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深入解析NHD - 0216K1Z - FL - GBW字符液晶顯示模塊

chencui ? 2026-06-08 14:40 ? 次閱讀
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深入解析NHD - 0216K1Z - FL - GBW字符液晶顯示模塊

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,液晶顯示模塊是人機(jī)交互的重要組成部分。今天我們來(lái)詳細(xì)剖析Newhaven Display International公司的NHD - 0216K1Z - FL - GBW字符液晶顯示模塊,為電子工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)中提供參考。

文件下載:NHD-0216K1Z-FL-GBW.pdf

一、產(chǎn)品概述

NHD - 0216K1Z - FL - GBW是一款2行16字符的液晶顯示模塊,內(nèi)置ST7066U控制器,采用+5.0V電源供電,具有1/16 duty、1/5 bias的特性,并且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。其型號(hào)各部分含義如下:

  • NHD - :代表Newhaven Display
  • 0216 - :表示2行16字符
  • K1Z - :為具體型號(hào)
  • F - :表示半反半透
  • L - :采用黃/綠色LED背光
  • G - :STN正性 - 灰色
  • B - :6:00最佳視角
  • W - :寬溫度范圍

二、引腳說(shuō)明與接線圖

Pin No. Symbol External Connection Function Description
1 VSS Power Supply 接地
2 VDD Power Supply 邏輯電源電壓(+5.0V)
3 V0 Adj Power Supply 對(duì)比度電源電壓(約1.3V)
4 RS MPU 寄存器選擇信號(hào),RS = 0為命令,RS = 1為數(shù)據(jù)
5 R/W MPU 讀寫選擇信號(hào),R/W = 1為讀,R/W = 0為寫
6 E MPU 操作使能信號(hào),下降沿觸發(fā)
7 - 10 DB0 – DB3 MPU 四位低階雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線,4位操作時(shí)不使用
11 - 14 DB4 – DB7 MPU 四位高階雙向三態(tài)數(shù)據(jù)總線
15 LED+ Power Supply 背光陽(yáng)極(通過(guò)板載電阻接+5.0V)
16 LED - Power Supply 背光陰極(接地)

推薦的LCD連接器為2.54mm間距引腳,不過(guò)文檔中未提及背光連接器的匹配信息。

三、電氣光學(xué)特性

1. 電氣特性

Item Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit
工作溫度范圍 TOP 絕對(duì)最大 -20 - +70 ?C
存儲(chǔ)溫度范圍 TST 絕對(duì)最大 -30 - +80 ?C
電源電壓 VDD - 4.5 5.0 5.5 V
電源電流 IDD VDD = 5.0V 0.5 1.0 2.0 mA
LCD電源(對(duì)比度) VDD - V0 TOP = 25°C 3.6 3.7 3.8 V
“H” 電平輸入 VIH - 0.7 * VDD - VDD V
“L” 電平輸入 VIL - VSS - 0.6 V
“H” 電平輸出 VOH - 3.9 - VDD V
“L” 電平輸出 VOL - VSS - 0.4 V
光電源電壓 VLED - 4.9 5.0 5.1 V
背光電源電流 ILED VLED = 5.0V 65 130 156 mA

2. 光學(xué)特性

Item Symbol Condition Min. Typ. Max. Unit
最佳視角 ?Y+ Cr ≥ 2 - 20 - ?
?Y - - 40 - ?
θX - - 30 - ?
θX+ - 30 - ?
對(duì)比度 Cr - - 3 - -
響應(yīng)時(shí)間 上升 TR - - 150 200 ms
下降 TF - - 150 200 ms

四、控制器信息

模塊內(nèi)置ST7066U控制器,其詳細(xì)規(guī)格可從http://www.newhavendisplay.com/app_notes/ST7066U.pdf下載。DDRAM地址分配如下: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 14
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0B 0C 0D 0E 0F
40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4E 4F

五、指令表

Instruction Instruction code Description 270 KHZ Execution time (fosc=
RS R/W DB7 DB6 DB5 DB4 DB3 DB2 DB1 DB0
清屏 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 向DDRAM寫入 “20H” 并將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H” 1.52ms
返回主頁(yè) 0 0 0 0 0 0 0 0 1 - 將DDRAM地址從AC設(shè)置為 “00H” ,若光標(biāo)移動(dòng)則返回原位置,DDRAM內(nèi)容不變 1.52ms
輸入模式設(shè)置 0 0 0 0 0 0 0 1 I/D SH 設(shè)置光標(biāo)移動(dòng)方向并指定顯示移位,在數(shù)據(jù)讀寫時(shí)執(zhí)行 37μs
顯示開(kāi)/關(guān)控制 0 0 0 0 0 0 1 D C B D = 1:整個(gè)顯示開(kāi)啟;C = 1:光標(biāo)開(kāi)啟;B = 1:閃爍光標(biāo)開(kāi)啟 37μs
光標(biāo)或顯示移位 0 0 0 0 0 1 S/C R/L - - 設(shè)置光標(biāo)移動(dòng)和顯示移位控制位及方向,不改變DDRAM數(shù)據(jù) 37μs
功能設(shè)置 0 0 0 0 1 DL N F - - DL:接口數(shù)據(jù)為8/4位;N:行數(shù)為2/1;F:字體大小為5x11/5x8 37μs
設(shè)置CGRAM地址 0 0 0 1 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計(jì)數(shù)器中設(shè)置CGRAM地址 37μs
設(shè)置DDRAM地址 0 0 1 AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 在地址計(jì)數(shù)器中設(shè)置DDRAM地址 37μs
讀取忙標(biāo)志和地址 0 1 BF AC6 AC5 AC4 AC3 AC2 AC1 AC0 通過(guò)讀取BF可知是否處于內(nèi)部操作,也可讀取地址計(jì)數(shù)器內(nèi)容 0s
向地址寫入數(shù)據(jù) 1 0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 向內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM)寫入數(shù)據(jù) 37μs
從RAM讀取數(shù)據(jù) 1 1 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0 從內(nèi)部RAM(DDRAM/CGRAM)讀取數(shù)據(jù) 37μs

六、時(shí)序特性

1. MPU向ST7066U寫入數(shù)據(jù)

Tc 使能周期時(shí)間 Pin E 1200 ns
TPW 使能脈沖寬度 Pin E 140 ns
TR,TF 使能上升/下降時(shí)間 Pin E 25 ns
TAS 地址建立時(shí)間 Pins: RS,RW,E 0 0 ns
TAH 地址保持時(shí)間 Pins: RS,RW,E 10 - ns
TDSW 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 Pins: DB0 - DB7 40 - ns
TH 數(shù)據(jù)保持時(shí)間 Pins: DB0 - DB7 10 ns

2. ST7066U向MPU讀取數(shù)據(jù)

Tc 使能周期時(shí)間 Pin E 1200 - ns
TPW 使能脈沖寬度 Pin E 140 ns
TR,TF 使能上升/下降時(shí)間 Pin E - 25 ns
TAS 地址建立時(shí)間 Pins: RS,RW,E 0 0 ns
TAH 地址保持時(shí)間 Pins: RS,RW,E 10 ns
TDDR 數(shù)據(jù)建立時(shí)間 Pins: DB0 - DB7 - 100 ns
TH 數(shù)據(jù)保持時(shí)間 Pins: DB0 - DB7 10 ns

七、內(nèi)置字體表

文檔中給出了內(nèi)置字體表,但由于格式問(wèn)題,這里不再詳細(xì)列出。大家在實(shí)際使用中可根據(jù)文檔中的表格進(jìn)行字符顯示的設(shè)計(jì)。

八、初始化程序示例

1. 8位初始化

/**********************************************************/ 
void command(char i) { 
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 0; //D/I=LOW : send instruction 
    E = 1; 
    Delay(1); 
    RW = 0; //R/W=LOW:Write
    Delay(1); //enable pulse width >= 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void write(char i) {
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 1; //D/I=HIGH : send data 
    RW = 0; //R/W=LOW : Write
    E = 1; 
    Delay(1);
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() {
    E = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up 
    Delay(30); //must wait 5ms, busy flag not available 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #2 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    command(0x30); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    command(0x38); //Function set: 8-bit/2-line 
    command(0x0c); //Display ON; Cursor ON 
    command(0x06); //Entry mode set 
}

2. 4位初始化

void command(char i) {
    P1 = i; //put data on output Port 
    D_I = 0; //D/I=LOW : send instruction 
    RW = 0; 
    Nybble(); //Send lower 4 bits 
    i = i = 300ns 
    E = 0; //Clock enable: falling edge 
}

void init() {
    P1 = 0; 
    P3 = 0; 
    Delay(100); //Wait >40 msec after power is applied 
    P1 = 0x30; //put 0x30 on the output port 
    Delay(30); //must wait 5ms, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #2 
    Delay(10); //must wait 160us, busy flag not available 
    Nybble(); //command 0x30 = Wake up #3 
    Delay(10); //can check busy flag now instead of delay 
    P1 = 0x20; //put 0x20 on the output port 
    Nybble(); //Function set: 4-bit interface 
    command(0x28); //Function set: 4-bit/2-line 
    command(0x0F); //Display ON; Blinking cursor 
    command(0x06); //Entry Mode set 
}

九、質(zhì)量信息與注意事項(xiàng)

1. 質(zhì)量測(cè)試

Test Item Content of Test Test Condition Note
高溫存儲(chǔ) 長(zhǎng)時(shí)間施加高存儲(chǔ)溫度的耐久性測(cè)試 +80?C , 200hrs 2
低溫存儲(chǔ) 長(zhǎng)時(shí)間施加低存儲(chǔ)溫度的耐久性測(cè)試 -30?C , 200hrs 1,2
高溫操作 長(zhǎng)時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和高熱應(yīng)力的耐久性測(cè)試 +70?C 200hrs 2
低溫操作 長(zhǎng)時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)和低熱應(yīng)力的耐久性測(cè)試 -20?C , 200hrs 1,2
高溫/濕度操作 長(zhǎng)時(shí)間施加電應(yīng)力(電壓和電流)以及高溫高濕應(yīng)力的耐久性測(cè)試 +60?C , 90% RH , 96hrs 1,2
熱沖擊抗性 在高低熱應(yīng)力循環(huán)期間施加電應(yīng)力(電壓和電流)的耐久性測(cè)試 -20?C,30min -> 25?C,5min -> 70?C,30min = 1 cycle 10 cycles
振動(dòng)測(cè)試 施加振動(dòng)以模擬運(yùn)輸和使用的耐久性測(cè)試 10 - 55Hz , 1.5mm振幅。每個(gè)X、Y、Z方向60秒,共15分鐘 3
靜電測(cè)試 施加靜電放電的耐久性測(cè)試 空氣:±800V 150pF/330Ω,5次;接觸:±600V 150pF/330Ω,5次

2. 注意事項(xiàng)

  • 注意1:測(cè)試過(guò)程中不應(yīng)觀察到冷凝現(xiàn)象。
  • 注意2:在25?C、0%RH下存儲(chǔ)4小時(shí)后
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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