場效應管與晶體管的區(qū)別

1、場效應管中，導電過程是多數(shù)載流子的漂移運動，故稱為單極型晶體管；雙極型晶體管中既有多子的擴散運動又有少子的漂移運動。

2、場效應管是通過柵極電壓uGS來控制漏極電流iD，稱為電壓控制器件；雙極型晶體管是利用基極電流iB（或射極電流iE）來控制集電極電流iC，稱為電流控制器件。

3、場效應管的輸入電阻很大；晶體管的輸入電阻較小。

4、場效應管的跨導gm的值較小，雙極型晶體管的β值很大。在同等條件下，場效應管的放大能力不如晶體管高。

5、結型場效應管的漏極和源極可以互換使用，MOS管如果襯底沒有和源極接在一起，也可將d、s極互換使用；雙級型晶體管的c和e極互換則稱為倒置工作狀態(tài)，此時β將變得非常小。

6、場效應管可作為壓控電阻使用。

7、場效應管是依靠多子導電，因此具有較好的溫度穩(wěn)定性、抗輻射性和較低的噪聲。場效應管還有一些缺點：如功率小，速度慢等。但由于它工藝簡單，易于集成，故廣泛應用于集成電路。