動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2025-03-12 11:40

  突破電動汽車動力系統(tǒng)的技術瓶頸：先進的SiC溝槽技術

  

  隨著汽車市場向主流采用加速，電力電子技術已成為創(chuàng)新的基石，推動了卓越的性能和效率。在這一技術演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項關鍵進展，重新定義了電動動力系統(tǒng)的能力。電動汽車的日益普及依賴于延長車輛續(xù)航里程和降低電池成本。這可以通過減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來實現(xiàn)。由于SiC功率器件能夠實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動力系統(tǒng) 電動汽車

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• 發(fā)布了文章 2025-03-11 11:39

  英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應用

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間”應用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術的迅猛發(fā)展，LEO衛(wèi)星星座和其他空間系統(tǒng)的部署需求持續(xù)上升。為了成功實施這些次世代項目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2025-03-11 11:34

  智能計算新紀元：具記憶功能的晶體管問世

  

  在當今電子工業(yè)中，對更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現(xiàn)代計算的需要。傳統(tǒng)晶體管正逐漸達到其物理和操作極限，它們在數(shù)據(jù)中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數(shù)十億個晶體管來存儲和處理數(shù)據(jù)的場景下。隨著數(shù)字數(shù)據(jù)的急劇增長，這種方法變得不可持續(xù)。來自約翰霍普金斯大學的研究團隊發(fā)現(xiàn)了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究

  晶體管 智能計算 電阻器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 11:11

  Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術，應對設計復雜性挑戰(zhàn)！

  

  隨著現(xiàn)代科技的迅猛發(fā)展，芯片設計面臨著前所未有的挑戰(zhàn)。特別是在集成電路(IC)領域，隨著設計復雜性的增加，傳統(tǒng)的光罩尺寸已經(jīng)成為制約芯片性能和功能擴展的瓶頸。為了解決這一問題，3D堆疊技術應運而生，成為應對這些挑戰(zhàn)的重要手段。近期，Marvell公司在這一領域取得了重大進展，展示了其采用臺積電最新2納米制程的矽智財(IP)解決方案，用于AI和云端基礎設施芯片

  Marvell 臺積電 芯片設計

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• 發(fā)布了文章 2025-03-07 11:10

  SiC與GaN技術專利競爭：新興電力電子領域的創(chuàng)新機遇

  

  在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動汽車(EV)、可再生能源系統(tǒng)和先進通信技術等應用。專利申請通常是一個領域研發(fā)和商業(yè)活動水平的有力指標。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎的電力電子技術的專利申請趨勢在過去十年

  GaN SiC 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2025-03-05 13:56

  三星電子成功研發(fā)量子耐性安全芯片S3SSE2A 應對未來網(wǎng)絡安全挑戰(zhàn)

  

  近日，三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部宣布成功研發(fā)出一款名為S3SSE2A的安全芯片，以應對不斷發(fā)展的量子電腦技術所帶來的網(wǎng)絡安全威脅。這款芯片不僅已完成樣品出貨準備，更在行業(yè)內率先采用了量子耐性口令(PQC)技術，標志著三星在移動產品安全領域的又一重要進展。量子計算機的快速發(fā)展正在對傳統(tǒng)的公鑰加密(PKC)技術構成嚴重威脅?，F(xiàn)有的加密算法，如RSA和ECC等，在面

  三星電子 網(wǎng)絡安全 量子芯片

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• 發(fā)布了文章 2025-03-05 13:53

  詳解晶閘管工作原理，全面掌握開關控制技術

  

  晶閘管是具有雙穩(wěn)態(tài)行為的三端電子元件。控制端稱為“門極”(G)。另外兩個端子，陽極(A)和陰極(K)，與負載串聯(lián)導通電流，并且能夠承受高電壓。這些元件被用作電子開關。簡介晶閘管用于直流和交流電路中的開關和功率控制電路。與晶體管不同，大多數(shù)晶閘管的門極信號可以移除，它們仍會保持導通狀態(tài)。晶閘管設計用于處理高電流和高電壓，甚至超過1kV或100A。它們是具有四個

  二極管 控制電路 晶閘管 電子元件

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• 發(fā)布了文章 2025-03-04 11:44

  浮思特 | 直流(DC)電源的基礎知識與應用解析

  

  直流(DC)電源是電氣和電子電路中的基本組件，提供恒定的電位差，驅動單向電流流動。與周期性變化極性的交流電(AC)源不同，直流電壓源保持穩(wěn)定的輸出，這使其在廣泛的應用中不可或缺。常見的例子包括電池、太陽能電池和直流電源，它們?yōu)閺男⌒碗娮釉O備到大型工業(yè)系統(tǒng)的各種設備提供能量。這些電源在為設備供電方面發(fā)揮著至關重要的作用，確保在需要穩(wěn)定電壓的電路中可靠運行。除了

  電子設備 直流電源

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• 發(fā)布了文章 2025-03-04 11:42

  全球化合物半導體市場預計到2030年將達250億美元！

  

  根據(jù)YoleGroup最近公布的市場預測，全球化合物半導體市場到2030年的市場規(guī)模有望達到約250億美元。這一預測顯示了化合物半導體行業(yè)在未來幾年的快速擴張潛力，特別是在汽車和移動出行領域的應用。YoleGroup指出，化合物半導體市場將在2024年至2030年間以接近13%的復合年增長率迅速增長。這一增長主要得益于多個因素的驅動，包括電動汽車的普及、智能

  SiC 化合物半導體 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-03-03 11:43

  SemiQ第三代SiC MOSFET：車充與工業(yè)應用新突破

  

  SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產品基礎上實現(xiàn)突破性升級，芯片面積縮小20%，開關損耗更低，能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產品專為電動汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電源及電機驅動等場景打造，在熱管理性能和系統(tǒng)集成便利性方面均有顯著提升。圖1核心性能亮點：?總開關損耗降低至1646微焦耳?爬電距離擴展至9毫米?柵極驅動電壓優(yōu)化

  MOSFET SiC 車充

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