高通將于2019年發(fā)布QuickCharge5技術(shù) 充電功率或超過(guò)32W
距離最新快速充電解決方案Quick Charge 4+正式公布還不到一周的時(shí)間，關(guān)于下一代快充技術(shù)Quick Charge 5就被曝光了。
據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，知情人士稱(chēng)，高通將于2019年發(fā)布Quick Charge 5技術(shù)。
高通快充
Quick Charge 4+發(fā)布會(huì)上，高通表示15W無(wú)線(xiàn)快充也已經(jīng)提上日程，預(yù)計(jì)2019年將面市;而且下一代快速充電將采用“三重充電”，意味著電力將通過(guò)三條電源路徑進(jìn)入電池。
Quick Charge 4+增強(qiáng)了雙路充電、智能熱平衡，并提升了安全性，支持USB PD，充電速度也比Quick Charge 4快達(dá)15%或效率提升達(dá)30%，移動(dòng)終端可以實(shí)現(xiàn)高達(dá)97%的效率。照此推測(cè)，Quick Charge 5的充電功率或超過(guò)32W，其表現(xiàn)也就更值得期待了。
高通驍龍芯片
不出意外，高通Quick Charge 5預(yù)計(jì)將在明年的高通Snapdragon 8150/855（7nm工藝打造）智能手機(jī)上首次亮相。
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