近日，圣邦微電子正式發(fā)布車(chē)規(guī)級(jí)電子保險(xiǎn)絲控制器SGM42148Q，面向12V/24V/48V汽車(chē)電氣系統(tǒng)，將電流與能量監(jiān)測(cè)精度做到了傳統(tǒng)方案難以企及的水平，被業(yè)界稱(chēng)為"計(jì)量級(jí)"保護(hù)芯片。

80V耐壓，一片通吃全車(chē)電壓平臺(tái)

SGM42148Q絕對(duì)最大電壓達(dá)80V，推薦工作范圍7V至60V，短時(shí)可承受80V瞬態(tài)過(guò)壓。這意味著它能從容應(yīng)對(duì)12V、24V乃至48V系統(tǒng)中的拋負(fù)載和ISO 7637測(cè)試尖峰。HS_GATE與OUT引腳支持-18V負(fù)壓耐受，防止感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的負(fù)壓損壞芯片。對(duì)于正在從12V向48V輕混和高壓架構(gòu)演進(jìn)的汽車(chē)行業(yè)，一顆芯片覆蓋多電壓平臺(tái)，大幅簡(jiǎn)化BOM。

計(jì)量級(jí)檢測(cè)精度：電流±1%，VDS±1%

芯片集成兩路高精度SAR ADC，分別用于電流和VDS監(jiān)測(cè)。在25mV至40mV常用工作區(qū)間，電流檢測(cè)誤差穩(wěn)定在±1%以?xún)?nèi)；VDS檢測(cè)在0.25V至1.75V核心保護(hù)閾值區(qū)間，誤差同樣控制在±1%以?xún)?nèi)。這意味著MOSFET退飽和保護(hù)閾值可以精確設(shè)定，既不誤動(dòng)作，也不留過(guò)大裕量，系統(tǒng)設(shè)計(jì)無(wú)需為保護(hù)誤差預(yù)留過(guò)多余量。

E-Monitor能量算法：會(huì)"計(jì)算"的保險(xiǎn)絲

SGM42148Q的核心差異化在于集成了E-Monitor能量監(jiān)控算法（專(zhuān)利申請(qǐng)中）。不同于傳統(tǒng)電子保險(xiǎn)絲僅靠固定閾值比較，該芯片通過(guò)雙SAR ADC同時(shí)采樣負(fù)載電流與電壓，實(shí)時(shí)計(jì)算流過(guò)線束的能量，精確模擬傳統(tǒng)保險(xiǎn)絲的I2t發(fā)熱熔斷曲線。實(shí)際效果是：電機(jī)啟動(dòng)、大電容充電等正常瞬態(tài)大電流不會(huì)觸發(fā)誤保護(hù)，而真正的過(guò)載熱累積達(dá)到臨界值時(shí)果斷關(guān)斷，在不犧牲可用性的前提下最大化保護(hù)線束與PCB銅箔。

六重保護(hù)加容性啟動(dòng)，覆蓋復(fù)雜負(fù)載場(chǎng)景

除I2t智能保護(hù)外，芯片還集成硬短路保護(hù)（閾值可編程20mV至160mV）、VDS過(guò)壓保護(hù)（250mV至1.75V可調(diào)）、過(guò)溫保護(hù)（雙級(jí)過(guò)溫關(guān)斷）。內(nèi)置600mA旁路PMOS，在主MOSFET關(guān)閉時(shí)為ECU、傳感器等負(fù)載持續(xù)供電，并具備飽和檢測(cè)與自動(dòng)切換邏輯——負(fù)載電流突增時(shí)自動(dòng)從旁路切回主路，供電不中斷。針對(duì)攝像頭模組、多模塊ECU等大電容負(fù)載，提供CLM電容充電模式，通過(guò)PWM分階段充電，60V下3μF電容約37ms即可啟動(dòng)。

128-bit NVM：跛行回家有底氣

芯片內(nèi)置128-bit非易失性存儲(chǔ)器，關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)可獨(dú)立寫(xiě)入NVM。故障進(jìn)入Failsafe模式時(shí)，芯片按NVM預(yù)設(shè)安全參數(shù)運(yùn)行，不依賴(lài)可能失效的RAM寄存器。這對(duì)ISO 26262功能安全設(shè)計(jì)至關(guān)重要。待機(jī)模式下供電電流僅75μA，SPI接口僅5μA，大幅降低蓄電池休眠功耗。

SGM42148Q已通過(guò)AEC-Q100 Grade 1認(rèn)證，工作溫度-40℃至+125℃，采用TQFN-5×5-32EL綠色封裝。主要應(yīng)用于智能配電模塊（BDU/PDU）、ADAS、域控制器、BCM、48V輕混電池管理以及機(jī)器人配電系統(tǒng)。目前產(chǎn)品已開(kāi)放樣片申請(qǐng)與批量訂貨。