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BJ-EPM240學(xué)習(xí)板之SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

工程師 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:姚遠(yuǎn)香 ? 2019-03-06 15:35 ? 次閱讀
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靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下,動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而,當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí),SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失(被稱為volatile memory),這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。

SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點(diǎn),即它的集成度較低,功耗較DRAM大 [1] ,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。

一種是置于cpu與主存間的高速緩存,它有兩種規(guī)格:一種是固定在主板上的高速緩存(Cache Memory);另一種是插在卡槽上的COAST(Cache On A Stick)擴(kuò)充用的高速緩存,另外在CMOS芯片1468l8的電路里,它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM,存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送,自80486CPU起,在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存,故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache(一級(jí)高速緩存)和L2Cache(二級(jí)高速緩存)的名詞,一般L1 Cache是建在CPU的內(nèi)部,L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部,但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部,故Pentium Pro的體積較大。Pentium Ⅱ又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM顯然速度快,不需要刷新操作,但是也有另外的缺點(diǎn),就是價(jià)格高,體積大,所以在主板上還不能作為用量較大的主存。

SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。

SRAM芯片時(shí)字操作大同小異,在這里總結(jié)一一些它們共性的東西,也提一些用Verilog簡(jiǎn)單的快速操作SRAM的技巧。

這里就以本實(shí)驗(yàn)使用的IS62LV256-70U為例進(jìn)行說明。其管腳定義如表所示。

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板之SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

具體在硬件連接的時(shí)候,其實(shí)很多人喜歡直接把輸出使能信號(hào)0En和片選信號(hào)CEn接地,這樣一-來(lái)不僅節(jié)省了處理器和SRAM連接的管腳數(shù),而且在讀寫SRAM的時(shí)候其實(shí)只要對(duì)寫使能信號(hào)WEn操作就可以了,簡(jiǎn)化了代碼部分。本設(shè)計(jì)的硬件原理圖如圖所示。

BJ-EPM240學(xué)習(xí)板之SRAM讀寫實(shí)驗(yàn)

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