樣品描述

本次分析對象為 IGBT 樣品。與以往主要觀察內(nèi)部芯片結(jié)構(gòu)的測試需求不同，本次測試重點轉(zhuǎn)向樣品背面的 DBC 區(qū)域，目標(biāo)是通過電性測試與熱成像觀察，對異常位置進行初步定位和分析。

IV 測試

樣品未提供明確的異常電性特征，僅給出了測試條件：電壓范圍為 0~25 V，限流設(shè)置為 1 mA?；谏鲜鰲l件，首先對樣品進行 IV 曲線測試，以確認當(dāng)前樣品的電性狀態(tài)。

圖1 IV 曲線

從測試結(jié)果來看，樣品呈現(xiàn)明顯的短路狀態(tài)。但與常見短路樣品相比，該樣品阻值相對較大，表現(xiàn)為弱短路特征。

熱點測試

由于樣品尺寸較大，測試初期先使用廣角鏡頭對樣品背面進行整體觀察，以便快速判斷是否存在明顯發(fā)熱點。

圖2 樣品在廣角鏡頭下的熱點情況

在測試過程中，當(dāng)施加電壓達到 18 V 時，樣品電流約為 700 μA。此時在被測樣品的塑封區(qū)域發(fā)現(xiàn)一處較為集中的熱點區(qū)域，因此進一步對該位置進行放大觀察。

圖3 熱點在 1 倍鏡頭下的熱點情況

在 1 倍倍率下觀察時，熱點位置已經(jīng)較為清晰。隨后對該區(qū)域進行進一步測量，以提高定位準(zhǔn)確性。

圖4 樣品在 1 倍鏡頭下的熱點位置測量

測量完成后，繼續(xù)提高觀察倍率，對熱點區(qū)域進行更細致的定位分析。

圖5 熱點在 3 倍鏡頭下的熱點情況

在更高倍率下，熱點位置得到了更加精準(zhǔn)的定位。但從樣品外觀來看，當(dāng)前未發(fā)現(xiàn)明顯異常，初步判斷異常來源可能位于樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)。后續(xù)可結(jié)合開封、截面或進一步失效分析手段，對該熱點對應(yīng)區(qū)域進行驗證。

審核編輯 黃宇