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芯長征科技

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先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

前面分享了先進(jìn)封裝的四要素一分鐘讓你明白什么是先進(jìn)封裝,今天分享一下先進(jìn)封裝四要素中的再布線(RDL....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:17 ?5318次閱讀
先進(jìn)封裝中的RDL技術(shù)是什么

GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實踐

GaN器件當(dāng)前被稱作HEMT(高電子遷移率晶體管),此類高電子遷移率的晶體管應(yīng)用于諸多電子設(shè)備中,如....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 07-09 11:13 ?4216次閱讀
GAN功率器件在機(jī)器人上的應(yīng)用實踐

車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

從電源設(shè)計到照明控制,車燈電子系統(tǒng)的每一個環(huán)節(jié)都蘊(yùn)含著豐富的技術(shù)原理,而 DC-DC 電源技術(shù)更是其....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:48 ?2057次閱讀
車燈電子系統(tǒng)的DC-DC電源技術(shù)解析

半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

WAT(Wafer Acceptance Test)測試,也叫PCM(Process Control....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-28 10:26 ?4347次閱讀
半導(dǎo)體WAT測試的常見結(jié)構(gòu)

MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS管

在設(shè)計驅(qū)動電路時,經(jīng)常會用到MOS管做開關(guān)電路,而在驅(qū)動一些大功率負(fù)載時,主控芯片并不會直接驅(qū)動大功....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-06 10:27 ?3593次閱讀
MCU為什么不能直接驅(qū)動大功率MOS管

碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

碳化硅MOS驅(qū)動電壓選擇15V還是18V,是電力電子設(shè)計中的關(guān)鍵權(quán)衡問題。這兩種電壓對器件的導(dǎo)通損耗....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-04 09:22 ?2477次閱讀
碳化硅MOS驅(qū)動電壓如何選擇

MOSFET熱阻參數(shù)解讀

MOSFET的熱阻(Rth)用來表征器件散熱的能力,即芯片在工作時內(nèi)部結(jié)產(chǎn)生的熱量沿著表面金屬及塑封....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 06-03 15:30 ?2525次閱讀
MOSFET熱阻參數(shù)解讀

晶圓表面缺陷類型和測量方法

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,晶圓堪稱核心基石,其表面質(zhì)量直接關(guān)乎芯片的性能、可靠性與良品率。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 16:00 ?4210次閱讀
晶圓表面缺陷類型和測量方法

芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

航天器在太空服役時,由于無大氣層保護(hù)使電子器件直接收到太空環(huán)境中的太空輻射和高能粒子沖擊,進(jìn)而引發(fā)各....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 10:21 ?4457次閱讀
芯片封裝抗輻照技術(shù)研究

詳解儲能系統(tǒng)黑啟動技術(shù)

儲能系統(tǒng)的“黑啟動”是指在電力系統(tǒng)發(fā)生大規(guī)模停電或故障后,利用儲能系統(tǒng)作為備用電源,重新啟動電網(wǎng)的過....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-29 10:16 ?4737次閱讀
詳解儲能系統(tǒng)黑啟動技術(shù)

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻(RDSON)指的是在規(guī)定的測試條件下,使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(工作在線性區(qū)),漏....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-26 15:09 ?5201次閱讀
MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對比

本文由愛爾蘭東南理工大學(xué)的David Culliton等人合作撰寫。本文綜述了鋰離子電池的產(chǎn)熱機(jī)制,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-26 14:56 ?3250次閱讀
電池?zé)峁芾硐到y(tǒng)技術(shù)的最新進(jìn)展與性能對比

注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-21 14:15 ?2103次閱讀
注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

在芯片制造的納米世界里,閾值電壓(Threshold Voltage, Vth)如同人體的“血壓值”....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-21 14:10 ?3645次閱讀
晶圓接受測試中的閾值電壓測試原理

芯長征SiC功率模塊榮獲2025金芯獎新銳產(chǎn)品獎

此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-19 15:24 ?1727次閱讀

新能源純電動汽車無法行駛故障分析

車輛不能正常行駛,拖車拖到店面,診斷電腦讀取數(shù)據(jù)流報電機(jī)控制器故障碼,電池包內(nèi)部沒有任何故障,單體電....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:34 ?2406次閱讀
新能源純電動汽車無法行駛故障分析

MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:32 ?5089次閱讀
MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

GaN與SiC功率器件深度解析

本文針對當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-15 15:28 ?2538次閱讀
GaN與SiC功率器件深度解析

芯長征科技亮相2025中國北京國際科技產(chǎn)業(yè)博覽會

此前,5 月 8 日至 11 日,第二十七屆中國北京國際科技產(chǎn)業(yè)博覽會在國家會議中心盛大舉辦。本屆科....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 05-13 18:13 ?1080次閱讀

IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-25 09:38 ?3717次閱讀
IGBT的應(yīng)用可靠性與失效分析

芯長征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

近日,為期3天的慕尼黑上海電子展在上海新國際博覽中心圓滿收官。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-21 11:14 ?1195次閱讀
芯長征2025慕尼黑上海電子展圓滿收官

負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場景

你是否想過,為什么手機(jī)在高溫下會自動降頻?電動汽車的電池為何不會過熱爆炸?甚至醫(yī)院里的體溫計為何能精....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-10 14:40 ?3187次閱讀
負(fù)溫度系數(shù)電阻的定義和應(yīng)用場景

驅(qū)動芯片選型的關(guān)鍵因素

電驅(qū)系統(tǒng)的驅(qū)動芯片是連接控制系統(tǒng)與電機(jī)之間的關(guān)鍵部件,其主要作用是將控制信號轉(zhuǎn)換為驅(qū)動電機(jī)所需的功率....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-09 14:03 ?2028次閱讀
驅(qū)動芯片選型的關(guān)鍵因素

如何計算晶圓中芯片數(shù)量

在之前文章如何計算芯片(Die)尺寸?中,討論了Die尺寸的計算方法,在本文中,將討論如何預(yù)估一個晶....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 04-02 10:32 ?4531次閱讀
如何計算晶圓中芯片數(shù)量

詳解晶圓級可靠性評價技術(shù)

隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性(Wafer L....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-26 09:50 ?2151次閱讀
詳解晶圓級可靠性評價技術(shù)

800V低成本壓縮機(jī)控制方案

目前電動汽車正向智能化,高壓化方向發(fā)展,前者在于提升汽車智能性,后者在于改善汽車充電時間等特性.為此....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-20 09:44 ?2443次閱讀
800V低成本壓縮機(jī)控制方案

基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 03-01 14:37 ?2398次閱讀
基于Si IGBT/SiC MOSFET的混合開關(guān)器件綜述

芯片封裝可靠性測試詳解

可靠性,作為衡量芯片封裝組件在特定使用環(huán)境下及一定時間內(nèi)損壞概率的指標(biāo),直接反映了組件的質(zhì)量狀況。
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-21 16:21 ?4105次閱讀
芯片封裝可靠性測試詳解

半導(dǎo)體芯片制造中的檢測和量測技術(shù)

質(zhì)量控制設(shè)備是芯片制造的關(guān)鍵核心設(shè)備之一,對于確保芯片生產(chǎn)的高良品率起著至關(guān)重要的作用。集成電路制造....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-20 14:20 ?5595次閱讀
半導(dǎo)體芯片制造中的檢測和量測技術(shù)

芯片互連技術(shù)深度解析:焊球、銅柱與微凸點的奧秘

隨著電子設(shè)備向小型化、高性能化發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在不斷演進(jìn)。高密度芯片封裝是滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品需求的....
的頭像 芯長征科技 發(fā)表于 02-20 10:06 ?4196次閱讀
芯片互連技術(shù)深度解析:焊球、銅柱與微凸點的奧秘
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