世界半導(dǎo)體市場自2016年下半年以來，在智能手機和數(shù)據(jù)中心使用的存儲器的拉動下，在2017年實現(xiàn)歷史新高，世界半導(dǎo)體市場達(dá)到4122億美元，同比增長21.6%。其中集成電路市場達(dá)到3432億美元，同比增長24.1%。

進(jìn)入2018年以來，由于受單邊貿(mào)易保護(hù)主義的沖擊，世界貿(mào)易戰(zhàn)愈演愈烈，世界經(jīng)濟(jì)發(fā)展受阻，集成電路市場深受其害。且世界存儲器因在2017年受市場供不應(yīng)求之故，一些存儲器大廠擴大生產(chǎn)規(guī)模，反而使存儲器庫存積壓，產(chǎn)品市場合約價下跌三成。為化解市場供求矛盾和追求企業(yè)經(jīng)濟(jì)效益最大化，克服硅周期低谷到來的危機，一些半導(dǎo)體廠商逼使減少資本投入，其中減少設(shè)備投入或延期投資為主，來應(yīng)對半導(dǎo)體市場的變化。

據(jù)SEMI 2018年12月11日年終綜合預(yù)測報道：2018年世界半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額為621.0億美元，同比增長9.7%，較2017年37.3%的成長率大幅度下降27.6個百分點。2019年世界半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額下退到595.8億美元，同比又下降4.0%，其中主要減少在DRAM和NAND型記憶卡的投資；原先半導(dǎo)體設(shè)備最大市場的韓國較2018年減少22.9%。世界半導(dǎo)體制造設(shè)備市場寄希望在2020年有所上升，預(yù)計可達(dá)719.1億美元，較2019年將成長20.7%的規(guī)模，其主因為中國存儲器大廠裝機所推動、世界集成電路庫存減少后需增量擴產(chǎn)、存儲器價格會止跌反彈等綜合因素使然。

2018年里，韓國以三星、SK海力士為主體，在DRAM、NAND Flash產(chǎn)品價格大揚40%左右的情況下，擴大投資與產(chǎn)能，投入171.1億美元占全球半導(dǎo)體制造設(shè)備的27.6%，居第一位。中國（大陸）以同比增長55.8%，設(shè)備投資達(dá)128.2億美元，超過中國***，占到全球設(shè)備投資的20.6%，居第二位，這主要是中國大陸眾多12英寸和8英寸晶圓廠投資建廠，并進(jìn)入設(shè)備安裝期之故。中國（***地區(qū)）在半導(dǎo)體設(shè)備投資較為平穩(wěn)，以101.1億美元，退居第三位，占到全球設(shè)備投資的16.3%，其主要投入用臺積電（南京）的建廠和7nm擴產(chǎn)，5nm制程的建線等，但由于受市場的影響，同比投入下降12.00%。日本、亞太、歐洲等地同比都有較大的增長，北美（美國）都同比下降5.4%。

縱觀2019年，由于受貿(mào)易摩擦戰(zhàn)的影響，世界經(jīng)濟(jì)的滑坡的干擾等，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已處于向低谷退滑狀況明顯。故此，世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界巨商對設(shè)備投入較為保守和觀望，半導(dǎo)體設(shè)備投資同比退坡4.00%，市場規(guī)模為595.8億美元，是近三年來的首次退坡，較2017年的37.3%大幅下滑41.3個百分點。其中：韓國、中國、亞太地區(qū)、歐洲地區(qū)都呈退滑，韓國已明確減少對3DNAND Flash的投資。但中國***、日本、北美都有所增長。

到2020年，業(yè)界對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍存有較大的盼望，認(rèn)為市場會有上升，故此，恢復(fù)半導(dǎo)體設(shè)備的投資額，主要由韓國和中國（大陸）來帶動，韓國增長38.7%、中國大陸增長36.00%，全年平均同比增長20.7%，但這也經(jīng)受起2019年市場的考驗來鑒定。

據(jù)SEMI預(yù)測報道：2018年半導(dǎo)體制造設(shè)備投資中，前工序晶圓設(shè)備市場投資額預(yù)計為502億美元，同比增長10.2%；后工序封測制造業(yè)設(shè)備市場投資為94億美元，同比增長15.1%；其中：封裝設(shè)備市場投資40億美元，同比增長1.9%；測試設(shè)備市場投資54億美元，同比增長15.6%；在其他設(shè)備中（主要是光罩設(shè)備）投資額近25億美元，同比增長0.9%。