作為浸潤式光刻方法的開創(chuàng)者，中國***新竹清華大學(xué)、新竹交通大學(xué)、***大學(xué)特聘講座教授，以及清大-臺積電聯(lián)合研發(fā)中心主任，2018年未來科學(xué)大獎-數(shù)學(xué)與計算機科學(xué)獎獲獎?wù)撸直緢圆┦坑诮兆骺捅本┣迦A大學(xué)，向師生及業(yè)界人士詳解了半導(dǎo)體光刻技術(shù)及其發(fā)展歷程，展示了一個詳盡、立體的光刻世界。

當(dāng)人類剛發(fā)明出集成電路的時候，當(dāng)時的特征尺寸大概是5μm（5000nm），之后縮小到了3μm，發(fā)展至今，臺積電已經(jīng)開始量產(chǎn)7nm的IC了。在這個過程當(dāng)中，制程共經(jīng)歷了20代變革，未來幾年，5nm集成電路也將實現(xiàn)量產(chǎn)。從5μm到5nm，實現(xiàn)了1000倍的變化，大概經(jīng)歷了40年。

在這一過程當(dāng)中，有一件比較神奇的事情，5μm階段，當(dāng)時的波長是436nm，而到當(dāng)今的7nm，波長是193nm，變化并不是特別大，這樣，從光學(xué)的角度看，我們要實現(xiàn)將特征尺寸縮到波長的四十分之一，似乎是不可能完成的任務(wù)，我們需要跳出純光學(xué)思維，從半導(dǎo)體的角度去考慮如何實現(xiàn)它。

人的頭發(fā)橫截面直徑大概是80μm，以采用28nm制程工藝的SRAM為例，可以在頭發(fā)的橫截面上放20735個這個樣的SRAM單元，隨著微縮技術(shù)的發(fā)展，在直徑為80μm的橫截面上，可以容納越來越多的SRAM單元了。

那么，這是如何做到的呢？主要是由光刻工藝及其技術(shù)演進實現(xiàn)的。

光刻微縮的理論基礎(chǔ)主要基于下圖的方程式：分辨率和DOF（depth of focus，景深）。

從圖中的公式可以看出，分辨率主要由三個因數(shù)決定，分別是波長λ、鏡頭角度的正弦值sinθ，以及k1，其中，對于做光刻的人來說，k1這個參數(shù)是非常重要的。

縮短波長和加大sinθ（目前可以做到0.93）都可以提升分辨率，但這些都是有代價的，縮短波長λ、增加sinθ，DOF都會縮短，而k3和k1又是有關(guān)聯(lián)的，且比較復(fù)雜。

4種方法提升分辨率

對于采用不同設(shè)備制造相同制程IC的制造廠來說，其技術(shù)水平差異就會很突出，例如，有的廠商用EUV設(shè)備（光刻波長為13.5nm）才能做7nm芯片，而有的廠商用DUV設(shè)備（光刻波長為193nm）就可以做出7nm芯片，做同樣的產(chǎn)品，前者需要更多的投資去購買更新近的設(shè)備，而后者則不需要。這就是通過高水平工藝提升分辨率W所產(chǎn)生的經(jīng)濟效益。

1、增大sinθ

如下圖所示，依據(jù)方程式，有4種方法可以提升分辨率W，而對于工程師來說，其中最方便的方法莫過于增加sinθ了，對于半導(dǎo)體廠的工程師來說，只要向老板多申請一些經(jīng)費，訂購大一點的鏡頭和機器就好了，因此，工程師會采取的首選方案，往往就是在sinθ上做文章。

提高sinθ的同時，鏡頭的復(fù)雜度隨著增加，因為sinθ每增加一點，鏡頭里就需要增加相應(yīng)的鏡片。以sinθ=0.93的鏡頭為例，整個鏡頭的長度會超過一個成年人的身高，而且很重，需要用起重機來搬運和加裝。這樣的鏡頭，便宜的也要2000多萬美金一個，貴的要7000萬美金左右。另外，增加sinθ雖然使工程師輕松不少，但景深DOF的犧牲會比較大。

如下圖所示的鏡頭，左邊的5X鏡頭（0.32NA）是當(dāng)年在IBM工作時，我的老板發(fā)明的，當(dāng)時，這是全球半導(dǎo)體光刻界最厲害的鏡頭了。隨著技術(shù)的進步，新的4X鏡頭陸續(xù)出現(xiàn)，這些鏡頭里增加了越來越多的鏡片，而且對精度的要求逐年提升，要做到波長的五十分之一。

2、減小波長

增加sinθ需要大量的投資，而且越來越貴，此外，目前sinθ已經(jīng)提升到0.93，已很難再提升，而且其不可能大于1。這樣，我們可以通過改變波長λ來進一步提升光刻的分辨率。

但是，改變波長會產(chǎn)生連鎖反應(yīng)，由于鏡片對不同波長光的折射率都是不一樣的，焦點也就不一樣，因此，波長改變一次，就需要對鏡片進行矯正，使其焦點正確。但這些對激光的頻寬提出了更高的要求，特別是到28nm制程時，傳統(tǒng)的光刻光源已經(jīng)不能滿足要求，需要特殊的、更低頻寬的激光才能進行矯正。

此外，還有其它一些方法可以矯正焦點，具體如下圖所示。

而在將來，更先進的光刻系統(tǒng)內(nèi)，不允許有任何透光的鏡片，如EUV系統(tǒng)，只能通過將光多次反射實現(xiàn)應(yīng)用功能。

另外，波長每改變一次，光阻也要變，由于光阻是化學(xué)性質(zhì)的，改起來并不容易，特別是當(dāng)光阻從365變?yōu)?8的時候，需要很大的改動，實現(xiàn)這一壯舉的人是當(dāng)年我在IBM的同事，當(dāng)時得到了光刻界的諾貝爾獎，即日本天皇獎，他采用化學(xué)放大效應(yīng)，將光阻提升了十倍，這一技術(shù)出來以后，使得整個光刻系統(tǒng)成本下降很多。不過，這種新光阻在剛出來的時候并不穩(wěn)定，有時能提升十倍，有時又遠不能達到這一指標，問題出在哪里呢？經(jīng)過研究，他最終發(fā)現(xiàn)，問題在于光阻的濃度，這就對過濾器提出了很高的要求，需要考慮很多因素，另外，這種過濾器會消耗大量的電能，這對很多應(yīng)用單位來說，都是不可承受之重。

當(dāng)波長減小到157nm的時候，裝置中的空氣會將該波長的光吸收掉，這主要是由氧氣造成的，因此，需要一個密封的空間，而且里面不能有氧氣，一般是充滿氮氣，但氮氣很難被監(jiān)測到，且不利于工程師維修（沒有氧氣，有生命危險）。

當(dāng)光刻發(fā)展到EUV的時候，此時光的波長已經(jīng)非常小，很容易被裝置里面的氣體吸收掉，因此，EUV需要抽真空的環(huán)境，而要實現(xiàn)真空，整個系統(tǒng)就會變得龐大許多，而且，抽真空泵的震動對光刻系統(tǒng)也會有一定的影響。此外，更加龐大和復(fù)雜的系統(tǒng)，維修起來也更加費時費力。

3、減小k1

下面談k1，對于做光刻的人來說，k1可以說是最有趣的話題了。

k1是一個系數(shù)，在顯微鏡應(yīng)用當(dāng)中，k1最小只能降到0.61，再小的話，東西就會模糊，看不清楚了，而在光刻領(lǐng)域，則不存在這個問題，只需要考慮線的位置，只要能曝光就好，因此，可以把k1降低到0.07。通過改變k1，可以不用更換鏡片，不用改變波長和光阻，就可以提升分辨率，具有很好的經(jīng)濟效益。此外，DOF還有可能會增加。

減小k1有這么多的好處，但其實現(xiàn)起來并不容易，需要很強的創(chuàng)新思維。

下圖，制程工藝為250nm時，那時候的k1=0.63，跟顯微鏡的差不多，而180nm制程對應(yīng)的k1則降到了0.47，此時，相對于250nm，線寬比較大，不容易控制，還要考慮很多干擾因素，有很大的學(xué)問在里面，需要更多的創(chuàng)新。

k1=0.47的時候，就感覺是一件非常奢侈的事情了，而當(dāng)制程微縮到130nm的時候，k1進一步降到了0.42，這是一件非常不簡單的事情，凝聚了光刻研發(fā)工程師的心血和智慧。

當(dāng)k1=0.63和0.47的時候，是有可能增加DOF的，如下圖所示。

4、增大n

這里的n是折射率，通過改變n，也可以提升光刻系統(tǒng)的分辨率，最簡單的方法就是在鏡頭和晶體之間加入水，以代替空氣，也就是沉浸式系統(tǒng)，通過增大n，可以得到短波長的效果。

當(dāng)NA大于1的時候，特別是1.35NA時，需要放入具有特別構(gòu)造的鏡片，由于涉及到商業(yè)機密，下圖中沒有給出1.35NA的示意圖，目前有兩家公司可以做到這一點，他們采用不同的方法實現(xiàn)。

下圖所示為沉浸式的原理，利用光通過液體介質(zhì)時會彎折的特性，顯微鏡的影像透過浸濕的鏡頭會進一步放大。相反地，當(dāng)光線通過浸在液體中的微縮影鏡頭時，就能將影像藉由折射率進一步縮小。

這里用水作為介質(zhì)是最為經(jīng)濟高效的，否則就需要花幾億美金去研發(fā)新的、更好的介質(zhì)，這樣太耗費資金和時間，而且不一定能保證成功，算起來是劃不來的。

結(jié)語

以上，林本堅博士主要講述了提升光刻系統(tǒng)分辨率的4種方法，這里凝結(jié)了光刻研發(fā)工程師的大量心血和智慧，而作為沉浸式光刻技術(shù)的發(fā)明人，林博士對于產(chǎn)業(yè)的技術(shù)水平提升和經(jīng)濟效益做出了巨大的貢獻。相信隨著EUV的到來及普及，更多的先進技術(shù)還會誕生，繼續(xù)把半導(dǎo)體光刻發(fā)揚光大。