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芯長(zhǎng)征科技

文章:394 被閱讀:149.9w 粉絲數(shù):80 關(guān)注數(shù):0 點(diǎn)贊數(shù):32

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碳化硅的特性、應(yīng)用及動(dòng)態(tài)測(cè)試

SiC是碳化硅的縮寫(xiě)。它是一種由硅原子和碳原子組成的化合物。碳化硅以其優(yōu)異的性能著稱(chēng),是一種用途廣泛....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-09 09:41 ?2473次閱讀

SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-04 09:45 ?4332次閱讀
SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析

淺談光伏逆變器的分類(lèi)

逆變器的分類(lèi)方法很多,按照源流性質(zhì)可分為有源逆變器和無(wú)源逆變器,根據(jù)逆變器輸入交流電壓相數(shù)可分為單相....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-04 09:44 ?2851次閱讀
淺談光伏逆變器的分類(lèi)

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要: 碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能,表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景,其中金屬-氧化物-場(chǎng)效應(yīng)晶體....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-04 09:41 ?5539次閱讀
3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

傳感器技術(shù)的變化及其原因

IMEC 項(xiàng)目經(jīng)理 Pawel Malinowski 與 Semiconductor Enginee....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-03 09:44 ?1123次閱讀
傳感器技術(shù)的變化及其原因

IGBT芯片主要用在哪兒

如今全球的汽車(chē)已經(jīng)進(jìn)入到智能化時(shí)代,汽車(chē)對(duì)于芯片的需求劇烈增加,以往一個(gè)傳統(tǒng)汽車(chē)需要的芯片數(shù)量是在五....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-03 09:43 ?2773次閱讀
IGBT芯片主要用在哪兒

功率模塊銅線(xiàn)鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

為了提高功率模塊銅線(xiàn)鍵合性能,采用6因素5水平的正交試驗(yàn)方法,結(jié)合BP(Back Propaga‐t....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 01-03 09:41 ?2852次閱讀
功率模塊銅線(xiàn)鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)方案

6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

2023年12月,日本Novel Crystal Technology宣布采用垂直布里奇曼(VB)法....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-29 09:51 ?3022次閱讀
6英寸β型氧化鎵單晶成功制備

功率器件與集成電路的區(qū)別

在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-29 09:36 ?2787次閱讀

功率半導(dǎo)體器件知識(shí)科普

功率半導(dǎo)體通過(guò)對(duì)電流與電壓進(jìn)行調(diào)控實(shí)現(xiàn)電能在系統(tǒng)中的形式轉(zhuǎn)換與傳輸分配,能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制,....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-27 09:47 ?2042次閱讀
功率半導(dǎo)體器件知識(shí)科普

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-27 09:41 ?5135次閱讀
碳化硅器件封裝技術(shù)解析

什么是宇宙射線(xiàn)?宇宙射線(xiàn)導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

眾所周知,IGBT失效是IGBT應(yīng)用中的難題。大功率IGBT作為系統(tǒng)中主電路部分的開(kāi)關(guān)器件,失效后將....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-27 09:39 ?5148次閱讀
什么是宇宙射線(xiàn)?宇宙射線(xiàn)導(dǎo)致IGBT失效的機(jī)理

可性能翻倍的新型納米片晶體管

IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點(diǎn)下表現(xiàn)出近乎兩倍的性能提升。這一成就預(yù)計(jì)將帶來(lái)多項(xiàng)技術(shù)進(jìn)步,并可能....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-26 10:12 ?1391次閱讀

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來(lái)說(shuō),高溫?cái)U(kuò)散工....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-22 09:41 ?5708次閱讀
碳化硅離子注入和退火工藝介紹

SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱(chēng)為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-22 09:37 ?2460次閱讀
SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

Chiplet,困難重重

到目前為止,第三方chiplet的使用情況參差不齊。普遍的共識(shí)是,第三方芯粒市場(chǎng)將在某個(gè)時(shí)候蓬勃發(fā)展....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-20 16:23 ?1297次閱讀
Chiplet,困難重重

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅(SiC)材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-20 13:46 ?4712次閱讀
8英寸SiC晶體生長(zhǎng)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展

英特爾是三者中最早演示 CFET 的,早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次,英....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-19 11:15 ?1442次閱讀
英特爾、三星和臺(tái)積電公布下一代晶體管進(jìn)展

SiC相對(duì)于Si有哪些優(yōu)勢(shì)?

更高的擊穿場(chǎng)允許器件在給定區(qū)域承受更高的電壓。這使得器件設(shè)計(jì)人員能夠在相同的芯片尺寸下增加用于電流流....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-19 09:41 ?2172次閱讀
SiC相對(duì)于Si有哪些優(yōu)勢(shì)?

MOSFET的并聯(lián)使用

MOSFET的并聯(lián)使用
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-19 09:40 ?2250次閱讀
MOSFET的并聯(lián)使用

什么是IGBT?IGBT的工作原理

IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-18 09:40 ?10800次閱讀
什么是IGBT?IGBT的工作原理

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比,第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-18 09:37 ?4841次閱讀
碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-15 09:45 ?5513次閱讀
三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-15 09:42 ?8134次閱讀
SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

什么是IGCT?什么是IGBT??jī)烧哂泻螀^(qū)別與聯(lián)系

IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor),中文名稱(chēng):集成....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-14 09:48 ?38937次閱讀
什么是IGCT?什么是IGBT??jī)烧哂泻螀^(qū)別與聯(lián)系

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

摘 要:針對(duì)Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問(wèn)題,給出了Boost電路中功率模....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-14 09:37 ?3784次閱讀
Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對(duì)比研究

功率芯片是什么?功率芯片有哪些?

近年來(lái),我國(guó)已成為全球發(fā)電量第一的大國(guó)。電能一直是人類(lèi)消耗的最大能源,是目前最為重要的一種能源形式之....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-13 10:32 ?12462次閱讀
功率芯片是什么?功率芯片有哪些?

碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

一是可以直接利用,特別是在偏遠(yuǎn)或者離網(wǎng)區(qū)域;二是它足夠多:據(jù)計(jì)算,海平面上,每平方米每天可產(chǎn)生1kW....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-13 09:52 ?1786次閱讀
碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢(shì)

當(dāng)前的新能源車(chē)的模塊系統(tǒng)由很多部分組成,如電池、VCU、BSM、電機(jī)等,但是這些都是發(fā)展比較成熟的產(chǎn)....
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-11 17:17 ?7120次閱讀
IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域和性能優(yōu)勢(shì)

芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)概述

應(yīng)對(duì)網(wǎng)絡(luò)威脅正在成為芯片和系統(tǒng)設(shè)計(jì)的一個(gè)組成部分,并且更加昂貴和復(fù)雜。
的頭像 芯長(zhǎng)征科技 發(fā)表于 12-11 10:03 ?1887次閱讀
芯片設(shè)計(jì)的核心技術(shù)與關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)概述
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