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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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動(dòng)態(tài)

  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 12:15

    SGC0910-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC0910-300B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC0910-300B-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 12:09

    SGC8595-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC8595-300B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào): SGC8595-300B-R 名稱: IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 12:03

    SGC1011-300B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC1011-300B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC1011-300B-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 11:55

    SGK1314-30B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGK1314-30B 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGK1314-30B 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 11:48

    SGC0910-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC0910-200B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC0910-200B-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 11:42

    SGC8598-50B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC8598-50B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC8598-50B-R 名稱: IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 11:35

    SGC8598-200B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC8598-200B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC8598-200B-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 11:28

    F658-5867-100A C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):F658-5867-100A 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào): F658-5867-100A 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-11 11:20

    SGC8598-100B-R X波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC8598-100B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC8598-100B-R 名稱:IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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  • 發(fā)布了產(chǎn)品 2023-12-10 21:17

    SGC5259-400B-R C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT

    產(chǎn)品型號(hào):SGC5259-400B-R 廠家:Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào):SGC5259-400B-R 名稱: IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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企業(yè)信息

認(rèn)證信息: 立年電子科技

聯(lián)系人:王明

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公司介紹:深圳市立年電子科技有限公司,射頻微波器件專業(yè)分銷商,為國(guó)內(nèi)研究機(jī)構(gòu),企業(yè)及各大院校提供一站式服務(wù)平臺(tái),并在國(guó)外設(shè)立專業(yè)采購(gòu)渠道;服務(wù)體系:技術(shù)選型,原廠采購(gòu),國(guó)際運(yùn)輸,香港倉(cāng)儲(chǔ),海關(guān)清關(guān),配送體系,備貨服務(wù),售后服務(wù);立年公司致力于為客戶簡(jiǎn)化購(gòu)買流程,誠(chéng)信運(yùn)營(yíng),在生產(chǎn)商和客戶之間竭力平衡,實(shí)現(xiàn)三方共贏。 優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品:放大器,數(shù)模/

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