近日Cree科銳宣布，其與意法半導(dǎo)體簽署了一份多年供貨協(xié)議，為意法半導(dǎo)體生產(chǎn)和供應(yīng)其Wolfspeed碳化硅（SiC）晶圓。

按照協(xié)議規(guī)定，在當(dāng)前碳化硅功率器件市場(chǎng)需求顯著增長(zhǎng)期間，Cree將向意法半導(dǎo)體供應(yīng)價(jià)值2.5億美元Cree先進(jìn)的150mm碳化硅裸晶圓和外延晶圓。協(xié)議將加速SiC在汽車和工業(yè)兩大市場(chǎng)的商用。

Cree首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，這是去年以來Cree為支持半導(dǎo)體工業(yè)從硅向碳化硅轉(zhuǎn)型而簽署的第三份多年供貨協(xié)議，Cree將不斷擴(kuò)大產(chǎn)能，以滿足持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，特別是在工業(yè)和汽車應(yīng)用領(lǐng)域。

Cree旗下Wolfspeed是全球領(lǐng)先的碳化硅晶圓和外延晶圓制造商，其整合了從SiC襯底到模組的全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)環(huán)節(jié)，在市場(chǎng)占據(jù)主導(dǎo)地位。據(jù)悉，Cree的SiC襯底占據(jù)了全球市場(chǎng)近40%份額，在SiC器件領(lǐng)域的市場(chǎng)份額亦僅次于英飛凌。

2016年，英飛凌曾試圖收購(gòu)Wolfspeed，但由于Wolfspeed的主營(yíng)業(yè)務(wù)SiC、GaN均為制造有源相控陣?yán)走_(dá)等軍事裝備的關(guān)鍵器件，該收購(gòu)案被美國(guó)政府以危害國(guó)家安全為由予以否決而宣告失敗。為此，英飛凌還向Cree付了1250萬美元分手費(fèi)。

SiC材料及器件可使電力電子系統(tǒng)的功率、溫度、頻率、抗輻射能力、效率和可靠性倍增，體積、重量以及成本的大幅減低，適用于汽車、鐵路、工業(yè)設(shè)備、家用消費(fèi)電子設(shè)備等領(lǐng)域。英飛凌CEO雷哈德·普洛斯曾表示，Wolfspeed生產(chǎn)的SiC芯片在未來數(shù)年將逐漸取代傳統(tǒng)芯片，尤其是在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車市場(chǎng)。

盡管性能優(yōu)越，但由于產(chǎn)能不足、價(jià)格較高等各方面原因，SiC器件目前尚未得到大規(guī)模商用，近兩年來隨著新能源汽車等蓬勃發(fā)展，市場(chǎng)對(duì)SiC的需求亦顯著提升，越來越多的汽車制造商紛紛考慮使用SiC器件，這次Cree與意法半導(dǎo)體簽訂供貨協(xié)議，將有望加速SiC在汽車和業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域的商用。

意法半導(dǎo)體是全球著名的半導(dǎo)體供應(yīng)商，在工業(yè)和汽車電子領(lǐng)域均占有較高的市場(chǎng)份額，其產(chǎn)品涵蓋了工控、汽車電子、智能家居等各大領(lǐng)域的方方面面，如今斥巨資與Cree簽下SiC晶圓及外延片供貨長(zhǎng)約，即意味著其將持續(xù)支持SiC器件的商用。

在2018年2月，Cree亦與英飛凌達(dá)成了SiC晶圓長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，將向英飛凌長(zhǎng)期供應(yīng)150mm SiC晶圓，以滿足當(dāng)前高增長(zhǎng)的光伏逆變器、工業(yè)和汽車等市場(chǎng)。

隨著意法半導(dǎo)體、英飛凌等國(guó)際大廠的持續(xù)推進(jìn)，SiC器件的大規(guī)模商用將越來越近。