如何通過PMBus改變Arm Cortex μP內(nèi)核電壓實(shí)現(xiàn)效率最大化
ADI Guneet Chadha演示如何通過PMBus改變Arm Cortex μP內(nèi)核電壓，實(shí)現(xiàn)效率最大化當(dāng)最終硅芯電壓從最初預(yù)期值改變時(shí)，此信息很有用
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? 波長(zhǎng) 780nm
? 直徑 500μm
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?基模高斯光束，
?波長(zhǎng) 780nm
?直徑 500μm
應(yīng)用場(chǎng)景：任務(wù)
找到使光纖耦合效率最大化的最佳工作距離 d。
通過焦點(diǎn)
發(fā)表于 06-03 08:44
借助DFT技術(shù)實(shí)現(xiàn)競(jìng)爭(zhēng)力最大化
通過改進(jìn)和優(yōu)化設(shè)計(jì)與制造的各個(gè)方面，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)能夠實(shí)現(xiàn) IC 能力的巨大進(jìn)步。可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT)——涵蓋從在 RTL 中插入測(cè)試邏輯，到對(duì)現(xiàn)場(chǎng)退回產(chǎn)品進(jìn)行失效分析等全流程，是半導(dǎo)體企業(yè)獲得
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