韓媒每日經濟新聞(MK NEWS)日文版3日報導，三星電子將大幅縮減DRAM、NAND Flash等半導體庫存。為了因應截至去(2018)年第3季為止的半導體絕佳需求，三星將半導體庫存量維持在1.5-3個月左右水準，不過自去年第4季開始，因供應過剩導致存儲器景氣大幅減速，也讓三星決定縮減庫存量。

據多位三星相關人士指出，三星目前將DRAM、NAND Flash庫存量分別維持在1.5個月(45天)、3個月(90天)，不過三星內部已敲定方針，計劃將DRAM、NAND Flash庫存量大幅縮減至0.5個月。

因半導體從接單到生產需要一定的時間，因此在需求旺盛時期，為了因應來自客戶的急單，讓三星增加庫存量，不過自去年第4季以來，因DRAM價格下滑、半導體市場疲軟，也讓三星轉換方針，縮減庫存量。

根據三星公告的資料顯示，去年第3季時三星的半導體庫存額為10兆4542億韓元，三星DRAM全球市占率達45.5%、NAND Flash為35.6%，皆高居全球首位。

日本電子情報技術產業(yè)協(xié)會(JEITA)2018年11月27日發(fā)布新聞稿指出，世界半導體貿易統(tǒng)計協(xié)會(WSTS)在最新公布的預測報告中，將2019年全球半導體銷售額成長率預估值自2018年6月預估的年增4.4%下修至年增2.6%，年增幅將創(chuàng)3年來(2016年以來、年增1.1 %)新低水準。

其中，WSTS預估2019年Memory銷售額將年減0.3%至1,645.43億美元，將3年來首度陷入萎縮，且遠遜于6月時預估的年增3.7%。

日經新聞2018年10月5日報導，韓國投資證券表示，三星電子2018年半導體設備投資額約27兆韓元，持平于2017年水準，不過2019年預估將較2018年減少約8%。韓國投資證券預估，三星2019年對NAND Flash的投資雖將有所增加、不過對DRAM預估會減少2成以上。

日經新聞2018年10月31日報導，全球第2大NAND Flash廠商東芝存儲(TMC)和其合作伙伴Western Digital(西部數據)計劃將雙方共同營運的四日市工廠部分制造設備導入時間進行延后。報導指出，四日市工廠內的第6廠房(Fab 6)已完成廠房的興建，不過原先預計在2018年內搬入的設備將延后數個月時間，于2019年春天才會進行搬入，主因智能手機出貨量低迷，導致存儲器價格下滑，因此將放緩增產速度。