動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-04-23 11:36

  寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰(zhàn)

  

  功率電子技術的快速發(fā)展，得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步，尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統(tǒng)硅材料相比，這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升，開啟了更高效率和更快動態(tài)響應的可能性。寬帶隙晶體管在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中扮演著關鍵角色，包括開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅(qū)動器，因為

  GaN SiC 功率晶體管 寬帶隙半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-04-22 11:35

  氮化鎵技術驅(qū)動的高效逆變器設計：硅與GaN器件的比較分析

  

  通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍，減少了體積和重量，同時實現(xiàn)了98.5%的效率。在DRS，我們設定了一個目標，即設計出改進版的2kVI車輛逆變器。在開發(fā)過程中，我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現(xiàn)的常關型E-HEMTGaN器件的性能。本

  GaN器件 氮化鎵 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-21 11:57

  上汽英飛凌無錫擴建功率半導體項目 投資3.1億元提升產(chǎn)能！

  

  近日，上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發(fā)布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產(chǎn)線項目的環(huán)境影響評價(環(huán)評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣，計劃選址于無錫分公司，旨在進一步提升其生產(chǎn)能力，以滿足日益增長的市場需求。隨著全球汽車行業(yè)的快速發(fā)展，尤其是電動汽車和智能汽車的崛起，對功率半導體的需求顯著增加。功率半導體是電動車和混合動力車中的重要組成部

  功率半導體 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-04-21 11:56

  霍爾效應電流傳感技術：開環(huán)與閉環(huán)系統(tǒng)的比較與應用

  

  電流傳感器廣泛應用于各種場合。常見的技術是電阻式電流傳感，即測量分流電阻上的電壓降來確定未知電流?；诜至麟娮璧慕鉀Q方案不提供電氣隔離，并且在測量大電流時功率效率較低。另一種廣泛使用的技術基于霍爾效應?；魻栃娏鱾鞲衅饔捎谄鋫鞲衅髋c待測電流之間的電氣隔離，提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產(chǎn)生的高功耗。在本文中，我們將了解霍爾

  開環(huán) 電流傳感器 閉環(huán)系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-04-18 11:48

  臺積電2025年第一季度財報出爐：營收利潤略有下滑但同比大幅增長

  

  在剛剛結束的法說會上，全球領先的半導體制造公司臺積電公布了2025年第一季度的財務報告。盡管該季度的營收和利潤環(huán)比略有下滑，但同比數(shù)據(jù)則顯示出顯著的增長，整體表現(xiàn)符合市場預期。根據(jù)臺積電的財報，第一季度的總營收和利潤較上一季度有所下降，這是由于市場需求的季節(jié)性波動和全球經(jīng)濟環(huán)境的影響。然而，與2024年第一季度相比，營收和利潤均有大幅度提升，這表明公司在整體

  半導體 臺積電

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• 發(fā)布了文章 2025-04-18 11:46

  浮思特 | 肖特基二極管如何在手機系統(tǒng)中提高射頻功率測量的準確性與效率?

  

  電流和電壓確實很重要，但功率給我們提供了更完整和更有用的射頻(RF)信息，原因有幾個。功率提供了一種更直接和方便的方式來表征射頻系統(tǒng)的性能、評估信號強度、優(yōu)化能量傳輸、確保安全以及分析系統(tǒng)性能。在大多數(shù)射頻應用中，功率測量通常比高頻電流或電壓測量更相關且更易于準確獲取。與其他射頻儀器相比，功率計在射頻功率測量中提供了最高的準確性。這些儀器可以是專用的獨立設備

  手機系統(tǒng) 測量 肖特基二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-04-17 11:23

  SemiQ高效1200 V SiC MOSFET六合一模塊，助力緊湊型高性能電源系統(tǒng)

  

  在高電壓和高效率應用領域，SemiQ作為一家領先的設計和開發(fā)企業(yè)，近日宣布推出新一系列的1200V碳化硅(SiC)MOSFET六合一模塊。這些創(chuàng)新模塊旨在支持更為緊湊且具有成本效益的系統(tǒng)設計，以滿足各行業(yè)對高功率密度和能效解決方案日益增長的需求。新推出的SiCMOSFET模塊采用強大的平面技術制造，具備耐用的柵氧化物結構，并集成了可靠的體二極管，從而顯著提升

  MOSFET SiC SiC MOSFET 電源系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2025-04-17 11:22

  浮思特 | NoC架構如何解決MCU設計挑戰(zhàn)

  

  微控制器(MCU)經(jīng)歷了顯著的變革，從基本的控制器發(fā)展為能夠處理日益復雜任務的專用處理單元。它們曾經(jīng)僅限于簡單的命令執(zhí)行，現(xiàn)在支持快速決策、高度安全性和低功耗操作等多種功能。MCU的角色已經(jīng)擴展到各個行業(yè)，從管理工業(yè)自動化中的復雜控制系統(tǒng)到支持安全關鍵的車輛應用以及在聯(lián)網(wǎng)設備中實現(xiàn)高效能運作。隨著MCU承擔的工作負載不斷增加，傳統(tǒng)的基于總線的互連方式已經(jīng)無法

  MCU設計 NoC 微控制器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-16 11:57

  LEM(萊姆)公司為家用電動汽車充電器擴展剩余電流監(jiān)控產(chǎn)品線

  

  LEM公司為其CDSR系列剩余電流監(jiān)控設備推出創(chuàng)新產(chǎn)品。該新品提供三種輸出選項：故障輸出、SPI總線和模擬輸出，有效提升了交流壁掛式充電盒與充電電纜的安全性和可靠性。這款新型LEMCDSR設備為漏電流檢測提供了高性價比解決方案。它能有效消除電磁干擾，協(xié)助預防性維護，增強交流電動汽車充電器的可靠性，讓消費者對充電系統(tǒng)的安全性建立充分信任。作為B型剩余電流監(jiān)測器

  lem 充電器 電動汽車 電流傳感器

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• 發(fā)布了文章 2025-04-16 11:55

  浮思特 | CMOS技術原理與應用：從晶體管結構到反相器設計

  

  MOSFET在數(shù)字電路中的常見形式是互補MOS(CMOS)電路。CMOS技術將n溝道和p溝道MOSFET成對集成在同一芯片上，成為數(shù)字集成電路的主導技術，相比單獨使用NMOS和PMOS晶體管具有諸多優(yōu)勢。發(fā)展互補MOSFET(CMOS)技術的主要動機是實現(xiàn)數(shù)字電路邏輯門的高速運行與低功耗。CMOS技術支持構建多種高性能模擬和數(shù)字電路，其工作原理與BJT邏輯器

  CMOS 反相器 晶體管

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