MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)產(chǎn)生振蕩的原因及如何解決
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MOSFET柵極閾值電壓Vth
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發(fā)表于 12-16 06:02
為什么MOSFET柵極前面要加一個(gè)100Ω電阻
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發(fā)表于 12-02 06:00
功率MOSFET管的應(yīng)用問(wèn)題分析
時(shí)間變長(zhǎng)，損耗增大。柵極與漏極之間加電容，可以減小CGD隨電壓改變非線性突變產(chǎn)生的振蕩。選用開(kāi)關(guān)速度較慢的功率MOSFET管，增大柵極外部
發(fā)表于 11-19 06:35
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發(fā)表于 05-06 17:13
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