動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-11 10:01

  消費(fèi)電子熱設(shè)計(jì)仿真：五大主流軟件全面對比

  

  消費(fèi)電子熱設(shè)計(jì)仿真主流軟件為FloTHERM、ANSYSIcepak、6SigmaET、FloEFD、COMSOLMultiphysics。它們在定位、效率、精度、多物理場、幾何適配上差異顯著，直接決定選型。一、FloTHERM(Siemens)定位：電子散熱專用、高效、規(guī)則幾何首選核心特點(diǎn)笛卡爾結(jié)構(gòu)化網(wǎng)格+SmartMesh：對塊體/規(guī)則結(jié)構(gòu)極高效、內(nèi)存占

  仿真 消費(fèi)電子 熱設(shè)計(jì)

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• 發(fā)布了文章 2026-04-10 09:31

  英偉達(dá)AI數(shù)據(jù)中心終極供電方案—固態(tài)變壓器(SST)的全景解析：從概念到量產(chǎn)的工程設(shè)計(jì)與決策參考指南

  

  以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于固態(tài)變壓器（SST）的全維解析全維解析系列文章-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-文字原創(chuàng)，素材來源：TI,華為，Infineon,Delta,Renesas,Littlefuse-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：英偉達(dá)在2025年OCP全球峰會上發(fā)

  AI 變壓器 數(shù)據(jù)中心 英偉達(dá)

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• 發(fā)布了文章 2026-04-09 07:21

  英飛凌S-Cell嵌埋式PCB封裝技術(shù)方案深度解讀：6層PCB工程、熱/電邊界、輸出能力、經(jīng)濟(jì)價值、平臺導(dǎo)入

  

  這篇我們聚焦于英飛凌S-Cell功率芯片PCB封裝技術(shù)，把它背后的功率板邊界、PCB工程約束、熱/電收益和技術(shù)經(jīng)濟(jì)賬做一次系統(tǒng)化拆解、盡可能講透。核心目標(biāo)：把S-cell、6層PCB、低寄生換流回路、半橋功率板組織方式、整開關(guān)熱耦合結(jié)果、系統(tǒng)輸出能力和導(dǎo)入門檻放回同一張系統(tǒng)地圖里

  PCB封裝 功率芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-09 06:40

  日本氧化鎵技術(shù)再獲突破：六項(xiàng)成果集中發(fā)布，低成本量產(chǎn)指日可待

  

  2026年3月，日本名古屋大學(xué)低溫等離子體科學(xué)研究中心與該校孵化初創(chuàng)企業(yè)nu-rei株式會社，將在應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)講演會上集中發(fā)布關(guān)于次世代功率半導(dǎo)體材料——氧化鎵（Ga?O?）的六項(xiàng)關(guān)鍵研究成果。這一系列突破標(biāo)志著日本在氧化鎵材料生長工藝上取得系統(tǒng)性進(jìn)展，有望大幅降低制造成本、提升器件性能，為電動汽車、可再生能源及宇宙開發(fā)等高端領(lǐng)域的應(yīng)用鋪平道路。一、

  功率半導(dǎo)體 材料 氧化鎵

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• 發(fā)布了文章 2026-04-09 06:32

  AI基礎(chǔ)設(shè)施：高頻高速新材料全景圖

  

  AI大模型的爆發(fā)式迭代與全球算力集群的規(guī)模化建設(shè)，正推動AI服務(wù)器、高速光模塊、高端交換機(jī)向超高帶寬、超低延遲、高密度方向持續(xù)躍遷。算力升級的本質(zhì)，是信號傳輸速率的指數(shù)級提升與芯片功耗密度的跨越式增長，

  AI 材料 芯片

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• 發(fā)布了文章 2026-04-05 09:14

  低介電常數(shù)與高介電常數(shù)的高分子材料：從機(jī)理、結(jié)構(gòu)到應(yīng)用的全面解析

  

  0.引言在微電子與信息產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，高分子材料扮演著不可或缺的角色。其中，低介電常數(shù)（Low-k）和高介電常數(shù)（High-k）兩類材料因其截然相反的介電特性，分別服務(wù)于“信號高速傳輸”和“高效能量存儲”兩大核心需求。本文將從基本概念、形成機(jī)理、化學(xué)結(jié)構(gòu)、性能特征、應(yīng)用領(lǐng)域及主要生產(chǎn)商等多個維度，對這兩類材料進(jìn)行系統(tǒng)梳理。一、基本概念：何為介電常數(shù)？介電

  介電材料 低介電常數(shù) 材料

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• 發(fā)布了文章 2026-04-04 10:20

  “史上最嚴(yán)”充電寶新規(guī)出臺 | 國家標(biāo)準(zhǔn)GB 47372-2026《移動電源安全技術(shù)規(guī)范》4月3日正式發(fā)布

  

  由工業(yè)和信息化部組織制定的強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)GB47372-2026《移動電源安全技術(shù)規(guī)范》今天（4月3日）正式發(fā)布?！都夹g(shù)規(guī)范》在原有的兩項(xiàng)通用強(qiáng)制性國家標(biāo)準(zhǔn)要求的基礎(chǔ)上明確了多項(xiàng)關(guān)鍵要求。移動電源包括便攜式移動電源和便攜式儲能電源，也就是俗稱的“充電寶”和“戶外電源”。《技術(shù)規(guī)范》要求強(qiáng)化電池本質(zhì)安全，在標(biāo)準(zhǔn)中引入針刺試驗(yàn)，明確提升移動電源在高溫、過度充電、

  充電寶 移動電源

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• 發(fā)布了文章 2026-04-04 09:51

  2026年7月1日（強(qiáng)制性3C認(rèn)證納入）正式實(shí)施| 《消費(fèi)電子散熱技術(shù)規(guī)范》

  

  《消費(fèi)電子散熱技術(shù)規(guī)范》（SJ/T11896-2026）發(fā)布：2026年2月（中國電子標(biāo)準(zhǔn)化研究院+CINNOResearch）實(shí)施：2026年7月1日（強(qiáng)制性，3C認(rèn)證納入）適用：手機(jī)、平板、筆記本、AR/VR、可穿戴等一、總則（1～3章）-標(biāo)準(zhǔn)編號：SJ/T11896-2026-術(shù)語：熱阻、結(jié)溫、表面溫度、均溫性、熱流密度、TIM、VC、氣凝膠、相變材料

  3C認(rèn)證 散熱 消費(fèi)電子

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• 發(fā)布了文章 2026-04-02 07:40

  IGBT的全面解析：構(gòu)成本質(zhì)、工作原理與范圍、關(guān)鍵特性、應(yīng)用指南

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識星球-關(guān)于IGBT的基礎(chǔ)概覽和應(yīng)用的指南-結(jié)合實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，對相關(guān)信息做了系統(tǒng)性的梳理和整合，相關(guān)參考詳見文末-以下內(nèi)容僅供參考，具體內(nèi)容結(jié)合實(shí)際項(xiàng)目需要更改、拓展-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)交流（全文12,000字）-內(nèi)容有些多，分兩次發(fā)表導(dǎo)語：IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），作為MOSFET和

  IGBT MOSFET 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2026-04-01 09:20

  如何使用AI優(yōu)化PCBA熱源分布？

  

  通過AI技術(shù)優(yōu)化PCBA板上的熱源（各類元器件，如芯片、電阻、電容等）分布，核心目標(biāo)是精準(zhǔn)控制PCBA的最高溫度，同時降低熱應(yīng)力（避免因溫度梯度、熱膨脹不均導(dǎo)致的焊點(diǎn)開裂、PCB變形等問題）。這是典型的“多物理場+多目標(biāo)AI優(yōu)化”場景，既要兼顧熱性能，又不能違背PCBA的電氣、工藝約束，核心思路是**“電氣約束優(yōu)先+AI代理模型+多目標(biāo)尋優(yōu)”**，下面給出可

  AI PCBA 熱源

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