動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-04-07 17:05

  新品 | EasyPACK™ 2B TRENCHSTOP™ IGBT5 650V H5模塊，專為暖通空調(diào)與熱泵設計

  

  新品EasyPACK2BTRENCHSTOPIGBT5650VH5模塊，專為暖通空調(diào)與熱泵設計EasyPACK2B650V,35A模塊采用TRENCHSTOP5H5技術，可以用在維也納整流器中，集成NTC溫度傳感器，提供焊接式引腳和PressFIT壓接式引腳可選，適用于變頻驅(qū)動與熱泵應用。產(chǎn)品型號：■FS3L35R07W2H5_40■FS3L35R07W2H

  IGBT 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-04-01 17:10

  SiC MOSFET 短路行為解析與英飛凌保護方案探討

  

  在設計常見的DCDC或DCAC等電路時，我們經(jīng)常遇到需要橋臂直通保護的要求。IGBT通常具有5~10us的短路耐受時間，足以應付大部分短路工況。然而，對于SiCMOSFET器件來說，問題變得復雜了。因為在相同的電流等級下，SiCMOSFET的短路耐受時間通常比IGBT小很多。這主要是因為SiCMOSFET的芯片尺寸比傳統(tǒng)的硅基器件小很多，同時非常薄的外延層使

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-03-30 17:06

  新品 | 儲能系統(tǒng)EconoPACK™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT 1200V H7模塊

  

  新品儲能系統(tǒng)EconoPACK3TRENCHSTOPIGBT1200VH7模塊兩款新型EconoPACK3B模塊采用1200V/500A三電平NPC1拓撲結(jié)構，一款集成NTC溫度傳感器和TRENCHSTOPIGBT7芯片，一款采用SiC二極管、TRENCHSTOPIGBT7芯片和集成NTC溫度傳感器。產(chǎn)品型號：■F3L500R12N3H7_B66■F3L50

  EconoPACK IGBT 儲能系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2026-03-26 17:34

  英飛凌第二代SiC MOSFET性能解析及設計要點

  

  在新能源革命與工業(yè)數(shù)字化的浪潮中，功率半導體作為核心“能量管家”，直接決定著電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率、密度與可靠性。英飛凌作為全球功率器件的領軍者，憑借其深耕碳化硅（SiC）領域的技術積淀，推出了CoolSiCMOSFETG2系列產(chǎn)品，以全方位的性能突破，重新定義了SiCMOSFET的行業(yè)標準，為光伏、儲能、電動汽車充電等關鍵領域注入強勁動力。相比于G1單管器件僅

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-03-23 17:05

  新品 | 英飛凌XHP™ 2系列新增2300V IGBT模塊

  

  新品英飛凌XHP2系列新增2300VIGBT模塊英飛凌XHP2系列新增2300V產(chǎn)品，順應可再生能源等應對更高直流母線電壓的趨勢。該模塊額定值為2300V/1400A，采用TRENCHSTOPIGBT7芯片技術，在6kV電氣隔離電壓下，為高功率應用提供了卓越的功率密度和效率。可選預涂導熱界面材料TIM版本，以簡化組裝并優(yōu)化散熱性能。產(chǎn)品型號：■FF1400R

  IGBT 芯片 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-03-19 17:04

  新品 | 英飛凌600V CoolGaN™ Drive HB G5集成驅(qū)動器

  

  新品英飛凌600VCoolGaNDriveHBG5集成驅(qū)動器CoolGaNDriveHB600VG5系列產(chǎn)品，在一個小巧的6x8TFLGA-27封裝中，集成了一個由兩個600VCoolGaNG5晶體管構成的半橋功率級、一個電平移位柵極驅(qū)動器以及一個自舉二極管。產(chǎn)品型號：■IGI60L1414B1M■IGI60L2727B1M■IGI60L5050B1M產(chǎn)品特

  GaN 英飛凌 驅(qū)動器

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• 發(fā)布了文章 2026-03-18 17:06

  英飛凌第二代1200V CoolSiC™ MOSFET品質(zhì)因數(shù)(FOM)介紹

  

  品質(zhì)因數(shù)FOM是半導體性能的量化指標之一。MOSFET的FOM由漏-源導通電阻與器件的一個或多個參數(shù)的乘積得出。FOM值越低，器件性能越好。如下是對SiCMOSFET具有重要意義的品質(zhì)因數(shù)：RDS(on)*Area:這是最常用的FOM，它代表了MOSFET技術的進步RDS(ON)×Qg:綜合反映靜態(tài)導通損耗與柵極驅(qū)動損耗，是器件選型與代際對比的基礎指標RDS

  MOSFET SiC 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-03-16 17:07

  直播報名丨2026年寬禁帶開發(fā)者論壇邀請函

  

  多年來，英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇始終是碳化硅與氮化鎵領域?qū)＜揖奂惶玫哪甓仁?026年3月17日（中國時間16點開始），我們將在慕尼黑演播室為您全程直播專業(yè)演講內(nèi)容。我們的部門總裁Dr.PeterWawer（零碳工業(yè)功率事業(yè)部）和AdamWhite（電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部）的歡迎演講將為活動拉開帷幕，并就市場發(fā)展和英飛凌寬禁帶戰(zhàn)略提供深刻洞見。掃碼報名，預約

  寬禁帶半導體 碳化硅 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2026-03-13 17:09

  新品 | 采用頂部散熱Q-DPAK封裝CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 產(chǎn)品擴展

  

  新品CoolSiCG21200VMOSFET采用頂部散熱Q-DPAK封裝第二代CoolSiC1200VMOSFET，采用頂部散熱Q-DPAK封裝，提供4mΩ和5mΩ兩種導通電阻規(guī)格，廣泛適用于的工業(yè)應用，包括電動汽車充電、光伏逆變器、不間斷電源、固態(tài)斷路器、工業(yè)驅(qū)動、人工智能以及商用電動車等。Q-DPAK封裝憑借其卓越的熱性能簡化了組裝流程，降低系統(tǒng)成本。與

  MOSFET SiC 封裝

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• 發(fā)布了文章 2026-03-12 17:07

  英飛凌繼續(xù)登頂全球微控制器市場榜首，進一步鞏固領先地位

  

  在整體市場小幅下滑的背景下，2025年市場份額達到23.2%（2024年為21.4%）集成汽車以太網(wǎng)以進一步強化面向軟件定義汽車的微控制器業(yè)務，并為人形機器人領域開辟增長機遇英飛凌為微控制器產(chǎn)品組合做好前瞻布局，以滿足未來網(wǎng)絡安全需求，如后量子加密全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司進一步鞏固其在全球微控制器市場的領導地位。根據(jù)Omdia

  以太網(wǎng) 微控制器 英飛凌

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