對(duì)新功能的需求推動(dòng)了汽車信息娛樂系統(tǒng)的快速增長(zhǎng)。 201年生產(chǎn)了900萬輛汽車信息娛樂系統(tǒng);預(yù)計(jì)到2019年,年產(chǎn)量將快速增長(zhǎng)至6000萬輛。汽車信息娛樂系統(tǒng)(如圖1所示)提供新功能,如實(shí)時(shí)本地交通和零售信息,基于雷達(dá)的停車輔助系統(tǒng)和安全系統(tǒng),獨(dú)立后方乘客音頻/視頻,無線互聯(lián)網(wǎng)和自適應(yīng)語(yǔ)音控制。這些新功能需要額外的高性能,高可靠性非易失性存儲(chǔ)器。 EEPROM不能在不增加設(shè)計(jì)成本的情況下滿足這些要求。汽車信息娛樂系統(tǒng)需要高性能,高可靠性,低成本的非易失性存儲(chǔ)器。
圖1:汽車信息娛樂系統(tǒng)。
工程師面臨的常見設(shè)計(jì)問題包括:
汽車信息娛樂系統(tǒng)必須存儲(chǔ)掉電設(shè)置,狀態(tài)和導(dǎo)航數(shù)據(jù)。
EEPROM的保溫時(shí)間要求每頁(yè)寫入5 ms的有功功率。
保溫時(shí)間需要額外的電容或電池才能在斷電時(shí)執(zhí)行頁(yè)寫操作,從而增加系統(tǒng)成本。
汽車信息娛樂系統(tǒng)超過了EEPROM的100萬次寫入耐久性限制。
需要進(jìn)行磨損均衡以提高EEPROM寫入耐久性以支持20 - 汽車壽命要求。
磨損均衡需要高達(dá)8倍的內(nèi)存容量和額外的軟件,因此增加了系統(tǒng)成本。
汽車制造商需要符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的非易失性存儲(chǔ)器。
賽普拉斯的F-RAM解決了這些問題。 F-RAM不需要保溫時(shí)間,無需額外的電容器或電池即可在斷電時(shí)完成頁(yè)面寫入。它還提供100萬億次寫入周期,無需磨損均衡。賽普拉斯現(xiàn)在提供大量符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器。因此,在快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中,賽普拉斯F-RAM是EEPROM的高性能,高可靠性,低成本替代品。
如上所述,傳統(tǒng)的EEPROM設(shè)計(jì)需要多達(dá)8倍的EEPROM容量,耗損均衡軟件可以提高耐用性,并且需要一個(gè)電容器來保持系統(tǒng)每頁(yè)寫入5 ms的保溫時(shí)間。如圖2所示,通過選擇F-RAM作為非易失性存儲(chǔ)器解決方案來生產(chǎn)高性能,低成本的汽車信息娛樂系統(tǒng),可以簡(jiǎn)化這種復(fù)雜的EEPROM基礎(chǔ)設(shè)計(jì)。首先,設(shè)計(jì)人員應(yīng)從賽普拉斯網(wǎng)站賽普拉斯網(wǎng)站上的F-RAM產(chǎn)品選擇表中選擇一個(gè)F-RAM串行存儲(chǔ)器。他們可以點(diǎn)擊訂單來申請(qǐng)免費(fèi)樣品。用戶還可以觀看演示視頻并在cypress.com上注冊(cè)以獲得對(duì)在線技術(shù)支持的訪問權(quán)。

圖2:復(fù)雜的EEPROM解決方案與F-RAM解決方案的對(duì)比。
圖3中可以看到設(shè)計(jì)帶有F-RAM的汽車信息娛樂系統(tǒng)的示例。在此示例中,F(xiàn)-RAM用于存儲(chǔ)音頻,無線電,藍(lán)牙和氣候控制設(shè)置以及GPS坐標(biāo)和GPS校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。 F-RAM無需使用磨損均衡固件和保溫時(shí)間電容器,從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。它還用單個(gè)EEPROM解決方案取代了多個(gè)EEPROM。串行F-RAM有多種選擇,包括4 kB至2 Mb的密度,以及2 - 5.5 V的電壓。它有兩種不同的接口選項(xiàng),SPI和I 2 C,以及三種不同的包裝類型; SOIC8,DFN8和EIAJ8。它也符合AEC-Q100 1級(jí)和3級(jí)的要求??梢钥闯?,賽普拉斯F-RAM提供簡(jiǎn)單,可靠,快速和高耐用的非易失性存儲(chǔ)器解決方案。

圖3:帶有F-RAM示例的信息娛樂系統(tǒng)。
總之,F(xiàn)-RAM不需要保溫時(shí)間,無需額外的電容器或電池來完成頁(yè)面寫入關(guān)于功率損失。它提供100萬億次寫入周期,無需磨損均衡,并且可以批量存儲(chǔ)在符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)器中。賽普拉斯F-RAM是快速增長(zhǎng)市場(chǎng)中EEPROM的高性能,高可靠性,低成本替代品。
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應(yīng)用于汽車信息娛樂系統(tǒng)的F-RAM解決方案
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