另外，揚(yáng)杰科技自主設(shè)計(jì)研發(fā)的8英寸超高密度溝槽功率MOSFET產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并形成大批量銷售；新增6寸高壓MOSFET產(chǎn)品線，成功研制IGBT芯片并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

值得注意的是，在上述5家公司中，研發(fā)投入金額最高的為華微電子，2018年研發(fā)費(fèi)用達(dá)1億元，其次為揚(yáng)杰科技以及蘇州固锝。

且上述5家公司研發(fā)支出均費(fèi)用化處理，這雖然短期內(nèi)造成公司凈利潤不太好看，但長期而言對公司發(fā)展有利。

2018年，華微電子全力推進(jìn) IGBT、SCR、Trench MOS、超結(jié)MOS和Trench SBD等五項(xiàng)產(chǎn)品系列平臺建設(shè)，產(chǎn)品性能水平持續(xù)提升。

2019年4月1日，深耕MOS領(lǐng)域的華微電子發(fā)布公告稱，擬募集資金總額不超過10億元，全部用于新型電力電子器件基地項(xiàng)目的建設(shè)。

本期項(xiàng)目建成后，華微電子將具有加工8英寸芯片24萬片/年的加工能力，募投項(xiàng)目投產(chǎn)后，公司將實(shí)現(xiàn)IGBT、MOSFET等產(chǎn)品的規(guī)模化生產(chǎn)。

顯然，國內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商正在向功率半導(dǎo)體器件中高端領(lǐng)域不斷拓展，其中以華微電子和揚(yáng)杰科技進(jìn)展最為迅速，已逐漸導(dǎo)入IGBT市場。

一季度延續(xù)市場下行趨勢，業(yè)績慘淡

五家功率半導(dǎo)體廠商2019年一季報(bào)

蘇州固锝、揚(yáng)杰科技、華微電子、捷捷微電、臺基股份等五家功率半導(dǎo)體廠商在去年業(yè)績增長的背景下，今年的市場表現(xiàn)卻不盡如意。

由上表可知，2019年第一季度功率半導(dǎo)體市場延續(xù)了2018年下半年以來的下行趨勢，5家功率半導(dǎo)體上市公司皆出現(xiàn)業(yè)績增長乏力甚至下降。

唯一出現(xiàn)業(yè)績大幅增長的蘇州固锝除了主營業(yè)務(wù)好于預(yù)期外，還因?yàn)閰R率波動產(chǎn)生的匯兌收益增加。

事實(shí)上，從2016年下半年開始，功率半導(dǎo)體器件行情回暖，市場需求持續(xù)旺盛，上述5家企業(yè)近幾年來業(yè)績得到大幅提升。

據(jù)統(tǒng)計(jì)結(jié)果顯示，2015年中國功率器件市場銷售額占全球總規(guī)模的39%，已成為全球最大的功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用市場。

而中國半導(dǎo)體協(xié)會資料顯示，2017年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為2170億元，同比增長3.93%；2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模為2264億元，同比增長率為4.3%。

而從功率半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn)來看，國產(chǎn)替代的需求占比將不斷提升。

一方面，從現(xiàn)狀來看，功率半導(dǎo)體由于產(chǎn)品迭代速度相對較慢，對制程、晶圓線和投資規(guī)模的要求相對較低，以及全球華人功率半導(dǎo)體人才較為豐富等原因，在短期內(nèi)實(shí)現(xiàn)工藝技術(shù)的突破，實(shí)現(xiàn)國際一流的產(chǎn)品性能的可能性相對更高。

另一方面則因?yàn)閲鴥?nèi)功率半導(dǎo)體的下游客戶市場主要為國產(chǎn)廠商，而面對國內(nèi)的下游廠商，國內(nèi)的半導(dǎo)體功率企業(yè)在和國外的企業(yè)競爭時往往具備成本與定制化的優(yōu)勢。

在這些因素共同作用下，國內(nèi)多家功率半導(dǎo)體廠商實(shí)現(xiàn)了快速的發(fā)展。不過，由于受中美貿(mào)易摩擦影響，市場需求放緩已然不可避免，部分出口功率半導(dǎo)體產(chǎn)品被加征關(guān)稅，廠商的利潤空間被進(jìn)一步壓縮。

在消費(fèi)電子需求疲軟的同時，5G以及新能源汽車成為了驅(qū)動功率半導(dǎo)體市場需求的新動能。但汽車電子下游需求不達(dá)預(yù)期，整個半導(dǎo)體市場景氣度下滑，2019年功率半導(dǎo)體廠商面臨著更為嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。