IGBT的續(xù)流二極管是個(gè)很有意思的東西，對模塊整體的性能影響很大，今天就聊聊它。

“光伏”是當(dāng)下新能源行業(yè)的熱門話題。隨著全球能源危機(jī)不斷加劇，太陽能作為一種綠色、可再生的能源逐漸受....

在過去的二十年，MOSFET主要用作開關(guān)器件，得到了長足的發(fā)展，由于它是多子器件，有相對較小的開關(guān)損....

隨著電動(dòng)汽車和可再生能源的不斷普及，功率半導(dǎo)體市場正迎來顯著增長，并在封裝領(lǐng)域發(fā)生巨大變革。封裝的復(fù)....

? 面向消費(fèi)者的便攜式儲(chǔ)能是儲(chǔ)能市場新的藍(lán)海分支，一方面行業(yè)正處于高速發(fā)展期，另一方面產(chǎn)品具有消費(fèi)品....

在過去的二十年間，MOSFET作為開關(guān)器件發(fā)展迅速。然而，由于MOSFET的通態(tài)功耗較高，導(dǎo)通電阻受....

在我們進(jìn)入超結(jié)MOSFET的細(xì)節(jié)之前，我們先了解一些背景知識。

引言：雙極晶體管由于是基極電流驅(qū)動(dòng)，因此電流平衡容易被基極-發(fā)射極電壓VBE的波動(dòng)所破壞，使得并聯(lián)連....

PC電源是一個(gè)無工頻變壓器的四路開關(guān)穩(wěn)壓電源，其中涉及整流、高頻變化和脈寬調(diào)制技術(shù);其具有體積小、效....

當(dāng)前，在國際節(jié)能環(huán)保的大趨勢下，SiCIGBT芯片下游的新能源汽車、變頻家電、新能源發(fā)電等領(lǐng)域迅速發(fā)....

TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式，常用于MOSFET。

功率MOSFET需要在鋰離子電池組內(nèi)部和輸出負(fù)載之間串聯(lián)。同時(shí)，專用IC用于控制MOSFET的開啟和....

如圖1所示，VDMOS結(jié)構(gòu)就是P型注入和N+注入后兩次擴(kuò)散形成P型區(qū)和N+型區(qū)，在硅表面P型區(qū)和N+....

IGBT等功率器件具有稱為“短路耐受時(shí)間（SCWT：Short Circuit Withstand ....

在MOS管的上下橋驅(qū)動(dòng)中，有這種現(xiàn)象。如下圖，一個(gè)管子處在米勒平臺(tái)的時(shí)候，會(huì)給另一個(gè)管子的Vgs電壓....

? “兵馬未動(dòng)，糧草先行”，各路IC英雄是否備好了Hamburger&Chips來迎接下一次的遠(yuǎn)征。....

逆變器中使用的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effe....

Buck 變換器是一種輸出電壓低于輸入電壓的非隔離型直流變換器，其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如下所示。Buck 電路輸....

從上述分析可以看出，buck-boost拓?fù)漭斎險(xiǎn)i和輸出Uo正負(fù)方向相反。當(dāng)把電感L等效為兩個(gè)電感....

高側(cè)開關(guān)就是負(fù)載是接地的，開關(guān)相對于負(fù)載處于高電位，如下圖所示。如果將開關(guān)和負(fù)載的位置互換，就是低側(cè)....

Buck電路，也就是常說的降壓電路，為直流進(jìn)-直流出。電路沒有變壓器，輸入輸出公共一個(gè)地。下圖為Bu....

2024年5月9日，芯長征科技集團(tuán)（簡稱“芯長征”）新能源電子封測產(chǎn)線在中國榮成順利通線并隆重舉行通....

近日，芯長征在UL認(rèn)證專業(yè)機(jī)構(gòu)安可捷協(xié)助下，成功完成IGBT模組的UL認(rèn)證流程，為公司的產(chǎn)品研發(fā)與市....

功率型芯片于控制單元中主要負(fù)責(zé)具有高功率負(fù)載的控制電路，是可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)中電力控制與管理的關(guān)鍵零件，由于....

三極管的結(jié)構(gòu)是給一塊純硅進(jìn)行三層摻雜，其中較窄區(qū)域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區(qū)域普通....

功率半導(dǎo)體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是....

其中，有一個(gè)插圖，知識星球里有朋友不明白每層的構(gòu)造原理，這里我來剖析一下。

汽車電子對元件的工作溫度要求比較寬，根據(jù)不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于民用產(chǎn)品的要求。

碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動(dòng)能力要求相對低等特點(diǎn)， 是替代高壓硅MO....

據(jù)日本研究人員報(bào)告，通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性....