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美中貿(mào)易磨擦未止歇,半導(dǎo)體硅晶圓復(fù)蘇趨緩?

uwzt_icxinwensh ? 來(lái)源:YXQ ? 2019-05-21 09:09 ? 次閱讀
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美中貿(mào)易磨擦未止歇,雙方甚至擴(kuò)大提高關(guān)稅項(xiàng)目,為全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇添變數(shù),也打亂被動(dòng)元件、面板、記憶體和半導(dǎo)體硅晶圓等四電子關(guān)鍵元件市況。

目前除了記憶體中的NAND芯片和大尺寸面板價(jià)格跌勢(shì)止穩(wěn),被動(dòng)元件、DRAM、硅晶圓,以及中小尺寸面板本季報(bào)價(jià)續(xù)跌,下季難逃持續(xù)修正命運(yùn),惟跌幅可望稍微收斂,這些關(guān)鍵元件報(bào)價(jià)何時(shí)止跌回溫,不僅反映電子業(yè)景氣走勢(shì),也牽動(dòng)國(guó)巨、群創(chuàng)、友達(dá)、南亞科、合晶、臺(tái)勝科等臺(tái)廠營(yíng)運(yùn)。

美中貿(mào)易談判未能如期達(dá)成協(xié)議,美國(guó)總統(tǒng)川普為逼迫中國(guó)讓步,已決定將中國(guó)大陸輸美高達(dá)2,000億美元商品稅率全數(shù)升至25%,甚至頒布行政命令,將華為及旗下70多家關(guān)系企業(yè)列入出口管制黑名單。

美方出重拳,多數(shù)科技廠認(rèn)為,美中談判期恐拉長(zhǎng),且在升高課稅范圍層面由科技擴(kuò)及民生消費(fèi)、機(jī)械設(shè)備和相關(guān)汽車零組件等產(chǎn)品,將削弱全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng),并使全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇時(shí)間再拉長(zhǎng)。

據(jù)調(diào)查,近期各大廠加速分散產(chǎn)能過(guò)度集中中國(guó)大陸,往東南亞移動(dòng)或回流***。在整個(gè)供應(yīng)鏈的移動(dòng)潮中,科技業(yè)因最早被課高關(guān)稅,反應(yīng)也最快,因此包括DRAM、NAND芯片等電子關(guān)鍵零組件,本季備貨需求已涌現(xiàn)。

其中,NAND芯片價(jià)格更在龍頭廠三星出手穩(wěn)價(jià)下,跌幅收斂;DRAM買氣也明顯增溫,尤其首季急凍的伺服器DRAM,北美資料中心用戶需求已回升,但因三星、SK海力士和美光等三大指標(biāo)廠庫(kù)存仍高,加上美中貿(mào)易戰(zhàn)持續(xù)混沌,使得本季合約價(jià)持續(xù)走跌。

硅晶圓部分,采半年或一季議約的廠商,受到美中貿(mào)易戰(zhàn)干擾,降價(jià)壓力大增。但采一年長(zhǎng)約的環(huán)球晶,因長(zhǎng)約占比高,目前仍無(wú)降價(jià)打算。去年漲翻天的被動(dòng)元件,也被美中貿(mào)易戰(zhàn)影響,導(dǎo)致價(jià)格急跌、買盤縮手,市況轉(zhuǎn)弱。盡管部分廠商訂單可望受惠于非蘋新機(jī)備貨而回溫,但大環(huán)境仍彌漫保守氛圍,預(yù)期整體被動(dòng)元件報(bào)價(jià)也將持續(xù)修正。

至于面板供需,面板雙虎友達(dá)和群創(chuàng)也保守看待上半年。不過(guò)因偏光片供貨吃緊,業(yè)者認(rèn)為本季大尺寸電視用面板價(jià)格可望持穩(wěn);下半年走勢(shì),仍須密切注意美中貿(mào)易戰(zhàn)談判進(jìn)展。

客戶謹(jǐn)慎抓庫(kù)存,被動(dòng)元件廠訂單能見(jiàn)度縮短恐成常態(tài)

被動(dòng)元件業(yè)者認(rèn)為,認(rèn)為第2 季后庫(kù)存可望去化告一段落,第3 季進(jìn)入旺季,需求可望回穩(wěn),不過(guò)由于下游備貨較為保守,今年訂單能見(jiàn)度恐無(wú)法重現(xiàn)去年水準(zhǔn),依舊將壓抑價(jià)格表現(xiàn)。

被動(dòng)元件受到終端需求轉(zhuǎn)弱,以及淡季影響,經(jīng)銷商以及下游客戶滿手庫(kù)存,導(dǎo)致拉貨動(dòng)能放緩,不過(guò)經(jīng)歷半年左右時(shí)間去化后,業(yè)者指出,依照排程拉貨的訂單較少,但陸續(xù)有急單出現(xiàn),預(yù)計(jì)第2 季過(guò)后,整體庫(kù)存去化可望告一段落。

不過(guò),經(jīng)歷去年被動(dòng)元件需求迅速翻轉(zhuǎn)后,無(wú)論是經(jīng)銷商,抑或是EMS 廠,備貨狀況也較嚴(yán)謹(jǐn),被動(dòng)元件業(yè)者今年訂單能見(jiàn)度恐將不如去年。

至于價(jià)格,業(yè)者雖看好目前跌幅放緩,底部逐漸成形,下半年可望隨需求出現(xiàn)反彈,但在訂單能見(jiàn)度不佳成常態(tài)下,能否回到去年水準(zhǔn),值得觀察。

據(jù)了解,今年第1 季MLCC、芯片電阻價(jià)格較去年第4 季下跌25~30%,芯片電阻價(jià)格回到去年起漲點(diǎn),不過(guò)MLCC 跟去年同期還是有2-3 倍的價(jià)差,法人預(yù)估,被動(dòng)元件價(jià)格第2 季將再跌10%,目前對(duì)整體產(chǎn)業(yè)看法依舊保守。

需求不給力,面板廠Q2難甩虧損陰影

根據(jù)群智咨詢(Sigmaintell)數(shù)據(jù)顯示,第二季面板產(chǎn)能面積季增6.4%,但是整體需求疲弱,面板采購(gòu)衰退6.8%,市場(chǎng)仍嚴(yán)重供過(guò)于求。電視面板在3、4月小幅反彈之后,5月份價(jià)格凍漲,預(yù)期6月份中小尺寸電視面板持平或小跌,50吋以上價(jià)格則是續(xù)跌,面板廠第二季虧損壓力仍大。

2019年第二季面板廠產(chǎn)能面積季增6.4%,年成長(zhǎng)率高達(dá)15.1%。產(chǎn)能增長(zhǎng)主要來(lái)自大陸面板廠京東方合肥的10.5代線滿產(chǎn)稼動(dòng),華星光電11代線和惠科滁州8.6代線開(kāi)始量產(chǎn)爬坡,帶動(dòng)產(chǎn)能供應(yīng)面積持續(xù)增長(zhǎng)。

大陸面板廠8.5代線減少32吋生產(chǎn),增加43吋面板供應(yīng),同時(shí)10.5代線產(chǎn)能的釋放,帶動(dòng)65吋和75吋面板供應(yīng)大幅增加。***面板廠在6代線增加40吋~50吋的產(chǎn)能供應(yīng),韓國(guó)面板廠持續(xù)增加大尺寸生產(chǎn),整體產(chǎn)能供過(guò)于求。

從需求面來(lái)看,超量備貨導(dǎo)致品牌廠第一季末庫(kù)存堆高。根據(jù)群智咨詢統(tǒng)計(jì),第二季全球主要品牌為了控制庫(kù)存,采購(gòu)需求疲弱,單季不增反減、衰退6.8%。

從尺寸別看,除了39吋~43吋需求相對(duì)穩(wěn)定之外,其他尺寸面板需求相比前一季都減少,特別是55吋以上大尺寸面板需求疲弱,第一季末中小尺寸電視面板價(jià)格受成本支撐止跌回暖,但第二季持續(xù)供過(guò)于求,價(jià)格上漲的動(dòng)力不足。

32吋面板價(jià)格在3月和4月小幅觸底反彈之后,5月凍漲。39.5吋~43吋面板的需求較強(qiáng),但面板供應(yīng)產(chǎn)能持續(xù)增長(zhǎng),逐步緩解供需緊張的局面,4月、5月漲幅收斂,預(yù)計(jì)6月價(jià)格持平。49吋、50吋面板需求增長(zhǎng)的同時(shí),整體有效供應(yīng)也增加,價(jià)格繼續(xù)持平。

大尺寸電視面板方面,55吋面板需求疲軟,供需過(guò)剩,預(yù)計(jì)面板均價(jià)維持下降,但受面板成本的支撐,下降空間有限。65吋、75吋面板因?yàn)楫a(chǎn)能持續(xù)放量,嚴(yán)重供過(guò)于求,價(jià)格繼續(xù)下跌。

第一季面板廠整體獲利狀況隨著價(jià)格的下跌而惡化,除了京東方和華星光電之外,其他面板廠均虧損。第二季面板廠仍面臨產(chǎn)能擴(kuò)張和價(jià)格在低檔的困境。短期內(nèi)面板廠如果要改善獲利,除了成本控制之外,階段性的控制面板產(chǎn)能至關(guān)重要。

外資:對(duì)記憶體股持謹(jǐn)慎中立態(tài)度

日前,雖然有記憶體控制IC 大廠表示,在NAND Flash 方面,因?yàn)辇堫^三星宣布將不再降價(jià)的情況,2019 年第2 季的NAND Flash 市場(chǎng)價(jià)格已經(jīng)下跌收斂。對(duì)此,外資瑞信證券在最新的研究報(bào)告中指出,2019 年第2 季的NAND Flash 價(jià)格仍要比之前預(yù)估的下降要更多一些,也就是從原本預(yù)估的下跌17%,提升到目前預(yù)計(jì)下跌18%。至于在DRAM 的部分,同樣也較調(diào)升下跌幅度,由原本的13%,提升到目前的15%。

瑞信指出,會(huì)調(diào)高2019 年第2 季記憶體的跌價(jià)幅度,原因在于根據(jù)DRAMeX 的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),PC DRAM 合約價(jià)格4 月較3 月份下跌12%,這表示著之前預(yù)估從持平到下跌23 % 的比率,目前還有跌下的空間。而且,從最高到谷底,預(yù)計(jì)DRAM 合約價(jià)將要跌價(jià)56% 的情況下,這樣的跌價(jià)幅度是會(huì)比較合乎正常的市場(chǎng)行情。另外,在NAND Flash 部分,因?yàn)槭袌?chǎng)價(jià)格還沒(méi)到SK 海力士的現(xiàn)金成本價(jià),所以預(yù)估還會(huì)有所跌價(jià)。

除了目前的市場(chǎng)價(jià)格狀況之外,瑞信也說(shuō)明了目前的市場(chǎng)供應(yīng)狀況。其中,在NAND Flash 的部分,包含WD、TMC 及Micron 等廠商都在持續(xù)的減產(chǎn)當(dāng)中,而減產(chǎn)的幅度,報(bào)告中形容是距離滿載要2 到2.5 個(gè)月的時(shí)間,可見(jiàn)減產(chǎn)的情況并不少。不過(guò),相較之下,南韓SK 海力士之前宣布,2019 年將針對(duì)NAND Flash 的部分減產(chǎn)10% 的數(shù)量,這是制程從2D 轉(zhuǎn)3D 所減少的一個(gè)晶圓數(shù)量,而實(shí)際的位元數(shù)量減少,則要到2020 年才會(huì)開(kāi)始。

另外,三星之前也指出,晶圓廠的優(yōu)化將導(dǎo)致一些晶圓產(chǎn)能的損失。不過(guò),這部分瑞信認(rèn)為對(duì)DRAM 相當(dāng)有限,但是對(duì)NAND Flash 來(lái)說(shuō)就會(huì)相當(dāng)明顯。原因在于晶圓廠的優(yōu)化,還要加上2D到3D 制程轉(zhuǎn)換的損失,其次是2019 年第4 季才會(huì)開(kāi)始在西安第二期工廠開(kāi)始建立生產(chǎn)設(shè)備,使得損失的NAND Flash 位元數(shù)還沒(méi)辦法補(bǔ)齊,再加上三星針對(duì)PC 記憶體準(zhǔn)備一些產(chǎn)能的情況下,NAND Flash 的供應(yīng)量也會(huì)較為減少。

基于以上的市場(chǎng)原因,瑞信繼續(xù)估計(jì)DRAM 和NAND Flash 價(jià)格仍將繼續(xù)走跌,直到2020 年年中為止。而對(duì)記憶體股雖然持中立態(tài)度,但是在2019 年第1 季迄今為止,記憶體股平均上漲30% 后,仍對(duì)近期的調(diào)整持謹(jǐn)慎態(tài)度。

半導(dǎo)體硅晶圓復(fù)蘇趨緩?

中美摩擦進(jìn)一步擴(kuò)大,對(duì)半導(dǎo)體硅晶圓產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),由于是材料產(chǎn)業(yè),下游的電子應(yīng)用范圍廣,貿(mào)易戰(zhàn)強(qiáng)度加大加深,影響層面層層向上反應(yīng),再加上目前正值下半年硅晶圓現(xiàn)貨價(jià)格談判期,貿(mào)易戰(zhàn)加劇將使談判壓力增大,客戶更加保守觀望,產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇時(shí)間點(diǎn)恐怕將更延后。

原本硅晶圓廠認(rèn)為,第二季將是產(chǎn)業(yè)觸底的一季,庫(kù)存消化已一段時(shí)間,營(yíng)收第二季見(jiàn)谷底,原預(yù)期第二季止穩(wěn)后,第三季會(huì)復(fù)蘇,但目前貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)線再擴(kuò)大,復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn)恐怕延后,客戶也由原先預(yù)期第三季復(fù)蘇,拉長(zhǎng)預(yù)期點(diǎn)到「下半年」復(fù)蘇。

由于目前正值下半年的硅晶圓現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格談判期,原本業(yè)者認(rèn)為,第三季大概在景氣需求復(fù)蘇下,價(jià)格可維持持平到小滑的水準(zhǔn),但在川普開(kāi)啟新一波的貿(mào)易戰(zhàn)后,客戶觀望心態(tài)更重,在目前的局勢(shì)下,對(duì)下半年的價(jià)格談判更不利,目前下半年價(jià)格看漲已機(jī)會(huì)不大,只能看跌幅可否進(jìn)一步控制。

而在個(gè)別產(chǎn)品線,8 吋硅晶圓由于應(yīng)用范圍較廣,包括電源管理相關(guān)產(chǎn)品,需求相對(duì)有所支撐,而12 吋產(chǎn)品應(yīng)用包括記憶體市場(chǎng),則面對(duì)記憶體今年全年市況疲弱以及廠商減產(chǎn),相對(duì)較為辛苦。

現(xiàn)貨市場(chǎng)的部分,第二季客戶與供應(yīng)商之間,反而不是價(jià)格的問(wèn)題,而是客戶都有需求但存貨很高,客戶都想優(yōu)先清庫(kù)存,所以供應(yīng)商即便再將價(jià)格降3-5 %,客戶也不愿意多拿訂單,對(duì)價(jià)格敏感度低。

以第二季的現(xiàn)貨價(jià)來(lái)說(shuō),市場(chǎng)很鈍,因?yàn)樵俳祪r(jià)也無(wú)法刺激需求,故硅晶圓供應(yīng)商也沒(méi)有低價(jià)搶單,若下半年庫(kù)存降需求升,客戶就會(huì)再回來(lái)多買,屆時(shí)才會(huì)比較有價(jià)格敏感度。

目前相對(duì)于合約價(jià),因市況不佳,現(xiàn)貨價(jià)格先砍,致現(xiàn)貨價(jià)格比合約價(jià)略低,若當(dāng)景氣回升,客戶可以先去買價(jià)格較低的現(xiàn)貨產(chǎn)品,但若手上有長(zhǎng)約的客戶,因已先付預(yù)付款,若不執(zhí)行拉貨預(yù)付款,預(yù)付款則有可能會(huì)被沒(méi)收,故客戶也會(huì)考慮優(yōu)先執(zhí)行長(zhǎng)約的部分。

至于個(gè)別廠商的看法,環(huán)球晶因在8 / 12 吋產(chǎn)品合約覆蓋率達(dá)8-9 成,公司認(rèn)為,不管貿(mào)易戰(zhàn)的發(fā)展如何,環(huán)球晶受影響估是最小,其一因環(huán)球晶在全球十個(gè)國(guó)家擁有生產(chǎn)基地,最具有生產(chǎn)彈性,而且在貿(mào)易戰(zhàn)開(kāi)打之初,環(huán)球晶就進(jìn)行過(guò)生產(chǎn)調(diào)配,其二是環(huán)球晶擁有200 多億的客戶預(yù)付貨款,若總體經(jīng)受到?jīng)_擊影響終端市場(chǎng)的購(gòu)買力,客戶仍會(huì)優(yōu)先執(zhí)行合約。

但另一方面,環(huán)球晶也在合約執(zhí)行內(nèi)保持給客戶比較多的彈性,譬如若客戶替換合約的產(chǎn)品內(nèi)容,本來(lái)需要A 類硅晶圓更換到B 類,環(huán)球晶在可協(xié)助的范圍內(nèi)則給客戶方便;另外,也保有在一季內(nèi)交貨的彈性,客戶可以選擇在一季之內(nèi)視其需求拿貨量可有上下高低的選擇,而不需要要求每個(gè)月平均拿貨。

而以全球半導(dǎo)體景氣需求來(lái)看,在經(jīng)過(guò)2017-2018 年雙位數(shù)的高度成長(zhǎng)后,今年則回到消化庫(kù)存以及休息的一年,據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查,2019 年全球半導(dǎo)體營(yíng)收估會(huì)年衰退3%,而2020 年到2021 年再回到個(gè)位數(shù)的年成長(zhǎng)表現(xiàn)。

至于在硅晶圓價(jià)格走勢(shì),從圖中可以看出,整體硅晶圓價(jià)格自2016 年觸底后,2017-2018 年則是向上成長(zhǎng),廠商預(yù)估,即便2019 年目前為止現(xiàn)貨市場(chǎng)硅晶圓價(jià)格表現(xiàn)不佳,但因合約價(jià)格今年仍較去年成長(zhǎng),整體硅晶圓平均單價(jià)仍有機(jī)會(huì)較2018 年成長(zhǎng)。

而在成長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力部分,據(jù)統(tǒng)計(jì),由于12 吋產(chǎn)品仍是主流,故全球仍有多座12 吋廠在投資當(dāng)中,依估計(jì),2018 年全球12 吋廠共有112 座,預(yù)估今年將會(huì)到達(dá)121 座,2020 年會(huì)達(dá)到127 座的水準(zhǔn)。

而在主要的下游應(yīng)用面,主要會(huì)在三大領(lǐng)域扮演重要的成長(zhǎng)動(dòng)能,其中成長(zhǎng)最大者為儲(chǔ)存領(lǐng)域,其次為工控/ 醫(yī)療領(lǐng)域,第三則為汽車應(yīng)用,這三大領(lǐng)域都有雙位數(shù)的成長(zhǎng),整體半導(dǎo)體的營(yíng)收在2022 年將達(dá)到5,390 億美元。

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原文標(biāo)題:貿(mào)易磨擦未止歇,四類電子關(guān)鍵元件市場(chǎng)現(xiàn)狀該如何發(fā)展?

文章出處:【微信號(hào):icxinwenshe,微信公眾號(hào):芯聞社】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域,級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
    的頭像 發(fā)表于 10-21 17:24 ?4500次閱讀
    功率<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>級(jí)封裝的發(fā)展趨勢(shì)

    共聚焦顯微鏡在半導(dǎo)體檢測(cè)中的應(yīng)用

    半導(dǎo)體制造工藝中,經(jīng)棒切割后的尺寸檢測(cè),是保障后續(xù)制程精度的核心環(huán)節(jié)。共聚焦顯微鏡憑借其高分辨率成像能力與無(wú)損檢測(cè)特性,成為檢測(cè)過(guò)程
    的頭像 發(fā)表于 10-14 18:03 ?784次閱讀
    共聚焦顯微鏡在<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>硅</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>檢測(cè)中的應(yīng)用

    再生和普通的區(qū)別

    再生與普通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色,二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析:定義與來(lái)源差
    的頭像 發(fā)表于 09-23 11:14 ?1547次閱讀
    再生<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>和普通<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的區(qū)別

    一文詳解加工的基本流程

    棒需要經(jīng)過(guò)一系列加工,才能形成符合半導(dǎo)體制造要求的襯底,即。加工的基本流程為:滾磨、切斷、切片、硅片退火、倒角、研磨、拋光,以及清洗
    的頭像 發(fā)表于 08-12 10:43 ?5648次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>加工的基本流程

    TC Wafer測(cè)溫系統(tǒng)——半導(dǎo)體制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)

    TCWafer測(cè)溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測(cè)解決方案,專為半導(dǎo)體制造工藝中溫度的精確測(cè)量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過(guò)將微型熱電偶傳感器(The
    的頭像 發(fā)表于 06-27 10:03 ?1967次閱讀
    TC Wafer<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>測(cè)溫系統(tǒng)——<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造溫度監(jiān)控的核心技術(shù)

    半導(dǎo)體檢測(cè)與直線電機(jī)的關(guān)系

    檢測(cè)是指在制造完成后,對(duì)進(jìn)行的一系列物理和電學(xué)性能的測(cè)試與分析,以確保其質(zhì)量和性能符
    的頭像 發(fā)表于 06-06 17:15 ?1052次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>檢測(cè)與直線電機(jī)的關(guān)系

    隱裂檢測(cè)提高半導(dǎo)體行業(yè)效率

    半導(dǎo)體行業(yè)是現(xiàn)代制造業(yè)的核心基石,被譽(yù)為“工業(yè)的糧食”,而半導(dǎo)體制造的核心基板,其質(zhì)量直接決定芯片的性能、良率和可靠性。
    的頭像 發(fā)表于 05-23 16:03 ?989次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>隱裂檢測(cè)提高<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>行業(yè)效率

    RFID技術(shù)在半導(dǎo)體卡塞盒中的應(yīng)用方案

    ?隨著半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)自動(dòng)化需求以及生產(chǎn)精度、流程可控性的需求,卡塞盒作為承載的核心載體,其管理效率直接影響到生產(chǎn)流程的穩(wěn)定性和
    的頭像 發(fā)表于 05-20 14:57 ?935次閱讀
    RFID技術(shù)在<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>卡塞盒中的應(yīng)用方案

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR可靠性測(cè)試

    隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過(guò)直接在封裝
    發(fā)表于 05-07 20:34
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