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Intel7nm工藝進(jìn)程曝光 每瓦性能提升20%設(shè)計復(fù)雜度降低4倍

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:工程師吳畏 ? 2019-07-18 16:06 ? 次閱讀
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在制程工藝上,Intel從2015年到現(xiàn)在一直在魔改14nm工藝,10nm工藝說是今年6月份量產(chǎn)了,但在時間進(jìn)度上確實要比臺積電等公司落后了,AMD今年都出7nm的CPU和顯卡了。

今年5月份的投資會議上,Intel宣布了新一代制程工藝路線圖,14nm工藝(對標(biāo)臺積電10nm)會繼續(xù)充實產(chǎn)能,10nm工藝(對標(biāo)臺積電7nm)消費(fèi)級產(chǎn)品今年年底購物季上架,服務(wù)器端明年上半年。

再往后就是7nm了,Intel的7nm對標(biāo)臺積電5nm,預(yù)計會在2021年量產(chǎn),不過首發(fā)產(chǎn)品是Xe架構(gòu)的GPU加速卡,CPU的話估計要到到2022年了。

日前韓國媒體曝光了Intel的內(nèi)部資料,詳細(xì)介紹了7nm工藝以及處理器架構(gòu)、傲騰、安全等方面的進(jìn)展,如下所示:

在制程工藝方面,10nm首發(fā)平臺是Ice Lake處理器,6月份出貨,其他10nm工藝產(chǎn)品到2020及2021年推出,前面也說了消費(fèi)級、服務(wù)器級的10nm處理器要等到2020年了。

7nm工藝計劃2021年推出,相比10nm工藝晶體管密度翻倍,每瓦性能提升20%,設(shè)計復(fù)雜度降低了4倍。

這是Intel首次公布7nm工藝的具體細(xì)節(jié),晶體管密度翻倍沒有什么意外,正常都應(yīng)該是這樣,不過每瓦性能提升20%,這個數(shù)據(jù)要比預(yù)期更低,也只能說明在10nm之后,Intel的先進(jìn)工藝在性能提升也遇到瓶頸了。

還有Intel沒有提及能耗的具體信息,作為對比的是,Intel之前表示10nm工藝相比14nm降低了60%的能耗或者提升25%的性能。

此外,7nm工藝還是Intel首次使用EUV光刻工藝,有助于提升工藝微縮。

7nm工藝的首款產(chǎn)品就是Xe架構(gòu)的GPU加速芯片,主要應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心AI及高性能計算。

處理器架構(gòu)方面,現(xiàn)在的服務(wù)器端是14nm Cascade Lake,主要是增加了DL Boost指令集加速AI性能。

桌面級還有酷睿i9-9900KS,全核5GHz的9900K加強(qiáng)版了。

Ice Lake,這是10nm工藝Sunny Cove核心的全新產(chǎn)品,3x倍無線速度、2倍視頻轉(zhuǎn)碼速度、2倍圖形性能、3倍AI性能這些也是之前說過的了。

Ice Lake的核顯架構(gòu)升級到Gen11,32位浮點性能達(dá)到1TFLOPS以上,EU單元至少64個。

存儲芯片方面,Intel今年上半年已經(jīng)推出了傲騰H10,整合了傲騰內(nèi)存及QLC閃存,9月份還有傲騰M10及M15新品,這是新一代傲騰內(nèi)存,不過具體規(guī)格不詳。

安全性方面,Ice Lake處理器主要增加了GFNI、SGX、PCFONFIG等指令,Ice Lake下一代的Tiger Lake會支持CET增強(qiáng)指令,Atom處理器中的下代Tremont架構(gòu)也會增加SGX、GFNI等指令集。

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