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64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 技術(shù)解析

chencui ? 2026-06-07 13:15 ? 次閱讀
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64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 技術(shù)解析

一、引言

在當(dāng)今的電子設(shè)備中,內(nèi)存模塊的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。Micron 的 64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 以其出色的性能和特性,成為眾多應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。本文將詳細(xì)解析該內(nèi)存模塊的特點(diǎn)、規(guī)格和注意事項(xiàng),為電子工程師在設(shè)計(jì)中提供參考。

文件下載:MTA36ASF8G72LZ-2G9B1.pdf

二、產(chǎn)品特性

2.1 基本功能支持

該 LRDIMM 支持 DDR4 組件數(shù)據(jù)手冊(cè)中定義的功能和操作,同時(shí)遵循 Micron DDR4 LRDIMM 核心數(shù)據(jù)手冊(cè)中的特性和規(guī)格。

2.2 物理特性

  • 引腳與類型:采用 288 引腳,是命令/地址/控制注冊(cè)、數(shù)據(jù)緩沖雙列直插式、負(fù)載降低內(nèi)存模塊(LRDIMM)。
  • 數(shù)據(jù)傳輸速率:具備快速的數(shù)據(jù)傳輸速率,支持 PC4 - 3200 和 PC4 - 2933。
  • 容量與架構(gòu):擁有 64GB(4 Gig x 72)的容量,采用雙 rank 架構(gòu),內(nèi)部有 16 個(gè) bank,分為 4 組,每組 4 個(gè) bank。

2.3 不同頻率選項(xiàng)

頻率/CAS 延遲 標(biāo)記
0.625ns @ CL = 22 (DDR4 - 3200) -3G2
0.682ns @ CL = 21 (DDR4 - 2933) -2G9

三、尋址參數(shù)

參數(shù) 64GB
行地址 256K A[17:0]
列地址 1K A[9:0]
設(shè)備 bank 組地址 4 BG[1:0]
每組設(shè)備 bank 地址 4 BA[1:0]
設(shè)備配置 16Gb (4 Gig x 4), 16 banks
模塊 rank 地址 2 CS_n[1:0]

四、部件編號(hào)與時(shí)序參數(shù)

部件編號(hào) 模塊密度 配置 模塊帶寬 內(nèi)存時(shí)鐘/數(shù)據(jù)速率 時(shí)鐘周期 (CL - n RCD - n RP)
MTA36ASF8G72LZ - 3G2__ 64GB 8 Gig x 72 25.6 GB/s 0.625ns/3200 MT/s 22 - 22 - 22
MTA36ASF8G72LZ - 2G9__ 64GB 8 Gig x 72 23.47 GB/s 0.682ns/2933 MT/s 21 - 21 - 21

需要注意的是,所有部件編號(hào)末尾都有一個(gè)兩位代碼(未顯示),用于指定組件和 PCB 版本,具體版本代碼可咨詢廠家。

五、DQ 映射

文檔提供了組件到模塊的 DQ 映射表,分別列出了正面(Table 3)和背面(Table 4)的映射關(guān)系。這對(duì)于工程師在設(shè)計(jì) PCB 布線和信號(hào)傳輸時(shí)非常重要,能夠確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確傳輸。

六、IDD 規(guī)格

參數(shù) 符號(hào) 3200 2933 單位
一個(gè) bank 激活 - 預(yù)充電電流 I DD0 1854 1836 mA
一個(gè) bank 激活 - 預(yù)充電、字線升壓、I PP 電流 I PP0 126 126 mA
一個(gè) bank 激活 - 讀取 - 預(yù)充電電流 I DD1 2034 2016 mA
預(yù)充電待機(jī)電流 I DD2N 1872 1836 mA
預(yù)充電待機(jī) ODT 電流 I DD2NT 1782 1764 mA
預(yù)充電掉電電流 I DD2P 1548 1548 mA
預(yù)充電安靜待機(jī)電流 I DD2Q 1692 1692 mA
活動(dòng)待機(jī)電流 I DD3N 2808 2772 mA
活動(dòng)待機(jī) I PP 電流 I PP3N 108 108 mA
活動(dòng)掉電電流 I DD3P 2484 2448 mA
突發(fā)讀取電流 I DD4R 3870 3726 mA
突發(fā)寫入電流 I DD4W 3726 3600 mA
不同邏輯 rank 突發(fā)刷新電流 (1x REF) I DD5R 2196 2178 mA
不同邏輯 rank 突發(fā)刷新 I PP 電流 (1x REF) I PP5R 144 144 mA
自刷新電流:正常溫度范圍 (0°C 到 85°C) I DD6N (0–85°C) 2412 2412 mA
自刷新電流:擴(kuò)展溫度范圍 (0°C 到 95°C) I DD6E (0–95°C) 4356 4356 mA
自刷新電流:降低溫度范圍 (0°C 到 45°C) I DD6R (0–45°C) 1044 1044 mA
自動(dòng)自刷新電流 (25°C) I DD6A (25°C) 360 360 mA
自動(dòng)自刷新電流 (45°C) I DD6A (45°C) 1044 1044 mA
自動(dòng)自刷新電流 (75°C) I DD6A (75°C) 2196 2196 mA
自動(dòng)自刷新電流 (95°C) I DD6A (95°C) 4356 4356 mA
自動(dòng)自刷新 I PP 電流 (0°C 到 95°C) I PP6X 396 396 mA
銀行交錯(cuò)讀取電流 I DD7 5058 4932 mA
銀行交錯(cuò)讀取 I PP 電流 I PP7 252 252 mA
最大掉電電流 I DD8 1440 1440 mA

所有 IDD 值是在一個(gè)封裝 rank 處于活動(dòng) I (lOD) 條件,所有其他封裝 rank 處于 IDD2P 或 IPP3N 條件下計(jì)算得出的。

七、功能框圖

文檔中的功能框圖展示了該 LRDIMM 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。每個(gè) DDR4 組件的 ZQ 球連接到一個(gè)外部 240Ω ±1% 電阻,該電阻接地,用于組件的 ODT 和輸出校準(zhǔn)。

八、重要注意事項(xiàng)和警告

8.1 產(chǎn)品變更

Micron 保留對(duì)文檔中信息(包括規(guī)格和產(chǎn)品描述)進(jìn)行更改的權(quán)利,本文件取代之前提供的所有信息。如果從非授權(quán)經(jīng)銷商或其他非 Micron 授權(quán)的來源獲得產(chǎn)品,請(qǐng)勿依賴本文件中的信息。

8.2 汽車應(yīng)用

除非 Micron 在其數(shù)據(jù)手冊(cè)中明確指定為汽車級(jí)產(chǎn)品,否則該產(chǎn)品不設(shè)計(jì)或不適合用于汽車應(yīng)用。如果將非汽車級(jí)產(chǎn)品用于汽車應(yīng)用,經(jīng)銷商和客戶需承擔(dān)全部風(fēng)險(xiǎn)和責(zé)任,并賠償 Micron 因產(chǎn)品責(zé)任、人身傷害、死亡或財(cái)產(chǎn)損失等相關(guān)的所有索賠、費(fèi)用、損失和合理的律師費(fèi)。

8.3 關(guān)鍵應(yīng)用

該產(chǎn)品未經(jīng)授權(quán)不得用于關(guān)鍵應(yīng)用(即 Micron 組件故障可能直接或間接導(dǎo)致死亡、人身傷害、嚴(yán)重財(cái)產(chǎn)或環(huán)境損害的應(yīng)用)??蛻舯仨氃趹?yīng)用中納入安全設(shè)計(jì)措施,以防止因 Micron 組件故障導(dǎo)致的危害。如果客戶或經(jīng)銷商將產(chǎn)品用于關(guān)鍵應(yīng)用,需賠償并使 Micron 及其子公司、分包商、關(guān)聯(lián)公司以及各自的董事、官員和員工免受因關(guān)鍵應(yīng)用產(chǎn)生的所有索賠、費(fèi)用、損失和合理的律師費(fèi)。

8.4 客戶責(zé)任

客戶負(fù)責(zé)使用 Micron 產(chǎn)品的系統(tǒng)、應(yīng)用和產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造和操作。所有半導(dǎo)體產(chǎn)品都有固有的故障率和有限的使用壽命,客戶有責(zé)任確定 Micron 產(chǎn)品是否適合其系統(tǒng)、應(yīng)用或產(chǎn)品,并確保在應(yīng)用和產(chǎn)品中包含足夠的設(shè)計(jì)、制造和操作保障措施,以消除因半導(dǎo)體組件故障導(dǎo)致的人身傷害、死亡或嚴(yán)重財(cái)產(chǎn)和環(huán)境損害的風(fēng)險(xiǎn)。

8.5 有限保修

除非 Micron 正式授權(quán)代表簽署的書面協(xié)議中明確規(guī)定,否則 Micron 不對(duì)任何間接、偶然、懲罰性、特殊或后果性損害(包括但不限于利潤(rùn)損失、節(jié)省損失、業(yè)務(wù)中斷、產(chǎn)品移除或更換成本或返工費(fèi)用)承擔(dān)責(zé)任。

九、總結(jié)

Micron 的 64GB (x72, ECC, DR) 288 - Pin DDR4 LRDIMM 是一款性能出色的內(nèi)存模塊,在數(shù)據(jù)傳輸速率、容量和穩(wěn)定性方面都有良好表現(xiàn)。但電子工程師在設(shè)計(jì)過程中,需要充分考慮其特性、規(guī)格以及相關(guān)的注意事項(xiàng),確保產(chǎn)品在不同應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性和安全性。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中,是否遇到過類似內(nèi)存模塊的應(yīng)用難題呢?歡迎交流分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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