8GB (x72, ECC, SR) 240 - Pin DDR3 RDIMM的全面解析
作為電子工程師,在設(shè)計中選擇合適的內(nèi)存模塊至關(guān)重要。今天我們來深入探討一下8GB (x72, ECC, SR) 240 - Pin DDR3 RDIMM這款產(chǎn)品,了解它的特性、參數(shù)以及設(shè)計要點。
產(chǎn)品特性
基本特性
這款DDR3 SDRAM RDIMM型號為MT18JSF1G72PZ,容量達到8GB(1 Gig x 72)。它支持DDR3的功能和操作,采用240 - pin的注冊雙列直插式內(nèi)存模塊(RDIMM)設(shè)計。數(shù)據(jù)傳輸速率較快,支持PC3 - 14900和PC3 - 12800。同時,它具備ECC(錯誤檢查與糾正)功能,能夠有效檢測和糾正錯誤,提高數(shù)據(jù)的可靠性。此外,它還擁有標(biāo)稱和動態(tài)片內(nèi)終結(jié)(ODT)功能,適用于數(shù)據(jù)和選通信號。
其他特性
該模塊采用單通道設(shè)計,板載I2C溫度傳感器,并集成了串行存在檢測(SPD)EEPROM。它有8個內(nèi)部設(shè)備存儲體,通過模式寄存器組(MRS)可實現(xiàn)固定的突發(fā)截斷(BC)為4和突發(fā)長度(BL)為8,還能在運行中選擇BC4或BL8。模塊采用金質(zhì)邊緣觸點,無鹵設(shè)計,采用Fly - by拓撲結(jié)構(gòu),并對控制、命令和地址總線進行了終結(jié)處理。
關(guān)鍵參數(shù)
電壓參數(shù)
- (V_{DD}=1.5 V pm 0.075 V),這是模塊的主要供電電壓。
- (V_{DDSPD}=3.0 - 3.6 V),用于溫度傳感器/SPD EEPROM的供電。
時序參數(shù)
| 不同速度等級對應(yīng)不同的數(shù)據(jù)速率和關(guān)鍵時序參數(shù),如下表所示: | Speed Grade | Industry Nomenclature | Data Rate (MT/s) | tRCD (ns) | tRP (ns) | tRC (ns) |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CL = 13 | PC3 - 14900 | 1866 | 13.125 | 13.125 | 47.125 | |
| CL = 11 | PC3 - 12800 | 1600 | 13.125 | 13.125 | 48.125 | |
| ... | ... | ... | ... | ... | ... |
尋址參數(shù)
| Parameter | 8GB |
|---|---|
| Refresh count | 8K |
| Row address | 64K A[15:0] |
| Device bank address | 8 BA[2:0] |
| Device configuration | 4Gb (1 Gig x 4) |
| Column address | 2K A[11, 9:0] |
| Module rank address | 1 S0# |
功耗參數(shù)
| 不同的工作狀態(tài)下,模塊的功耗不同。以MT41J1G4 DDR3 SDRAM為例(Die Revision E),各狀態(tài)下的電流如下: | Parameter | Symbol | 1866 | 1600 | Units |
|---|---|---|---|---|---|
| Operating current 0 | IDD0 | 1116 | 990 | mA | |
| Operating current 1 | IDD1 | 1170 | 1098 | mA | |
| ... | ... | ... | ... | ... |
引腳分配與描述
引腳分配
文檔詳細給出了240 - Pin DDR3 RDIMM前后兩面的引腳分配情況,包括電源引腳(如(V{DD})、(V{SS}))、數(shù)據(jù)引腳(DQx)、時鐘引腳(CKx、CKx#)等。例如,正面引腳1為(V{REFDQ}),引腳3為DQ0;背面引腳121為(V{SS}),引腳122為DQ4等。
引腳描述
對各個引腳的功能進行了詳細說明。例如,Ax為地址輸入引腳,用于提供行地址和列地址等;BAx為存儲體地址輸入引腳,用于定義操作的存儲體;CKx和CKx#為差分時鐘輸入引腳,用于采樣控制、命令和地址信號等。
功能框圖
文檔提供了不同PCB版本(PCB 1177/1355和PCB 1583)的功能框圖。需要注意的是,每個DDR3組件的ZQ球都連接到一個外部240Ω ±1%的電阻,該電阻接地,用于校準(zhǔn)組件的ODT和輸出驅(qū)動器。
設(shè)計要點
拓撲結(jié)構(gòu)
DDR3模塊采用Fly - by拓撲結(jié)構(gòu),這種結(jié)構(gòu)能提高信號質(zhì)量。與傳統(tǒng)的樹形結(jié)構(gòu)不同,它將每個DRAM的時鐘、控制、命令和地址引腳連接到單個走線并進行終結(jié),通過DDR3的寫均衡功能可以輕松解決時鐘和DQS信號之間的時序偏差問題。
時鐘驅(qū)動
注冊DDR3 SDRAM模塊使用注冊時鐘驅(qū)動設(shè)備,由寄存器和鎖相環(huán)(PLL)組成。寄存器部分在時鐘上升沿鎖存命令和地址輸入信號,PLL部分接收并重新驅(qū)動差分時鐘信號到DDR3 SDRAM設(shè)備,通過隔離DRAM和系統(tǒng)控制器,減少時鐘、控制、命令和地址信號的負載。
奇偶校驗
注冊時鐘驅(qū)動包含偶數(shù)奇偶校驗功能,用于檢查奇偶性。內(nèi)存控制器在Par_In輸入處接收奇偶校驗位,并與地址和命令輸入的數(shù)據(jù)進行比較。在所有DRAM操作和對注冊時鐘驅(qū)動的控制字寫操作期間都會檢查地址和命令的奇偶性。
溫度傳感器與SPD EEPROM
模塊集成了溫度傳感器和SPD EEPROM。溫度傳感器通過I2C總線將溫度轉(zhuǎn)換為數(shù)字字,系統(tǒng)設(shè)計師可以根據(jù)系統(tǒng)要求使用用戶可編程寄存器創(chuàng)建自定義溫度傳感解決方案。SPD數(shù)據(jù)存儲在256字節(jié)的EEPROM中,前128字節(jié)由Micron按照JEDEC標(biāo)準(zhǔn)編程,用于標(biāo)識模塊特定的時序參數(shù)、配置信息和物理屬性,后128字節(jié)可供客戶使用。
電氣規(guī)格與設(shè)計考慮
電氣規(guī)格
文檔給出了模塊的絕對最大額定值和工作條件。例如,(V_{DD})的絕對最大額定值為–0.4到1.975V,工作電壓范圍為1.425到1.575V。同時,還對輸入輸出電流、溫度范圍等參數(shù)進行了規(guī)定。
設(shè)計考慮
在設(shè)計過程中,需要進行信號完整性仿真,確保整個內(nèi)存系統(tǒng)的信號質(zhì)量。此外,由于工作電壓是在DRAM處指定的,設(shè)計師需要考慮系統(tǒng)在預(yù)期功率水平下的電壓降,以保證所需的供電電壓。
總之,8GB (x72, ECC, SR) 240 - Pin DDR3 RDIMM是一款功能強大、性能優(yōu)良的內(nèi)存模塊。電子工程師在設(shè)計時,需要充分了解其特性和參數(shù),結(jié)合實際需求進行合理選擇和設(shè)計,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。大家在實際應(yīng)用中是否遇到過類似內(nèi)存模塊的設(shè)計難題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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內(nèi)存模塊
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