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鴻之微

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鐵素體鋼中B和C的P致脆和脫脆效應(yīng)的第一性原理研究

晶界(GB)偏析可以顯著改變力學(xué)性能,要通過控制GB來調(diào)控性能,需要了解添加不同元素對(duì)偏析行為影響。....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-23 14:36 ?1846次閱讀

MOMAP對(duì)azulene的S1→S0的輻射速率和內(nèi)轉(zhuǎn)換速率的計(jì)算結(jié)構(gòu)優(yōu)化

基于基態(tài)結(jié)構(gòu),做S0和S1之間的非絕熱耦合計(jì)算。點(diǎn)擊azulene_s0.hzw,右擊點(diǎn)擊copy,....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-23 11:03 ?4754次閱讀

Nanodcal半導(dǎo)體器件介紹

Nanodcal是一款基于非平衡態(tài)格林函數(shù)-密度泛函理論(NEGF - DFT)的第一性原理計(jì)算軟件....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-23 09:53 ?5404次閱讀

Nanodcal自旋器件

自洽計(jì)算:連接服務(wù)器 (請(qǐng)參見Device Studio的工具欄中help→help Topic→7....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-18 14:59 ?2886次閱讀

界面化學(xué)鍵原子水平調(diào)控異質(zhì)結(jié)光催化劑性能!

在這項(xiàng)工作中,通過電化學(xué)膨脹法將BP塊體剝離為BP納米片,同時(shí)利用BP納米片邊緣P原子具有不飽和的配....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-18 14:55 ?2264次閱讀

深入了解稀土在表面處理技術(shù)中發(fā)揮的作用

在文中,首先計(jì)算了體心立方鐵的體結(jié)構(gòu)和表面結(jié)構(gòu)性能,計(jì)算了氮的吸附性能,與其它文獻(xiàn)計(jì)算或?qū)嶒?yàn)的結(jié)果吻....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-18 11:19 ?1832次閱讀

NiO的DFT+U的電子結(jié)構(gòu)

對(duì)于過渡族金屬元素主要是3d族,當(dāng)然也包括4d,5d族,和稀土元素,主要是鑭系;這些元素形成的合金或....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-17 14:54 ?4103次閱讀

鈦合金晶界析出相形態(tài)變化機(jī)理!

模擬結(jié)果表明,α析出相沿GBP的橫向生長和由來自GBα的α板條演變之間的動(dòng)態(tài)相互作用決定了最終的形貌....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-16 15:08 ?4276次閱讀

一款擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基于第一性原理的輸運(yùn)軟件

初學(xué)者可以根據(jù) Nanodcal 自動(dòng)默認(rèn)的 k-spacegrids.number 值來進(jìn)行設(shè)置。....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-16 10:27 ?2299次閱讀

三類可以促進(jìn)催化降解性能的原電池結(jié)構(gòu)

文中,作者結(jié)合電化學(xué)表征及TEM表征提出了三類可以促進(jìn)催化降解性能的原電池結(jié)構(gòu):第一類原電池由非晶組....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-16 10:21 ?1773次閱讀

量化軟件BDF的計(jì)算

根據(jù)Kasha規(guī)則,由于高激發(fā)態(tài)之間存在快速的無輻射躍遷,分子的熒光或磷光的初始狀態(tài)是最低的單重態(tài)或....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-15 14:10 ?3334次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之BDF(下)

Device Studio(簡稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-14 16:01 ?2684次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之BDF(上)

Device Studio(簡稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-12 10:38 ?3420次閱讀

碳化鎢表面的吸附和分解反應(yīng)機(jī)理

氨氣催化分解制氫技術(shù)是指在固體催化劑的作用下將氨氣轉(zhuǎn)化為清潔燃料氫氣。這項(xiàng)技術(shù)不僅可以消除氨氣的大氣....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-11 11:35 ?3029次閱讀

DS-PAW應(yīng)用實(shí)例

上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實(shí)例之DS-PAW應(yīng)用實(shí)例上半部分的內(nèi)容,本期....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-11 10:05 ?3633次閱讀

振動(dòng)光譜的前景

近日,掃描透射電子顯微鏡(STEM)中的振動(dòng)電子能量損失光譜(EELS)成為探測材料振動(dòng)響應(yīng)的有力手....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-10 10:50 ?1674次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之DS-PAW

上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實(shí)例之TOPS應(yīng)用實(shí)例下半部分的內(nèi)容,本期將介....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-10 10:46 ?4050次閱讀

用鴻之微Nanodcal軟件研究單層MA2Z4電子結(jié)構(gòu)和輸運(yùn)特性

在具有內(nèi)稟反演對(duì)稱性破缺的二維(2D)材料中,電子除了具有電荷與自旋自 由度以外,還具有位于第一布里....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-10 10:42 ?4150次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之TOPS應(yīng)用實(shí)例

精確計(jì)算幾乎任意拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)體系中的目標(biāo)相結(jié)構(gòu)的自由能,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定相結(jié)構(gòu)的預(yù)測、構(gòu)建相圖和分析機(jī)理。 適....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-08 11:14 ?2646次閱讀

超分子聚集體的高效率RTP模型和思路

這項(xiàng)工作不僅報(bào)道了一維π-π堆積誘導(dǎo)的高效率RTP,為探索超分子聚集體的高效率RTP提供了重要的模型....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-08 09:49 ?2740次閱讀

半莫爾填充魔角扭曲雙層石墨烯的自旋軌道驅(qū)動(dòng)鐵磁性

自旋軌道耦合(SOC),作為形成某些拓?fù)湎嗟幕境煞?,為moiré結(jié)構(gòu)的拓?fù)涮匦栽O(shè)計(jì)提供了一個(gè)額外的....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-05 15:45 ?1417次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之VASP(下)

Device Studio(簡稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-04 14:26 ?4495次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之VASP(上)

Device Studio(簡稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-04 10:43 ?3850次閱讀

手性與自旋—手性甲硫氨酸分子的自旋極化輸運(yùn)和光電流選擇性

綜上,手性誘導(dǎo)的自旋選擇性效應(yīng)在推動(dòng)自旋電子學(xué)器件革命的同時(shí),也啟發(fā)了人們對(duì)生命和地球的新一輪探索。....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-03 15:20 ?3047次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之MOMAP

Device Studio(簡稱:DS)作為鴻之微的材料設(shè)計(jì)與仿真軟件,能夠進(jìn)行電子器件的結(jié)構(gòu)搭建與....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-03 14:54 ?3276次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之MOMAP應(yīng)用實(shí)例

MOMAP的軟件功能結(jié)構(gòu)如圖8.7-1所示,能夠根據(jù)其他量化軟件計(jì)算得到分子基態(tài)、激發(fā)態(tài)信息,利用電....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-02 14:30 ?2917次閱讀

量子點(diǎn)LED中的電荷載流子動(dòng)力學(xué)

無機(jī)膠體量子點(diǎn)(QDs)具有良好的色飽和度、色可調(diào)性、高的光致發(fā)光量子產(chǎn)率、熱穩(wěn)定性和電穩(wěn)定性,是一....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 08-02 14:27 ?2017次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之STEMS應(yīng)用實(shí)例

上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實(shí)例之STEMS應(yīng)用實(shí)例上半部分的內(nèi)容,本期將....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 07-30 11:06 ?3574次閱讀

Device Studio應(yīng)用實(shí)例之Nanoskim應(yīng)用實(shí)例

如生成純硅器件結(jié)構(gòu)的準(zhǔn)備文件,分別選中 Hamiltonian、Bandstructure 設(shè)置參數(shù)....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 07-28 14:53 ?1925次閱讀

一種高效的合金設(shè)計(jì)新策略:耦合計(jì)算熱力學(xué)方法和機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)

該項(xiàng)研究工作以Al-Si-Mg-Sr四元體系為研究對(duì)象,首先統(tǒng)一了Al-Si-Mg-Sr四元體系所有....
的頭像 鴻之微 發(fā)表于 07-28 14:50 ?3272次閱讀
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