總結(jié)結(jié)論
總結(jié)
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芯源功率器件SJ -MOSFET產(chǎn)品的優(yōu)勢
晶圓工藝: 采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻：特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MO S內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
發(fā)表于 12-29 07:54
功率器件SJ-MOSFET產(chǎn)品的優(yōu)勢及應(yīng)用
晶圓工藝:
采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝 ，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻:
特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
發(fā)表于 12-02 08:02
芯源SJ-MOSFET產(chǎn)品的優(yōu)勢
晶圓工藝:采用2.5代深槽（ Deep-Trench ）超結(jié)工藝 ，更少的光罩層數(shù)，生產(chǎn)周期更短，更具成本優(yōu)勢
低內(nèi)阻:特殊的超結(jié)結(jié)構(gòu)讓高壓超結(jié)MOS內(nèi)阻在同樣面積情況下降低到VDMOS的1
發(fā)表于 11-28 07:35
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發(fā)表于 06-25 15:34
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