當(dāng)前半導(dǎo)體制程微縮已經(jīng)來到10納米節(jié)點(diǎn)以下，EUV極紫外光光刻技術(shù)已成為不可或缺的設(shè)備，包括現(xiàn)在的7納米制程，以及未來5納米、3納米甚至2納米制程都將采用該技術(shù)。

藉由EUV設(shè)備導(dǎo)入，不僅可以加快生產(chǎn)效率、提升良率，還能降低成本，除了晶圓代工業(yè)者積極導(dǎo)入，連DRAM存儲(chǔ)器生產(chǎn)廠商也考慮引進(jìn)。

為了因應(yīng)制程微縮的市場需求，全球主要生產(chǎn)EUV設(shè)備的廠商ASML正積極開發(fā)下一代EUV設(shè)備，就是High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV產(chǎn)品，預(yù)計(jì)幾年內(nèi)就能正式量產(chǎn)。

根據(jù)韓國媒體《ETNews》報(bào)導(dǎo)，High-NA的EUV設(shè)備與目前EUV設(shè)備的最大不同點(diǎn)，在于使用EUV曝光時(shí)，透過提升透鏡解析度，使解析度（resolution）和微影疊對（overlay）能力比現(xiàn)行EUV系統(tǒng)提升70%，達(dá)到業(yè)界對幾何式芯片微縮（geometric chip scaling）的要求。

ASML利用德國蔡司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的技術(shù)提升透鏡解析度，就為了此目的，ASML于2016年正式收購了德國蔡司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門24.9%股權(quán)。

針對下一代High-NA的EUV產(chǎn)品，ASML之前也已從3個(gè)主要客戶取得4臺(tái)訂單，并售出8臺(tái)High-NA EUV產(chǎn)品的優(yōu)先購買權(quán)。這些訂單中，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也是其中之一。

事實(shí)上，2018年時(shí)，臺(tái)積電就宣布增加3億美元資本支出，為下一代EUV設(shè)備的預(yù)付款，也就是已預(yù)購新一代High-NA的EUV設(shè)備。針對新一代High-NA EUV設(shè)備，ASML預(yù)計(jì)2025年正式量產(chǎn)。