2017年11月28日,360手機(jī)在北京舉辦發(fā)布會(huì),正式發(fā)布了2017年度旗艦新品——360 N6 Pro。
配置方面:360 N6 Pro采用驍龍660處理器,搭配最高6GB的運(yùn)行內(nèi)存及最高128GB機(jī)身存儲(chǔ),電池容量4050mAh,支持QC3.0 18W快速充電,整塊電池充滿只要100分鐘。360 N6 Pro采用后置雙攝像頭設(shè)計(jì),主攝像頭為1600萬(wàn)像素,副攝像頭專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)虛化算法。前置攝像頭為800萬(wàn)像素,采用F2.2光圈。
360 N6 Pro搭載全新360 OS操作系統(tǒng),支持最低3*3或最高7*7的圖表排布方式。由于全面屏的加入,三個(gè)虛擬按鍵的位置變的有些尷尬,360的解決方式是除了可以設(shè)置為隱藏虛擬按鍵外,用戶還可以選擇把3個(gè)虛擬按鍵改成手勢(shì)操作,從三個(gè)按鍵原本的位置向上滑動(dòng)即可喚醒對(duì)應(yīng)操作。新系統(tǒng)中還加入了游戲加速功能,可以在開(kāi)始游戲后主動(dòng)屏蔽通知并對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行清理和加速。




















360N6 Pro拆機(jī)全家福
-
360
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
417瀏覽量
30941
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
深入解析 onsemi NVD360N65S3 MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
深入了解 onsemi NTPF360N80S3Z 800V N 溝道 SUPERFET III MOSFET
深入解析 onsemi NTPF360N65S3H MOSFET:卓越性能與廣泛應(yīng)用
探索 onsemi NTP360N80S3Z 800V N 溝道功率 MOSFET
深入剖析NTD360N65S3H:高性能650V N溝道MOSFET
探索 onsemi NTD360N80S3Z 800V N 溝道功率 MOSFET 的卓越性能
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
FQP6N80C / FQPF6N80C N-Channel QFET? MOSFET的技術(shù)解析與應(yīng)用指南
深入解析FCPF360N65S3R0L-F154 MOSFET:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)考量
onsemi FCP360N65S3R0 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
onsemi FCMT360N65S3 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
探索 onsemi FCD360N65S3R0 MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
圖解單片機(jī)功能與應(yīng)用(完整版)
ADuM360N/ADuM362N 3.0 kV rms 6 通道數(shù)字隔離器技術(shù)手冊(cè)
360N6Pro拆機(jī)圖解
評(píng)論