低壓側(cè)電流測量將分流電阻器放置在有源負載和接地之間。用于低壓側(cè)電流測量的最合適電路如圖2所示。該電路使用Texas Instruments的INA181電流檢測放大器，但許多其他放大器也可用于低壓側(cè)測量。

圖2：使用Texas Instruments INA181的低壓側(cè)電流測量電路將電流檢測電阻器放置在有源負載和接地之間。（圖片來源：Texas Instruments）

低壓側(cè)電流測量很容易實現(xiàn)，因為分流電阻器兩端的檢測電壓以接地為參考。此配置允許電流檢測放大器為低壓部分，因為被檢測的電壓為僅高于接地參考的毫伏量級。在此配置中，檢測電壓不會在更高的電壓上工作，因此不需要共模抑制。低壓側(cè)測量法是最簡單、實現(xiàn)成本最低的方法。

低壓側(cè)電流測量的缺點在于，由于分流電阻器的放置，負載不再以接地為參考，導致負載的低壓側(cè)高于接地電壓幾毫伏。

如果負載和接地之間存在短路，則無接地參考可能成為一個問題。例如，如果金屬封閉負載（例如電動機）的接地參考外殼存在繞組短路，則會發(fā)生此類短路。電流檢測電阻器可能無法檢測到此類短路。

此外，放大器的共模輸入電壓必須包括接地以進行低壓側(cè)測量。對于采用正負電源供電的放大器來說，這通常不是問題，但對于采用單電源供電的放大器來說，這可能是一個問題。因此，當選擇合適的放大器進行低壓側(cè)測量時，包含接地的共模電壓范圍就成為一項重要的標準。

進行低壓側(cè)電流測量還有一個重要方面。請注意，圖2中的Texas Instruments ADS114ADC直接接地，該ADC的低壓側(cè)輸入節(jié)點靠近INA181電流檢測放大器的輸入接地參考連接。

對于使用低阻分流電阻器上產(chǎn)生的小電壓（通過的是高負載電流）進行的電流檢測，務必記住所有接地可能不并處于相同的電勢。當?shù)孛婢W(wǎng)絡或接地平面承載與許多電源應用關聯(lián)的高電流時，系統(tǒng)中的一個接地點和另一個接地點之間很容易發(fā)生毫伏級別的電勢差。作為預防措施，必須將相關接地參考接線保持在彼此非常接近的位置，以最大限度地減小接地參考之間的電壓差。

要消除此誤差源，ADC的接地參考引腳必須靠近電流檢測電阻器的低壓側(cè)和電流檢測放大器的低壓側(cè)輸入端。連接點是接地平面的重要部分，絕不能圖方便。為確保無誤，直接在原理圖上記下此要求，并顯示接地參考的星形連接，以確保真正強調(diào)了這一點。

同樣，當電流檢測電阻器兩端的電壓很小時，電流檢測放大器的輸入補償電壓會不成比例地影響放大精度。因此，最好選擇輸入補償電壓非常低的放大器。以上圖 2 所示的 INA181 放大器的輸入補償電壓為 ±150 微伏，適用于無共模電壓的低壓側(cè)測量配置。

盡管有幾個缺點，但如果負載不需要參考接地，并且負載和接地之間的內(nèi)部短路不是問題，也不需要通過電流測量電路進行檢測，那么低壓側(cè)電流測量配置就是一個很好的選擇。

但是，對于必須滿足功能安全要求的設計，高壓側(cè)電流測量技術(shù)更適合。

高壓側(cè)電流測量將分流電阻器插入電源和有源負載之間，如圖3所示，使用TexasInstruments INA240電流檢測放大器作為AFE。該器件的共模輸入電壓可以遠超其供電電壓，使其成為高壓側(cè)電流測量的理想選擇。

圖3：高壓側(cè)電流測量電路將電流檢測電阻器放置在電源和有源負載之間。（圖片來源：Texas Instruments）

與低壓側(cè)測量相比，高壓側(cè)電流測量具有兩個關鍵優(yōu)勢：

• 首先，很容易檢測負載內(nèi)部對接地產(chǎn)生的短路，因為產(chǎn)生的短路電流將流過分流電阻器，在其兩端產(chǎn)生電壓。

• 其次，這種測量技術(shù)不參考接地，因此流過接地平面的高電流產(chǎn)生的差分接地電壓不會影響測量。但是，將ADC的接地參考連接小心地放置在放大器接地附近仍然是一種好的做法。

高壓側(cè)電流測量技術(shù)有一個主要缺點。如上所述，它要求電流檢測放大器具有高共模抑制，因為在分流器兩端產(chǎn)生的小電壓恰好低于負載供電電壓。根據(jù)系統(tǒng)設計，該共模電壓可能非常大。圖3中的INA240電流檢測放大器具有-4至80伏的寬共模范圍。

圖2和圖3顯示了低壓側(cè)和高壓側(cè)電流測量配置，均采用帶集成增益設定電阻器的電流檢測放大器。這些集成電阻器具有許多設計優(yōu)勢，包括簡化設計、減少電路板元器件和激光微調(diào)增益精度。使用此類放大器的一大缺陷是增益在出廠時就已永久性設定。如果增益設定適合既定應用，這就不是問題。但是，如果為了滿足其他標準而選定分流電阻器的阻值，導致應用需要獨特的增益，則運算放大器與分立電阻器相結(jié)合是更好的選擇。

圖4顯示了一個用于高壓側(cè)電流測量的電流檢測放大器電路，它基于Microchip TechnologyMCP6H01運算放大器和分立式增益設定電阻器。

圖4：采用分立電阻器和運算放大器的高壓側(cè)電流測量配置。（圖片來源：Microchip Technology）

在該電路中，按R2除以R1的比率設定放大器增益。另請注意，R1* = R1，R2* = R2，并且分流電阻器RSEN應該比R1或R2都小得多。這通常不是問題，因為對于電流非常高的應用來說，分流電阻器的值通常為毫歐量級甚至不到一毫歐。

圖4中的公式清楚地表明，與采用具有內(nèi)部增益設置電阻器的電流檢測放大器相比，采用運算放大器和分立電阻器需要的元器件規(guī)格更高。

電流檢測放大器將分流電阻器兩端產(chǎn)生的低電壓轉(zhuǎn)換為更適合ADC進行轉(zhuǎn)換的較大電壓。有兩種適合的電流檢測類型：低壓側(cè)和高壓側(cè)。低壓側(cè)測量將電流檢測電阻器插入負載和接地之間，而高壓側(cè)測量則將電流檢測電阻器插入電源和負載之間。低壓側(cè)和高壓側(cè)測量配置都有不同的優(yōu)點和缺點，因此選擇時需要考慮特定應用。

在測量電流時，可以使用專用電流檢測放大器（在出廠時使用集成激光微調(diào)電阻器設置增益）或適合的運算放大器和分立電阻器。第一種選擇減少了電路板元器件的數(shù)量并簡化了AFE的設計。但是，如果AFE設計需要自定義增益以適應特定的分流電阻器阻值和ADC輸入電壓范圍，則第二種選擇更合適。

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