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深入解析 onsemi FPF1320/21 雙輸入單輸出高級電源開關

lhl545545 ? 2026-06-04 17:45 ? 次閱讀
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深入解析 onsemi FPF1320/21 雙輸入單輸出高級電源開關

在電子設備的電源管理領域,高效、可靠的電源開關至關重要。onsemi 的 FPF1320/21 雙輸入單輸出(DISO)負載開關,憑借其獨特的特性和出色的性能,成為眾多低電壓便攜式設備電源管理的理想選擇。今天,我們就來深入了解一下這款電源開關。

文件下載:FPF1321-D.PDF

產(chǎn)品概述

FPF1320/21 是一款集成了兩組壓擺率控制、低導通電阻 P 溝道 MOSFET 開關以及模擬特性的 DISO 負載開關。其輸入電壓范圍為 1.5V 至 5.5V,能很好地滿足低電壓便攜式設備電源軌的要求。該開關具備無縫電源切換功能,可通過 SEL 引腳實現(xiàn)兩個輸入電源軌之間的切換,采用先進的先斷后通操作,確保電源切換的穩(wěn)定性。

關鍵特性

1. 壓擺率控制與浪涌電流抑制

壓擺率控制的導通特性可有效防止浪涌電流,避免電源軌上出現(xiàn)過大的電壓降。在 (C_{OUT}<1mu F) 時,固定壓擺率控制為 130μs,能顯著降低浪涌電流對電源系統(tǒng)的影響。大家在實際設計中,是否也遇到過浪涌電流導致的電源不穩(wěn)定問題呢?可以思考一下如何更好地利用這一特性來優(yōu)化電源設計。

2. 真反向電流阻斷(TRCB)功能

TRCB 功能可在開關的 ON/OFF 狀態(tài)下,阻止從輸出到輸入的反向電流,保護輸入電源不受反向電流的影響。這一特性在電源管理中非常關鍵,能有效提高系統(tǒng)的可靠性。

3. 輸出快速放電功能(FPF1321)

FPF1321 具有 65Ω 的片上負載電阻,當 EN 引腳為低電平時,可實現(xiàn)輸出的快速放電。這在一些需要快速關斷電源的應用場景中非常有用,比如便攜式設備的節(jié)能模式。

4. 低導通電阻

在 (V{IN}=3.3V) 時,每通道典型導通電阻 (R{ON}) 為 50mΩ,能有效降低功率損耗,提高電源效率。

5. 靜電放電(ESD)保護

具備出色的 ESD 保護能力,人體模型(HBM)>6kV,帶電設備模型(CDM)>1.5kV,IEC 61000 - 4 - 2 空氣放電>15kV,接觸放電>8kV,能有效保護芯片免受靜電損壞。

引腳配置與功能

引腳配置

Pin # Name Description
A1 EN 使能輸入,高電平有效,EN 引腳有內部下拉電阻
B1 SEL 輸入電源選擇輸入,SEL 引腳有內部下拉電阻
A2 V IN A 電源開關 A 的輸入
B2 V OUT 開關輸出
C1 GND 接地
C2 V IN B 電源開關 B 的輸入

真值表

SEL EN Switch A Switch B V OUT Status
Low High ON OFF V IN A V IN A Selected
High High OFF ON V IN B V IN B Selected
X Low OFF OFF Floating for FPF1320 GND for FPF1321 Both Switches are OFF

通過對 SEL 和 EN 引腳的邏輯控制,可以方便地實現(xiàn)電源開關的狀態(tài)控制和輸入電源的選擇。

電氣特性

基本操作特性

  • 輸入電壓范圍:(V{IN} A) 和 (V{IN} B) 輸入電壓范圍為 1.5V 至 5.5V。
  • 關斷電流:在 SEL 為高或低、EN 為地、(V{OUT}=GND)、(V{IN} A = V_{IN} B = 5.5V) 時,關斷電流最大為 5μA。
  • 靜態(tài)電流:在輸出電流為 0mA、SEL 為高或低、EN 為高、(V{IN} A = V{IN} B = 5.5V) 時,靜態(tài)電流典型值為 12μA,最大值為 22μA。
  • 導通電阻:在不同輸入電壓和溫度條件下,導通電阻有所不同。例如,在 (V{IN} A = V{IN} B = 3.3V)、(I{OUT}=200mA)、(T{A}=25^{circ}C) 時,典型導通電阻為 50mΩ。

反向電流阻斷特性

  • RCB 保護觸發(fā)點:(V{OUT}-V{IN} A) 或 (V_{IN} B) 為 45mV 時觸發(fā) RCB 保護。
  • RCB 保護釋放觸發(fā)點:(V{IN} A) 或 (V{IN} B - V_{OUT}) 為 25mV 時釋放 RCB 保護。
  • RCB 期間電流:在 (V{OUT}=5.5V)、(V{IN} A) 或 (V_{IN} B) 短路到地時,電流為 9 - 15μA。

動態(tài)特性

涉及開關的導通延遲、上升時間、關斷延遲、下降時間等參數(shù),這些參數(shù)對于評估開關的動態(tài)性能至關重要。例如,在 (V{IN} A) 或 (V{IN} B = 3.3V)、(R{L}=150Ω)、(C{L}=1mu F)、(T{A}=25^{circ}C)、SEL 為高、EN 從低到高時,導通延遲 (t{DON}) 為 120μs。

應用與設計要點

應用場景

  • 智能手機和平板電腦:為設備提供高效的電源管理,確保穩(wěn)定的電源供應。
  • 便攜式設備:滿足低電壓、低功耗的需求,延長設備的電池續(xù)航時間。
  • 支持近場通信NFC)的 SIM 卡電源供應:保證 NFC 功能的穩(wěn)定運行。

設計要點

  • 輸入電容:為了限制開關導通時瞬態(tài)浪涌電流導致的輸入電源電壓降,應在 (V{IN} A) 或 (V{IN} B) 引腳與 GND 引腳之間放置至少 1μF 的陶瓷電容 (C_{IN}),且盡量靠近引腳放置。思考一下,電容值的大小對電壓降的影響有多大呢?
  • 浪涌電流:浪涌電流與輸出電容和壓擺率控制能力有關,可通過公式 (INRUSH = C{OUT} × frac{V{IN}-V{INITIAL}}{t{R}} + I_{LOAD}) 進行計算。FPF1320/1 在特定條件下的壓擺率控制能力可有效降低浪涌電流和輸入電壓降。
  • 電源選擇:通過 SEL 引腳控制輸入電源的選擇,在設備關斷時,SEL 信號將被忽略。
  • 輸出電壓降:在輸入電源從低電壓到高電壓過渡期間,輸出電壓可能會出現(xiàn)下降。FPF1320/1 采用先進的先斷后通控制,可將輸出電壓降降至最低。同時,建議在 (V{OUT}) 和 GND 引腳之間放置至少 1μF 的電容 (C{OUT}),以進一步減小輸出電壓降,并防止寄生電路板電感的影響。
  • 電路板布局:為了獲得最佳性能,所有走線應盡可能短。輸入和輸出電容應靠近芯片放置,以減小寄生走線電感對正常和短路操作的影響。電源引腳((V{IN} A)、(V{IN} B)、(V_{OUT}) 和 GND)應使用寬走線或大銅平面,以減小寄生電氣影響和熱阻。

訂購信息

Part Number Top Mark Channel Switch Per Channel (Typ.) at 3.3 VIN Reverse Current Blocking Output Discharge Rise Time (tR) Package
FPF1320UCX QS DISO 50 mΩ Yes NA 130 μs 1.0 mm x 1.5 mm Wafer - Level Chip - Scale
FPF1321UCX QT DISO 50 mΩ Yes 65 Ω 130 μs Package (WLCSP) 6 - Bumps, 0.5 mm Pitch
FPF1321BUCX(已停產(chǎn)) QT DISO 50 mΩ Yes 65 Ω 130 μs 1.0 mm x 1.5 mm Wafer - Level Chip - Scale Package (WLCSP) 6 - Bumps, 0.5 mm Pitch with Backside Laminate

總之,onsemi 的 FPF1320/21 電源開關在低電壓便攜式設備的電源管理中具有顯著的優(yōu)勢。通過合理的設計和使用,可以為設備提供高效、可靠的電源解決方案。大家在實際應用中,如有任何疑問或經(jīng)驗分享,歡迎留言討論。

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