動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:10

  DSA技術(shù)：突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

  

  為了補(bǔ)償光子不足，制造商可能會(huì)增加曝光劑量，這又會(huì)延長(zhǎng)光刻過程中停留的時(shí)間。然而，這種做法直接影響了生產(chǎn)效率，使得整個(gè)過程變得更慢，經(jīng)濟(jì)性降低。此外，隨著幾何尺寸的縮小以適應(yīng)更小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，對(duì)更高劑量的需求也加劇，從而造成了生產(chǎn)力的瓶頸。DSA技術(shù)：一種革命性的方法DSA技術(shù)通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個(gè)或多個(gè)化學(xué)性

  DSA EUV 半導(dǎo)體

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:34

  onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

  

  近日，半導(dǎo)體技術(shù)公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號(hào)為SPM31。這款以金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)為基礎(chǔ)的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內(nèi)的一項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設(shè)計(jì)，相較于傳統(tǒng)的場(chǎng)停7IGBT技術(shù)，具有更顯著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:33

  突破200 kHz：電力電子硬件在環(huán)(HIL)測(cè)試的創(chuàng)新解決方案

  

  “萬物電氣化”影響著社會(huì)和工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。為了實(shí)現(xiàn)可持續(xù)性發(fā)展的經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)型，需要低成本且高效的電力電子技術(shù)來滿足各種應(yīng)用需求。這不僅要求為每個(gè)特定應(yīng)用開發(fā)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，還需要高效率的新型半導(dǎo)體技術(shù)，例如基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的器件。電動(dòng)化是能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支柱之一。在此領(lǐng)域，除了成本外，轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和功率(例如用于電池充電)也至關(guān)重要。為此，上

  HIL 寬帶隙器件 測(cè)試 電動(dòng)化

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• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:41

  LEM(萊姆電子)適用于800V三相牽引逆變器的電流傳感器

  

  目前，越來越多的汽車牽引逆變器開發(fā)者開始采用三相功率模塊，LEM(萊姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一個(gè)備受青睞且經(jīng)過廣泛驗(yàn)證的例子。這些模塊的興起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技術(shù)的應(yīng)用，能夠支持800V電池系統(tǒng)的實(shí)現(xiàn)，從而為車輛提供更長(zhǎng)的續(xù)航里程和更短的充電時(shí)間。HAH3DRS07/SP42，這是一款專為800V三相功率模塊設(shè)計(jì)的緊湊

  lem 電流傳感器 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:40

  高級(jí)技術(shù)推動(dòng)電動(dòng)車電池制造的變革與可持續(xù)發(fā)展

  

  隨著電動(dòng)車(EV)市場(chǎng)的快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2033年將達(dá)到5375.3億美元，汽車制造商面臨的最緊迫挑戰(zhàn)之一是確保電動(dòng)車電池的安全性、可靠性和經(jīng)濟(jì)性。電池技術(shù)的進(jìn)步在滿足這些需求和確保電動(dòng)車成功實(shí)現(xiàn)大規(guī)模推廣方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。為此，人工智能(AI)、數(shù)字雙胞胎和先進(jìn)電池化學(xué)等新興技術(shù)正在幫助塑造電動(dòng)車電池制造的未來，改變生產(chǎn)過程，提升電池性能，并確?？?

  人工智能 電動(dòng)汽車 電動(dòng)車電池

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• 發(fā)布了文章 2025-03-14 11:03

  德州儀器發(fā)布超小型微控制器，推動(dòng)嵌入式技術(shù)微型化

  

  在全球嵌入式技術(shù)領(lǐng)域，德州儀器(TexasInstruments,TI)于近日在德國(guó)舉辦的國(guó)際嵌入式展會(huì)上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。這款微控制器的面積僅為1.38mm2，較目前市場(chǎng)上最小的MCU小了38%，這一突破性進(jìn)展將極大推動(dòng)微型化技術(shù)的發(fā)展，滿足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 單片機(jī) 微控制器 德州儀器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-14 11:01

  2 kV SiC功率模塊：推動(dòng)1500 V系統(tǒng)的革命

  

  由于在可靠性、成本和系統(tǒng)級(jí)價(jià)值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業(yè)電力轉(zhuǎn)換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴(kuò)展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要中壓器件或多級(jí)拓?fù)涞闹绷麈溄与妷含F(xiàn)在可以更輕松地處理。最新的碳化硅電壓等級(jí)正在促進(jìn)1500V級(jí)逆變器的電路拓?fù)滢D(zhuǎn)變。憑借經(jīng)過驗(yàn)證的芯片技術(shù)、低開關(guān)損耗和標(biāo)準(zhǔn)封裝，

  SiC 功率模塊 碳化硅

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• 發(fā)布了文章 2025-03-13 11:09

  意法半導(dǎo)體推出全新STM32U3微控制器，物聯(lián)網(wǎng)超低功耗創(chuàng)新

  

  近日，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯(lián)網(wǎng)(IoT)設(shè)備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產(chǎn)品不僅延續(xù)了意法半導(dǎo)體在超低功耗MCU領(lǐng)域的技術(shù)積累，更通過一系列創(chuàng)新設(shè)計(jì)，推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的高效能和長(zhǎng)續(xù)航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場(chǎng)

  STM32 微控制器 意法半導(dǎo)體 物聯(lián)網(wǎng)

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• 發(fā)布了文章 2025-03-13 11:05

  TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應(yīng)加熱和軟開關(guān)領(lǐng)域新標(biāo)桿

  

  在現(xiàn)代電力電子行業(yè)中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于各類電力轉(zhuǎn)換設(shè)備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細(xì)介紹這一優(yōu)質(zhì)功率器件的特點(diǎn)及其應(yīng)用領(lǐng)域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術(shù)特點(diǎn)TGAN25N120

  IGBT 功率開關(guān)器件 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-12 11:42

  英飛凌2024年MCU市場(chǎng)份額飆升，首次奪得全球微控制器市場(chǎng)首位

  

  近日，根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Omdia發(fā)布的最新報(bào)告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將達(dá)到21.3%，相比2023年的17.8%增長(zhǎng)了3.5個(gè)百分點(diǎn)。這一顯著的增長(zhǎng)幅度使英飛凌在同業(yè)中成為增幅最大的企業(yè)，并且標(biāo)志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場(chǎng)登頂。微控制器是現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌

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