國(guó)內(nèi)首家 NAND Flash 大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)的新一代 64 層 3D NAND 芯片即將在 8 月投產(chǎn)，這個(gè)時(shí)間點(diǎn)加入全球存儲(chǔ)競(jìng)賽堪稱是“最混亂的時(shí)代”，但也可視為是“最佳入局的時(shí)間點(diǎn)”，因?yàn)?NAND Flash 價(jià)格從緩跌到重挫，逼得三星電子（Samsung Electronics）放出不再降價(jià)的信息，更讓美光（Micron）祭出多年罕見(jiàn)的減產(chǎn)策略，未來(lái)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的猛烈追趕，將帶給全球存儲(chǔ)世界什么樣的震撼？長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā) 32 層 3D NAND 芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在 2019 年 8 月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的 64 層 3D NAND 芯片，等于宣告加入全球 NAND Flash 戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入 90 層 3D NAND 芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。32 層 3D NAND 芯片的研發(fā)成功對(duì)于長(zhǎng)江存儲(chǔ)而言，只是練兵意義，真正要上戰(zhàn)場(chǎng)打仗的技術(shù)，絕對(duì)是 2019 年即將亮相的 64 層 3D NAND 芯片，目前的良率進(jìn)度如期，預(yù)計(jì) 8 月可進(jìn)入生產(chǎn)。

力求技術(shù)“無(wú)時(shí)差”，國(guó)際技術(shù)水平最近的一次

相較 NAND Flash 大廠今年進(jìn)入 90 層 3D NAND 芯片技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)目前的技術(shù)約落后國(guó)際大廠 1.5 ~ 2 個(gè)世代，但 2020 年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃彎道超車，追平國(guó)際大廠。根據(jù)目前規(guī)劃，2020 年三星、SK海力士等大廠將進(jìn)入 128 層技術(shù)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也計(jì)劃從 64 層技術(shù)，直接跳到 128 層 3D NAND 技術(shù)，力拼與國(guó)際大廠技術(shù)“無(wú)時(shí)差” 。業(yè)界人士認(rèn)為，從 64 層技術(shù)直接跳到 128 層的 3D NAND 技術(shù)難度十分高，但這確實(shí)會(huì)是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體與國(guó)際水平差距最近的一次，是否能成功跨越重重難關(guān)，這一役十分關(guān)鍵。值得注意的是，根據(jù)原本規(guī)劃，長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)后的 3D NAND 芯片是要給紫光存儲(chǔ)來(lái)負(fù)責(zé)銷售，但傳出該策略有變，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意自產(chǎn)自銷 3D NAND 芯片。業(yè)界認(rèn)為，只要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 64 層 3D NAND 芯片良率夠好，不擔(dān)心客戶問(wèn)題，尤其是國(guó)內(nèi)系統(tǒng)層級(jí)的客戶，對(duì)于采用國(guó)產(chǎn)芯片的態(tài)度都是躍躍欲試，況且，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不單是在國(guó)內(nèi)銷售，未來(lái)的目標(biāo)是要將芯片推向國(guó)際，這點(diǎn)也是該公司在建立技術(shù)體系之初，就非常在意專利和知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題的原因。

不過(guò)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)大舉進(jìn)入 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)，這個(gè)“入局”的時(shí)間點(diǎn)是很微妙的，但或許“最混亂的時(shí)代”，也會(huì)是“最好的時(shí)間點(diǎn)”。2019 年第一季 NAND Flash 價(jià)格幾近“崩盤(pán)”，合約價(jià)跌幅甚至高達(dá) 20% ，當(dāng)前價(jià)格已經(jīng)逼近上游大廠的現(xiàn)金成本，這樣的局勢(shì)是多年罕見(jiàn)，同時(shí)也逼得三星對(duì)下游模組廠放出不再降價(jià)的信息，進(jìn)而帶動(dòng)第二季度 NAND Flash 價(jià)格稍稍穩(wěn)定。更早之前，美光更是干脆宣布減產(chǎn)來(lái)力圖“止血”。 2018 年開(kāi)始， NAND Flash 價(jià)格率先松動(dòng)，接著 DRAM 價(jià)格也挺不住，美光在 2019 年 3 月開(kāi)第一槍，宣布減產(chǎn) 5% ，涵蓋 NAND Flash 和 DRAM 兩項(xiàng)存儲(chǔ)芯片，這是意識(shí)到跌價(jià)惡化的速度遠(yuǎn)超過(guò)市場(chǎng)預(yù)期。再者，西部數(shù)據(jù)也調(diào)整四日市工廠產(chǎn)能，并且延后 Fab 6 新廠的投產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)晶圓出貨將減少 10% ~ 15 %，也等于是變相減產(chǎn)，都是反映市場(chǎng)庫(kù)存水位過(guò)高的壓力。

成敗都是數(shù)據(jù)中心，產(chǎn)業(yè)進(jìn)入整理期

存儲(chǔ)供應(yīng)商認(rèn)為， 2019 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十分艱辛，存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能過(guò)剩，手機(jī)需求不濟(jì)，更重要的是，上一波帶動(dòng) NAND Flash 再創(chuàng)高峰的應(yīng)用是數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器存儲(chǔ)芯片，從 2018 年下半年起，也進(jìn)入冷靜期。由于數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)量大幅提升，傳統(tǒng)的存儲(chǔ)技術(shù)出現(xiàn)瓶頸，暴露很多性能、處理時(shí)間過(guò)長(zhǎng)的問(wèn)題，隨著 NAND Flash 成本降低，與傳統(tǒng)硬盤(pán)的成本拉近，很多數(shù)據(jù)中心在處理不常用的冷數(shù)據(jù) cold data 方面，會(huì)陸續(xù)以 NAND Flash 組成的 SSD 來(lái)取代傳統(tǒng)硬盤(pán)。這樣的趨勢(shì)已經(jīng)延續(xù)1~2年，但從2018年下半起，許多來(lái)自數(shù)據(jù)中心客戶的需求大踩剎車，包括英特爾和Nvidia也都表示來(lái)自數(shù)據(jù)中心的需求將降溫，企業(yè)和云端業(yè)者的采購(gòu)模式都大幅走緩，短期的策略會(huì)以消化庫(kù)存為主，這一槍成為NAND Flash價(jià)格崩跌關(guān)鍵殺手。供應(yīng)商則表示，預(yù)計(jì)下半年北美客戶的數(shù)據(jù)中心需求會(huì)率先回暖，加上存儲(chǔ)大廠不愿流血降價(jià)的態(tài)度明確，第二季度起， NAND Flash 價(jià)格開(kāi)始止跌，至于何時(shí)大幅回升？還要看變化莫測(cè)的經(jīng)濟(jì)景氣而定。雖然存儲(chǔ)大廠都信誓旦旦認(rèn)為，下半年市場(chǎng)仍是有一波傳統(tǒng)旺季，只是力道強(qiáng)弱還待觀察，但還有一個(gè)隱憂，就是新技術(shù)的量產(chǎn)將導(dǎo)致供給端產(chǎn)能增加，其中包括三星、 SK 海力士的 96 層芯片，以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 64 層芯片量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 64 層 3D NAND 芯片下半年要進(jìn)入量產(chǎn)，業(yè)界認(rèn)為新技術(shù)在量產(chǎn)初期，總會(huì)有一些良率較低的產(chǎn)品在市場(chǎng)流竄，這部分的貨源可能會(huì)干擾一些中、低價(jià)格的 3D NAND 芯片市場(chǎng)，但這是每一個(gè)新技術(shù)量產(chǎn)之初的必經(jīng)之痛。

另外，下半年也是國(guó)際存儲(chǔ)大廠 90 層 3D NAND 芯片的放量期，供給增加的時(shí)間點(diǎn)遇上傳統(tǒng)旺季，考驗(yàn)旺季力道的強(qiáng)弱。三星 2019 年的產(chǎn)能是以 3D NAND 為主， 2D NAND 產(chǎn)能則將依需求下修而縮減。同時(shí)，堆疊數(shù)高達(dá) 90 層的第 5 代 V-NAND 技術(shù)已將近成熟，預(yù)計(jì)會(huì)逐漸導(dǎo)入量產(chǎn)。另一家韓系大廠 SK 海力士也將進(jìn)入 96 層新架構(gòu)的 3D NAND 芯片，今年將處于目前主流 72 層 3D NAND 和新一代 96 層芯片的技術(shù)轉(zhuǎn)換期。再者，美光也進(jìn)入 96 層 3D NAND 為芯片量產(chǎn)期。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce統(tǒng)計(jì)，2018年第四季全球NAND Flash前五強(qiáng)與市場(chǎng)份額分別為三星電子30.4%、東芝19.3%、美光15.4%、西數(shù)數(shù)據(jù)15.3%、SK海力士11.2%。2018年全球NAND Flash全年?duì)I收約632億美元水準(zhǔn)，較2017年成長(zhǎng)10.9%，2018年受惠2D NAND技術(shù)轉(zhuǎn) 3D NAND技術(shù)順暢，全年位元出貨量較2017年成長(zhǎng)逾40%。以產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)期趨勢(shì)來(lái)看，技術(shù)的演進(jìn)絕對(duì)具有正面挹注，因?yàn)槲ㄓ泄に嚰夹g(shù)不斷地往前推進(jìn)，降低每單位的生產(chǎn)成本，才會(huì)刺激更多終端應(yīng)用出來(lái)，未來(lái)還有5G世代的來(lái)臨，新一波數(shù)據(jù)中心需求起飛，NAND Flash應(yīng)用前景相當(dāng)廣泛。只是，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)多年來(lái)已習(xí)慣國(guó)際六強(qiáng)林立，分別為三星、東芝、美光、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、英特爾，身為國(guó)內(nèi)第一家量產(chǎn)的存儲(chǔ)大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)在練兵多年后，即將在下半年以新技術(shù)64層3D NAND殺入市場(chǎng)，初期將在中、低階市掀起波瀾，再慢慢揮軍國(guó)際，這會(huì)是第一次有中國(guó)存儲(chǔ)芯片可以在國(guó)際露臉，后續(xù)引發(fā)的震撼效應(yīng)不容小覷。