日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

內(nèi)存儲(chǔ)器的分類

工程師 ? 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:h1654155205.5246 ? 2019-01-07 16:54 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

內(nèi)存儲(chǔ)器

內(nèi)存儲(chǔ)器包括寄存器、高速緩沖存儲(chǔ)器(Cache)和主存儲(chǔ)器。寄存器在CPU芯片的內(nèi)部,高速緩沖存儲(chǔ)器也制作在CPU芯片內(nèi),而主存儲(chǔ)器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會(huì)影響計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度。

內(nèi)存儲(chǔ)器的分類

1、隨機(jī)存儲(chǔ)器

隨機(jī)存儲(chǔ)器是一種可以隨機(jī)讀∕寫數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,也稱為讀∕寫存儲(chǔ)器。RAM有以下兩個(gè)特點(diǎn):一是可以讀出,也可以寫入。讀出時(shí)并不損壞原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容,只有寫入時(shí)才修改原來(lái)所存儲(chǔ)的內(nèi)容。二是RAM只能用于暫時(shí)存放信息,一旦斷電,存儲(chǔ)內(nèi)容立即消失,即具有易失性。RAM通常由MOS型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器組成,根據(jù)其保存數(shù)據(jù)的機(jī)理又可分為動(dòng)態(tài)(DynamicRAM)和靜態(tài)(StaticRAM)兩大類。DRAM的特點(diǎn)是集成度高,主要用于大容量?jī)?nèi)存儲(chǔ)器;SRAM的特點(diǎn)是存取速度快,主要用于高速緩沖存儲(chǔ)器。

2、只讀存儲(chǔ)器

ROM是只讀存儲(chǔ)器,顧名思義,它的特點(diǎn)是只能讀出原有的內(nèi)容,不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來(lái)存儲(chǔ)的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫入的,并永久保存下來(lái)。它一般用來(lái)存放專用的固定的程序和數(shù)據(jù)。只讀存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器,一旦寫入信息后,無(wú)需外加電源來(lái)保存信息,不會(huì)因斷電而丟失。

3、CMOS存儲(chǔ)器

CMOS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低,CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個(gè)小電池供電,這種電池在計(jì)算機(jī)通電時(shí)還能自動(dòng)充電。因?yàn)镃MOS芯片可以持續(xù)獲得電量,所以即使在關(guān)機(jī)后,他也能保存有關(guān)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)配置的重要數(shù)據(jù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 存儲(chǔ)器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7758

    瀏覽量

    172263
  • 內(nèi)存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    6

    瀏覽量

    3389
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    相變存儲(chǔ)器 (PCM) 技術(shù)介紹

    PCM(Phase-Change Memory 相變存儲(chǔ)器)屬于新型電阻式存儲(chǔ)器,其存儲(chǔ)元件工作原理及對(duì) CMOS 工藝集成度的影響,與浮柵存儲(chǔ)器存在顯著差異。任何浮柵
    發(fā)表于 04-29 15:58

    Atmel AT88SC1616C:高性能安全存儲(chǔ)器的深度解析

    Atmel AT88SC1616C:高性能安全存儲(chǔ)器的深度解析 在電子設(shè)備的安全存儲(chǔ)領(lǐng)域,Atmel的AT88SC1616C是一款備受關(guān)注的高性能安全存儲(chǔ)器。它屬于Atmel
    的頭像 發(fā)表于 04-05 16:10 ?667次閱讀

    串行mram磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器的工作原理與存儲(chǔ)機(jī)制

    存儲(chǔ)器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天,MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的非易失性、高速讀寫與高耐久性,正成為越來(lái)越多高端應(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇。尤其是串行MRAM磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器,通過(guò)精簡(jiǎn)的接口設(shè)計(jì)與靈活的集成方式,進(jìn)一步拓展了MRAM在嵌入式
    的頭像 發(fā)表于 03-30 16:27 ?248次閱讀
    串行mram磁性隨機(jī)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的工作原理與<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>機(jī)制

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的發(fā)展過(guò)程和主要分類

    從打孔卡到納米芯片,存儲(chǔ)技術(shù)跨越三個(gè)世紀(jì)。本文系統(tǒng)回顧存儲(chǔ)器演進(jìn)史,詳解易失與非易失性存儲(chǔ)分類邏輯,重點(diǎn)剖析現(xiàn)代科技“心臟”——DRAM。從1T1C單元結(jié)構(gòu)到讀寫刷新的電荷流轉(zhuǎn)機(jī)制,
    的頭像 發(fā)表于 03-16 15:20 ?558次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的發(fā)展過(guò)程和主要<b class='flag-5'>分類</b>

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)

    【案例5.1】存儲(chǔ)器選型的考慮要點(diǎn)某設(shè)計(jì),用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個(gè)字節(jié)的數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲(chǔ)在由DDR4SDRAM組成的存儲(chǔ)器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?462次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>選型的考慮要點(diǎn)

    DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案

    在半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域,DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器始終是電子設(shè)備性能的核心支撐。作為存儲(chǔ)解決方案的重要組成部分,DDR2 SDRAM內(nèi)存解決方案憑借其高效的數(shù)據(jù)處理能力和穩(wěn)定的運(yùn)行表現(xiàn),廣泛
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:31 ?711次閱讀

    FIFO存儲(chǔ)器的種類、IP配置及應(yīng)用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個(gè)數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲(chǔ)器
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?649次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>的種類、IP配置及應(yīng)用

    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用存儲(chǔ)器介紹

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能?;镜?b class='flag-5'>存儲(chǔ)器種類見圖21_1。
    的頭像 發(fā)表于 01-12 06:21 ?7451次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫(kù)開發(fā)實(shí)戰(zhàn)指南之常用<b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>介紹

    DDR SDRAM是什么存儲(chǔ)器(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器介紹)

    在計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器扮演著數(shù)據(jù)臨時(shí)存放與快速交換的關(guān)鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)已成為現(xiàn)代內(nèi)存的主流技術(shù)之一。它不僅在速度上顯著超越前代產(chǎn)品,更憑借其高效傳輸機(jī)制,廣泛應(yīng)用于電腦、
    的頭像 發(fā)表于 12-08 15:20 ?1606次閱讀

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)原理

    在各類存儲(chǔ)設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì),在高帶寬和多任務(wù)場(chǎng)景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?805次閱讀

    芯源的片上存儲(chǔ)器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲(chǔ)器和啟動(dòng)程序存儲(chǔ)器。 ●● 主 FLASH 存儲(chǔ)器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    spi psram偽靜態(tài)存儲(chǔ)器的特點(diǎn)是什么

    PSRAM之所以被稱為"偽靜態(tài)"存儲(chǔ)器,主要是因?yàn)槠洳捎妙怱RAM的接口協(xié)議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存取,無(wú)需像傳統(tǒng)DRAM一樣需要內(nèi)存控制定期刷新數(shù)據(jù)單元。
    的頭像 發(fā)表于 10-23 14:29 ?522次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)高帶寬存儲(chǔ)器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲(chǔ)器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。其核心設(shè)計(jì)是通過(guò)硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?5612次閱讀

    MCU存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)解析

    ? ? ? ?MCU的存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)通過(guò)整合不同性能與功能的存儲(chǔ)單元,優(yōu)化系統(tǒng)效率并滿足多樣化場(chǎng)景需求。其核心架構(gòu)可分為以下層次: 一、寄存層(最高速) 定位?:集成于CPU內(nèi)核中,直接參與運(yùn)算
    的頭像 發(fā)表于 05-09 10:21 ?935次閱讀

    CYPD3177-24LQXQT是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器?

    CYPD3177-24LQXQT 是否實(shí)現(xiàn)內(nèi)部存儲(chǔ)器?(例如 內(nèi)存)? BCR 數(shù)據(jù)表中似乎沒(méi)有提及這一點(diǎn)。
    發(fā)表于 05-07 07:23
    正镶白旗| 赞皇县| 上栗县| 屏东市| 桐柏县| 瑞丽市| 南木林县| 高要市| 恩平市| 台东县| 通城县| 巨野县| 马关县| 大石桥市| 湟源县| 台江县| 贡山| 平远县| 马关县| 崇礼县| 江西省| 沽源县| 望谟县| 宁城县| 汾西县| 常山县| 兴国县| 钟山县| 赤城县| 巨鹿县| 东阿县| 苍溪县| 五莲县| 昆明市| 达州市| 垦利县| 来凤县| 城市| 新化县| 牡丹江市| 元谋县|