日B视频 亚洲,啪啪啪网站一区二区,91色情精品久久,日日噜狠狠色综合久,超碰人妻少妇97在线,999青青视频,亚洲一区二卡,让本一区二区视频,日韩网站推荐

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

殷華湘團隊研發(fā)出3納米晶體管 相當于一條人類DNA鏈的寬度

xPRC_icunion ? 來源:yxw ? 2019-05-31 11:23 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

港媒稱,內地的科學家說,他們已經研發(fā)出一種晶體管,這種晶體管將大大增強芯片的性能,并大幅降低它們的能耗。

據報道,現如今,市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學院微電子研究所微電子設備與集成技術領域的專家殷華湘說,他的團隊已經研發(fā)出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度,在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數百億個這種晶體管。

殷華湘說,晶體管變得越小,芯片上就能安裝越多的晶體管,這會讓處理器的性能顯著提升。晶體管是處理器的基本部件。殷華湘說,用3納米晶體管制造的處理器將會增加計算速度,并降低能耗。比如一位智能手機用戶可以整天玩需要大量計算能力的游戲,卻不需要為電池重新充電。

殷華湘說,他的團隊還必須克服一些重大障礙。他們的研究成果本月部分發(fā)表在同行評議雜志《電氣電子工程師協(xié)會電子器件通訊》上。其中一個障礙是“波爾茲曼暴政”。路德維?!げ柶澛?9世紀的奧地利物理學家?!安柶澛┱泵枋龅氖怯嘘P電子在一個空間中的分布問題。對芯片研發(fā)者來說,這意味著隨著更多較小的晶體管安裝到芯片上,晶體管所需電流產生的熱量將燒毀芯片。

報道稱,物理學家已經為這個問題提供了解決辦法。殷華湘說,他的團隊使用一種稱為“負電容”的方法,這樣他們能用理論上所需最小電量的一半電量來為晶體管提供電力。這種晶體管實現商業(yè)應用可能要花幾年時間。該團隊正在進行材料和質量控制方面的工作。

殷華湘說:“這是我們工作中最激動人心的部分。這不僅是實驗室中的又一項新發(fā)現。它有著實際應用的巨大潛力。而我們擁有專利?!?/p>

報道稱,殷華湘說,這項突破將讓中國“在芯片研發(fā)的前沿同世界頭號角色進行正面競爭”。他說:“在過去,我們看著其他人競爭?,F在,我們在同其他人競爭。”

據報道,中國還在研發(fā)一種原子大小(0.5納米)的晶體管,而其他國家已經加入將3納米晶體管投入市場的競賽。

韓國三星公司說,它計劃到明年上半年完成3納米晶體管的研發(fā)。三星說,同7納米技術相比,用它的3納米晶體管制造的處理器只需用一半的電力,性能卻會提高35%。三星沒有說它預計這些芯片將于何時投產。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 處理器
    +關注

    關注

    68

    文章

    20341

    瀏覽量

    255356
  • 芯片
    +關注

    關注

    463

    文章

    54465

    瀏覽量

    469760
  • 晶體管
    +關注

    關注

    78

    文章

    10443

    瀏覽量

    148712
  • 微電子
    +關注

    關注

    18

    文章

    415

    瀏覽量

    42992

原文標題:好消息!中國芯片領域研究又有新突破!

文章出處:【微信號:icunion,微信公眾號:半導體行業(yè)聯盟】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    抬升源漏技術如何拯救納米尺度晶體管

    幾十納米以下時,外部串聯電阻逐漸成為制約晶體管驅動電流提升的主要瓶頸。為了解決這個難題,工程師們發(fā)明了抬升源漏技術。
    的頭像 發(fā)表于 04-10 17:08 ?764次閱讀
    抬升源漏技術如何拯救<b class='flag-5'>納米</b>尺度<b class='flag-5'>晶體管</b>

    揭秘芯片測試:如何驗證數十億個晶體管

    微觀世界的“體檢”難題在枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數十億甚至上百億個晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800億個晶體管。要如何確定每
    的頭像 發(fā)表于 03-06 10:03 ?383次閱讀
    揭秘芯片測試:如何驗證數十億個<b class='flag-5'>晶體管</b>

    探索Broadcom HLPT-B3x0-00000硅NPN光電晶體管的卓越性能

    探索Broadcom HLPT-B3x0-00000硅NPN光電晶體管的卓越性能 在電子設備的設計中,選擇合適的光電晶體管至關重要。今天,我們來深入了解下Broadcom
    的頭像 發(fā)表于 12-30 11:40 ?1005次閱讀

    晶體管入門:BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場效應 #電子放大

    晶體管
    安泰小課堂
    發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57

    基于偏置電阻晶體管(BRT)的數字晶體管系列MUN2231等產品解析

    在電子電路設計中,晶體管的合理選擇和應用對于電路性能起著關鍵作用。今天,我們就來深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3
    的頭像 發(fā)表于 12-02 15:46 ?713次閱讀
    基于偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)的數字<b class='flag-5'>晶體管</b>系列MUN2231等產品解析

    MUN5136數字晶體管技術解析與應用指南

    onsemi MUN5136數字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網絡。這些數字晶體管包含晶體管個單片偏置網絡,單片偏置網絡由兩
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?981次閱讀
    MUN5136數字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術解析與應用指南

    電壓選擇晶體管應用電路第二期

    電壓選擇晶體管應用電路第二期 以前發(fā)表過關于電壓選擇晶體管的結構和原理的文章,這期我將介紹下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當輸入電壓
    發(fā)表于 11-17 07:42

    0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc

    電子發(fā)燒友網為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關產品參數、數據手冊,更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,0.45-6.0
    發(fā)表于 09-18 18:33
    0.45-6.0 GHz 低噪聲<b class='flag-5'>晶體管</b> skyworksinc

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    多值電場型電壓選擇晶體管結構 為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通
    發(fā)表于 09-15 15:31

    晶體管架構的演變過程

    芯片制程從微米級進入2納米時代,晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2546次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構的演變過程

    東京大學開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路

    據報道,東京大學的研究團隊近日成功開發(fā)出種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這
    的頭像 發(fā)表于 07-02 09:52 ?1141次閱讀
    東京大學開發(fā)氧化銦(InGaOx)新型<b class='flag-5'>晶體管</b>,延續(xù)摩爾定律提供新思路

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含個發(fā)光二極(LED)作為光源。當電流通過LED時,它會發(fā)出特定波長的光。2.光敏器件:光耦的另
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1227次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    晶體管通?;?b class='flag-5'>納米片堆疊技術,納米片作為晶體管的溝道部分,其厚度和寬度可以精確控制,以實現更好的靜電控制和更高的驅動電流。叉片
    發(fā)表于 06-20 10:40

    無結場效應晶體管詳解

    當代所有的集成電路芯片都是由PN結或肖特基勢壘結所構成:雙極結型晶體管(BJT)包含兩個背靠背的PN 結,MOSFET也是如此。結型場效應晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有個 PN結,隧道穿透
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1663次閱讀
    無結場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    晶體管(Transistor)是種?半導體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現代電子技術的核心元件,幾乎所有電子設備(從手機到超級計算機)都依賴晶體管實現功能。以下
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?5357次閱讀
    二连浩特市| 西宁市| 清涧县| 芦溪县| 辽源市| 运城市| 三原县| 广州市| 青神县| 漳州市| 浮山县| 丹巴县| 丰镇市| 双峰县| 崇文区| 友谊县| 六安市| 青冈县| 道孚县| 木里| 宾川县| 荔浦县| 柘城县| 荥经县| 灵石县| 贵港市| 舞钢市| 贵溪市| 陆川县| 塘沽区| 青州市| 乌鲁木齐县| 叙永县| 涿州市| 赤水市| 青神县| 庆云县| 武鸣县| 合肥市| 大同市| 新余市|