持續(xù)兩年多的DRMA內(nèi)存芯片漲價今年10月份就結(jié)束了，遭受漲價之苦的下游廠商及消費者總算可以舒口氣了，花旗集團日前給出的預測是明年DRAM內(nèi)存至少會降價30%。

對于DRAM廠商來說，內(nèi)存降價是他們極不愿意看到的，特別是第一大內(nèi)存供應商三星，DRAM芯片占了三星公司半導體業(yè)務營收的85%。為了彌補DRAM內(nèi)存降價導致的損失，三星明年將加強晶圓代工業(yè)務，雖然在7nm節(jié)點上落后了臺積電，但三星表態(tài)他們的3nm工藝已經(jīng)完成了性能驗證，將于2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

在全球晶圓代工市場上，臺積電一家獨大，占據(jù)全球晶圓代工市場大約60%的份額，不僅營收遠超其他廠商，而且在7nm工藝節(jié)點幾乎壟斷了目前所有芯片代工訂單，今年流片了50多個7nm芯片，明年還有100多個7nm及7nm+工藝訂單。

在晶圓代工方面，三星之前也是有過光輝歷史的，在32nm、14nm及10nm節(jié)點率先量產(chǎn)，不過7nm節(jié)點上三星進度落后于臺積電，自家的Exynos 9820處理器也沒有趕上7nm EUV工藝，還是用的10nm工藝改進的8nm LPP工藝，數(shù)字上聽起來跟7nm工藝差不多，但實際上并不是麒麟980、蘋果A12及驍龍855同代水平的。

在DRAM內(nèi)存芯片降價的大環(huán)境下，三星在半導體業(yè)務上的重點也會傾向于晶圓代工，去年三星晶圓代工業(yè)務營收46億美元，三星的目標是營收增加一倍到100億美元以上，不過要實現(xiàn)這個目標，三星除了斥資56億美元興建新的晶圓廠之外，還要在技術上加把勁，趕超臺積電。

三星晶圓代工業(yè)務負責人Eun Seung Jung本周一在IEDM會議上表示三星已經(jīng)完成了3nm工藝技術的性能驗證，并且在進一步完善該工藝，目標是在2020年大規(guī)模量產(chǎn)。

在3nm節(jié)點上，臺積電也準備投資6000億新臺幣，也就是200億美元左右，不過臺積電的計劃是2020年建廠，2021年完成設備安裝，2022年才能量產(chǎn)。如今三星的雄心是在2020年量產(chǎn)，這個進度要快得多了。