動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-01-17 11:34

  HMI在智能制造與工業(yè)自動化中的作用

  

  在工業(yè)4.0時代，先進技術(shù)的融入正在徹底改變工業(yè)運作的方式。在實現(xiàn)無縫操作的過程中，人機界面(HMI)是不可或缺的關(guān)鍵組成部分。HMI在智能制造與工業(yè)自動化中扮演了至關(guān)重要的角色，使操作員和工程師能夠與機器、系統(tǒng)和相關(guān)流程進行交互。那么，HMI究竟是什么?為什么它在現(xiàn)代制造業(yè)中如此重要?HMI的定義人機界面(HMI，Human-MachineInterfac

  HMI 工業(yè)自動化 智能制造

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• 發(fā)布了文章 2025-01-16 10:57

  英飛凌推出MOTIX™ BTM90xx系列，助力汽車智能低壓電機控制

  

  隨著全球汽車行業(yè)的不斷發(fā)展，智能化、節(jié)能化和高可靠性成為汽車制造商追求的核心目標。汽車用戶對駕駛體驗的要求日益提高，傳統(tǒng)被視為優(yōu)質(zhì)的功能如今已成為基礎(chǔ)配置，未來的車輛用戶體驗將在很大程度上依賴于先進的智能技術(shù)。針對這一趨勢，英飛凌科技(InfineonTechnologies)推出了全新的MOTIX?BTM90xx系列全橋/H橋集成電路(IC)，為有刷直流電

  汽車 電機控制 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-01-16 10:55

  垂直與橫向GaN功率器件單片集成的高效隔離技術(shù)

  

  垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學領(lǐng)域的一次革命性進展。這種集成能夠使驅(qū)動和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法。這項技術(shù)為橫向和垂直GaN(vGaN)器件的單片集成提供了一種簡單且可靠的潛在方法。垂直GaN器件橫向GaNHEMT器件已廣泛應用于許多領(lǐng)域，包括電源適配器和數(shù)據(jù)中

  GaN MOS 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 11:06

  三星推出全新無線充電芯片S2MIW06，支持最高50W無線快充

  

  2025年1月14日，全球科技巨頭三星正式宣布推出其最新的無線充電芯片S2MIW06。這款芯片以其突破性的性能與全面兼容性迅速引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。S2MIW06不僅支持最高50W的無線快充，還具備反向無線充電功能，為用戶提供了更高效便捷的無線充電解決方案。作為無線充電技術(shù)領(lǐng)域的又一重要里程碑，三星S2MIW06芯片將無線充電功率提升至最高50W，這將使充電

  充電芯片 無線充電 無線快充

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• 發(fā)布了文章 2025-01-15 11:01

  高壓逆變器中的載波基礎(chǔ)PWM技術(shù)比較

  

  高壓逆變器是可再生能源系統(tǒng)的重要組成部分，這些逆變器依賴脈寬調(diào)制(PWM)來控制電力轉(zhuǎn)換過程。PWM使得波形生成和電力質(zhì)量的精確控制成為可能，同時有效地抑制諧波。通過調(diào)節(jié)電壓脈沖的寬度，可以在高壓逆變器中近似出所需的交流波形，從而實現(xiàn)有效且平穩(wěn)的電力傳輸給負載。載波波形的形狀在與參考信號進行比較時區(qū)分了不同的PWM技術(shù)。主要的三種載波基礎(chǔ)PWM技術(shù)包括三角波

  PWM 電力轉(zhuǎn)換器 逆變器 高壓逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:04

  2024全球半導體市場增長，區(qū)域表現(xiàn)分化趨勢明顯

  

  根據(jù)美國半導體行業(yè)協(xié)會(SIA)近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，2024年11月全球半導體銷售額達到578億美元，環(huán)比增長1.6%，連續(xù)第八個月實現(xiàn)月度增長，同時也創(chuàng)下了新的歷史紀錄。這一數(shù)據(jù)表明，全球半導體行業(yè)在經(jīng)歷過去幾年的波動后，正在持續(xù)復蘇并保持強勁的增長態(tài)勢。在全球半導體銷售表現(xiàn)中，美洲地區(qū)成為最大的亮點。11月，美洲地區(qū)的銷售額達到195億美元，占全球總額的

  半導體 芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-01-14 11:02

  高電壓轉(zhuǎn)換器與電動車應用：NPC多電平逆變器為何如此關(guān)鍵?

  

  隨著能源需求的持續(xù)增長，電流在傳輸和利用過程中出現(xiàn)了許多問題。特別是，智能電網(wǎng)的增長和可再生能源的使用對電能的“質(zhì)量”提出了更高的要求，例如減少諧波和在電網(wǎng)中平衡有功與無功功率的能力，因此需要使用靜態(tài)無功補償器(STATCOM)。簡單來說，它們由電力電子設(shè)備組成，動態(tài)提供無功功率支持，在負載或發(fā)電波動期間幫助穩(wěn)定電壓水平。通常，它們位于高電壓側(cè)(從30kV到

  多電平逆變器 電動車 轉(zhuǎn)換器

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:41

  瑞薩電子推出新型 100V 高功率 MOSFET，助力多領(lǐng)域應用

  

  近日，瑞薩電子公司宣布推出新型100V高功率N溝道MOSFET。這款產(chǎn)品專為電機控制、電池管理系統(tǒng)、電源管理及充電應用而設(shè)計，以其卓越的高電流開關(guān)性能和行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)表現(xiàn)成為市場焦點。新型MOSFET的核心亮點在于采用了瑞薩電子創(chuàng)新的晶圓制造工藝——REXFET-1。這項技術(shù)有效降低了MOSFET的導通電阻(Rdson)高達30%，從而顯著減少了功率損耗，為

  MOSFET 功率MOSFET 瑞薩電子

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• 發(fā)布了文章 2025-01-13 11:40

  SiC功率器件如何在極端高溫條件下保持穩(wěn)定性能？

  

  隨著DC/DC電源轉(zhuǎn)換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅(qū)動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全運行的元器件?；趯捊麕Р牧?如碳化硅，SiC)制造的器件滿足了這一要求，并在這些應用中越來越受歡迎。然而，即使是SiCMOSFET，在高溫下也會表現(xiàn)出復雜的行為，

  MOSFET SiC 功率器件

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• 發(fā)布了文章 2025-01-10 11:55

  意法半導體推出全新IO-Link參考設(shè)計 助力智能工業(yè)應用

  

  日前，全球知名的半導體領(lǐng)導企業(yè)意法半導體正式發(fā)布了一款全新的IO-Link參考設(shè)計——EVLIOL4LSV1電路板。此產(chǎn)品以其強大的功能和高集成度，旨在為工業(yè)監(jiān)控和設(shè)備制造商提供高效可靠的一站式解決方案。EVLIOL4LSV1電路板采用了ST先進的L6364Q雙通道IO-Link收發(fā)器和IPS4260L低邊功率開關(guān)。這種設(shè)計使得該電路板能夠直接連接到智能警示

  工業(yè) 意法半導體 電路板

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