168-PIN SDRAM UDIMM模塊詳解:MT9LSDT3272A與MT18LSDT6472A
作為電子工程師,在設(shè)計(jì)內(nèi)存相關(guān)的硬件系統(tǒng)時(shí),對(duì)SDRAM模塊的了解至關(guān)重要。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一下Micron的MT9LSDT3272A和MT18LSDT6472A這兩款168-PIN SDRAM UDIMM模塊,它們?cè)趦?nèi)存市場(chǎng)中有著廣泛的應(yīng)用。
一、產(chǎn)品概述
MT9LSDT3272A和MT18LSDT6472A是高速CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取的256MB和512MB DIMM模塊,采用x72(ECC)配置。這種配置使得它們?cè)跀?shù)據(jù)傳輸和錯(cuò)誤檢測(cè)方面表現(xiàn)出色,能有效提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
1.1 關(guān)鍵特性
- 兼容性:符合PC100和PC133標(biāo)準(zhǔn),能與多種系統(tǒng)兼容。
- 引腳與結(jié)構(gòu):168引腳雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM),無(wú)緩沖,ECC優(yōu)化引腳布局。
- 容量規(guī)格:提供256MB(32 Meg x 72)和512MB(64 Meg x 72)兩種容量選擇。
- 電源供應(yīng):?jiǎn)我?+3.3V電源供電,降低功耗。
- 同步操作:全同步設(shè)計(jì),所有信號(hào)在系統(tǒng)時(shí)鐘的正沿注冊(cè)。
- 內(nèi)部流水線操作:允許每時(shí)鐘周期改變列地址,實(shí)現(xiàn)高速隨機(jī)訪問。
- 可編程特性:可編程突發(fā)長(zhǎng)度為1、2、4、8或全頁(yè),還具備自動(dòng)預(yù)充電、自動(dòng)刷新和自刷新模式。
- 其他特性:LVTTL兼容輸入輸出,具備串行存在檢測(cè)(SPD)功能,金手指邊緣接觸。
二、技術(shù)參數(shù)
2.1 時(shí)序參數(shù)
| 不同的模塊標(biāo)記對(duì)應(yīng)不同的時(shí)鐘頻率和訪問時(shí)間,具體如下表所示: | MODULE MARKING | CLOCK FREQUENCY | ACCESS TIME | SETUP TIME | HOLD TIME |
|---|---|---|---|---|---|
| CL = 2 | CL = 3 | ||||
| -13E | 133 MHz | 5.4ns | – | 1.5 | 0.8 |
| -133 | 133 MHz | – | 5.4ns | 1.5 | 0.8 |
| -10E | 100 MHz | 9ns | 7.5ns | 2ns | 1ns |
2.2 地址表
| 256MB | 512MB | |
|---|---|---|
| Refresh Count | 8K | 8K |
| Device Banks | 4 (BA0, BA1) | 4 (BA0, BA1) |
| Device Configuration | 256Mb (32 Meg x 8) | 256Mb (32 Meg x 8) |
| Row Addressing | 8K (A0–A12) | 8K (A0–A12) |
| Column Addressing | 1K (A0–A9) | 1K (A0–A9) |
| Module Ranks | 1 (S0#, S2#) | 2 (S0 #, S2#; S1#, S3# ) |
2.3 直流電氣特性
不同容量的模塊在電源電壓、輸入輸出電壓、輸入輸出漏電流等方面有不同的要求,具體參數(shù)可參考文檔中的表格。例如,256MB模塊的電源電壓為3 - 3.6V,輸入高電壓為2 - VDD + 0.3V等。
2.4 交流電氣特性
模塊的交流時(shí)序參數(shù)符合PC100和PC133設(shè)計(jì)規(guī)范,包括訪問時(shí)間、地址保持時(shí)間、時(shí)鐘高低電平寬度等。這些參數(shù)對(duì)于確保模塊在不同時(shí)鐘頻率下的正常工作至關(guān)重要。
三、引腳定義與功能
3.1 引腳分配
模塊有168個(gè)引腳,分為正面和背面,每個(gè)引腳都有特定的功能。例如,VSS為接地引腳,VDD為電源引腳,DQ為數(shù)據(jù)輸入輸出引腳,CK為時(shí)鐘引腳等。詳細(xì)的引腳分配可參考文檔中的表格。
3.2 引腳描述
不同引腳的類型和功能各不相同,如RAS#、CAS#、WE#為命令輸入引腳,用于定義輸入的命令;CK0 - CK3為時(shí)鐘引腳,驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)時(shí)鐘;CKE0、CKE1為時(shí)鐘使能引腳,控制時(shí)鐘信號(hào)的激活和停用等。
四、操作模式
4.1 初始化
SDRAM模塊必須按照預(yù)定義的方式進(jìn)行上電和初始化,否則可能導(dǎo)致未定義的操作。具體步驟包括:
- 上電后等待100μs,期間可施加COMMAND INHIBIT或NOP命令。
- 施加PRECHARGE命令,對(duì)所有設(shè)備銀行進(jìn)行預(yù)充電。
- 執(zhí)行兩次AUTO REFRESH周期。
- 進(jìn)行模式寄存器編程。
4.2 模式寄存器定義
模式寄存器用于定義SDRAM的具體操作模式,包括突發(fā)長(zhǎng)度、突發(fā)類型、CAS延遲、操作模式和寫突發(fā)模式等。通過LOAD MODE REGISTER命令對(duì)模式寄存器進(jìn)行編程,編程后信息將保留,直到再次編程或設(shè)備掉電。
4.3 突發(fā)長(zhǎng)度與類型
- 突發(fā)長(zhǎng)度:可編程為1、2、4、8或全頁(yè),決定了一次讀寫操作中可訪問的最大列位置數(shù)。
- 突發(fā)類型:分為順序和交錯(cuò)兩種類型,通過模式寄存器的M3位進(jìn)行選擇。
4.4 CAS延遲
CAS延遲是指READ命令注冊(cè)到第一個(gè)輸出數(shù)據(jù)可用之間的時(shí)鐘周期數(shù),可設(shè)置為2或3個(gè)時(shí)鐘。
4.5 操作模式與寫突發(fā)模式
- 操作模式:正常操作模式通過設(shè)置M7和M8為零選擇,其他組合保留用于未來(lái)或測(cè)試模式。
- 寫突發(fā)模式:當(dāng)M9 = 0時(shí),編程的突發(fā)長(zhǎng)度適用于讀寫操作;當(dāng)M9 = 1時(shí),編程的突發(fā)長(zhǎng)度僅適用于讀操作,寫操作為單位置訪問。
五、命令操作
模塊支持多種命令,如COMMAND INHIBIT、NO OPERATION、ACTIVE、READ、WRITE等。每個(gè)命令都有特定的引腳信號(hào)組合和地址要求,具體可參考文檔中的真值表。
六、串行存在檢測(cè)(SPD)
模塊采用2048位EEPROM實(shí)現(xiàn)SPD功能,前128字節(jié)可由Micron編程,用于識(shí)別模塊類型和各種SDRAM組織及時(shí)序參數(shù),后128字節(jié)供用戶使用。系統(tǒng)與DIMM之間通過標(biāo)準(zhǔn)I2C總線進(jìn)行讀寫操作,使用SCL(時(shí)鐘)和SDA(數(shù)據(jù))信號(hào),以及SA(2:0)提供八個(gè)唯一的DIMM/EEPROM地址。
七、總結(jié)
MT9LSDT3272A和MT18LSDT6472A 168-PIN SDRAM UDIMM模塊具有高性能、高可靠性和豐富的功能特性。作為電子工程師,在設(shè)計(jì)內(nèi)存系統(tǒng)時(shí),需要充分了解這些模塊的技術(shù)參數(shù)、引腳定義、操作模式和命令操作等方面的知識(shí),以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí),要注意模塊的初始化和配置過程,嚴(yán)格按照文檔要求進(jìn)行操作。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過這些模塊的相關(guān)問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。
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