圍：-0.3V ～ +36V

VDDI UVLO：2.5V/2.7V

VDDA/VDDB UVLO：8.0V/8.5V;11.0V/12.0V

峰值拉電流/灌電流：6A/7A

CMTI：150V/ns

典型上升沿傳播延遲：63ns

典型下降沿傳播延遲：88ns

最大脈寬失真：25ns

輸入最小脈寬：43ns

VDDI上電延遲：21us

VDDA/VDDB上電延遲：166us

工作溫度范圍: -40℃ ～ +125℃

UL1577 認(rèn)證（認(rèn)證中）

VDE 認(rèn)證（認(rèn)證中）

應(yīng)用領(lǐng)域

服務(wù)器

直流充電樁

UPS

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

功能框圖

BL7920系列在每路輸出的VDD與VSS引腳間電源電壓上均配備內(nèi)部欠壓鎖定（UVLO）保護(hù)功能。在器件啟動(dòng)時(shí)若VDD電壓低于VVDD_ON，或啟動(dòng)后低于VVDD_OFF，VDD欠壓鎖定功能將使通道輸出保持低電平，無視輸入引腳狀態(tài)。

BL7920的輸入引腳（INA/INB和DIS）采用兼容TTL與CMOS的輸入閾值邏輯設(shè)計(jì)，該邏輯與輸出通道的VDD供電電壓完全隔離。若任何輸入引腳懸空，內(nèi)部下拉電阻會(huì)將其強(qiáng)制拉低（INA/INB引腳的下拉電阻為200KΩ，DIS引腳的下拉電阻為50KΩ）。

BL7920系列輸出級(jí)上拉結(jié)構(gòu)采用P溝道MOSFET與額外并聯(lián)的N溝道MOSFET組合設(shè)計(jì)。N溝道MOSFET的作用是增強(qiáng)峰值源極電流輸出能力，實(shí)現(xiàn)快速開啟功能。可在需要大電流的時(shí)刻（功率開關(guān)管開啟過程中的米勒平臺(tái)階段）提供極高的峰值源極電流。BL7920輸出級(jí)下拉結(jié)構(gòu)由N溝道MOSFET構(gòu)成。

典型應(yīng)用——半橋驅(qū)動(dòng)電路

上圖所示電路展示了采用BL7920驅(qū)動(dòng)典型半橋架構(gòu)的參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)可應(yīng)用于多種主流功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如同步降壓、同步升壓、半橋/全橋隔離拓?fù)湟约叭?a target="_blank">電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

INA/INB可采用輸入RIN-CIN濾波器來濾除非理想布局或長(zhǎng)PCB走線引入的振鈴現(xiàn)象。

VCCI、VDDA和VDDB的旁路電容器對(duì)于實(shí)現(xiàn)可靠性能至關(guān)重要。建議選擇低ESR和低ESL表面貼裝多層陶瓷電容器（MLCC）。

若通過長(zhǎng)距離連接微控制器時(shí)，需在DIS引腳附近使用約1nF的低ESR/ESL電容進(jìn)行旁路處理。若未使用DIS引腳，建議將其接地（GND）以獲得更好的抗噪性能。

外接RDT電阻用于設(shè)定死區(qū)時(shí)間。在DT引腳附近并聯(lián)一個(gè)≤1nF的電容以增強(qiáng)抗噪能力。將RDT和≤1nF的陶瓷電容盡可能靠近DT引腳布局，以實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的抗噪能力及雙通道間更優(yōu)的死區(qū)時(shí)間匹配。

選擇外部自舉二極管時(shí)，推薦采用具有低正向壓降和低結(jié)電容的高壓快速恢復(fù)二極管或碳化硅肖特基二極管，以最大限度減少反向恢復(fù)引入的損耗及相關(guān)接地噪聲反彈。

自舉電阻RBOOT用于降低DBOOT的浪涌電流，并在每個(gè)開關(guān)周期內(nèi)限制VDDA-VSSA電壓的上升斜率，特別是在VSSA（SW）引腳出現(xiàn)過大負(fù)向瞬態(tài)電壓時(shí)。

外部的柵極電容RON/ROFF用于:

a) 限制由寄生電感/電容引起的振鈴現(xiàn)象。

b) 限制由dv/dt、di/dt以及體二極管反向恢復(fù)引起的振鈴現(xiàn)象。

c) 微調(diào)柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，即峰值灌電流和拉電流，以優(yōu)化開關(guān)損耗。

d) 降低電磁干擾（EMI）。

建議在柵極與源極之間連接一個(gè)電阻RGS，以便在柵極驅(qū)動(dòng)器未上電且處于不確定狀態(tài)時(shí)，將柵極電壓下拉至源極電壓。

支持SOW-14L封裝

SOW-14L

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