Device Studio之Nanoskim應(yīng)用實例介紹
Nanoskim 即 Nanostructure Slater-Koster Integrals M....
兩種絡(luò)合物電子結(jié)構(gòu)和光化學(xué)性質(zhì)
單態(tài)氧是一種處于激發(fā)態(tài)的活性氧，具有獨特的電子結(jié)構(gòu)和較強(qiáng)的氧化性，并且氧化后不產(chǎn)生有毒有害的副產(chǎn)物，....
Device Studio應(yīng)用實例之Nanodcal應(yīng)用實例
上一期的教程給大家介紹了Device Studio亮點功能7.7-7.9的內(nèi)容，本期將介紹Devic....
Device Studio亮點功能介紹
上一期的教程給大家介紹了Device Studio亮點功能7.4-7.6的內(nèi)容，本期繼續(xù)介紹Devi....
一種量子化學(xué)與分子力學(xué)結(jié)合的方法
本專題將介紹一種量子化學(xué)與分子力學(xué)結(jié)合的方法（QM/MM方法），該方法既包括量子化學(xué)的精確性，又利用....
新型類石墨烯基海水淡化反滲透膜的重要研究成果
理論上，原子厚度的膜可以導(dǎo)致很高透水率，由于水通量與膜厚度成反比關(guān)系，在這些材料中，石墨烯材料表現(xiàn)出....
材料領(lǐng)域的工業(yè)軟件現(xiàn)狀與國產(chǎn)化替代分析
材料數(shù)據(jù)庫的銳增引導(dǎo)的材料新性質(zhì)的發(fā)現(xiàn)。近年來，“AI+生物醫(yī)藥”已經(jīng)被大家廣泛熱追，再有特種材料、....
Device Studio應(yīng)用實例之RESCU應(yīng)用實例
對于RESCU計算，選中其在Device Studio的Project Explorer區(qū)域任何一個....
梯度結(jié)構(gòu)材料的力學(xué)行為及其內(nèi)在微觀機(jī)理
在三維多尺度離散位錯動力學(xué)框架中建立了梯度晶粒結(jié)構(gòu)（圖1a, b）及其對應(yīng)的均勻晶粒結(jié)構(gòu)多晶模型。采....
晶界偏析工程，提高合金強(qiáng)度和韌性！
孿晶界 (TB) 對各種合金的成型性和機(jī)械性能至關(guān)重要。本文以Ti {10-12}和{10-11}T....
Device Studio應(yīng)用實例之Nanodcal應(yīng)用
在Device Studio的Project Explorer區(qū)域選中本征態(tài)計算結(jié)果文件 Eigen....
Device Studio應(yīng)用實例之RESCU應(yīng)用
RESCU 可以使用各類計算機(jī)資源，從筆記本電腦、桌面單機(jī)、到16核、64核、256核、到更大的超算....
淺談Device Studio亮點功能
Device Studio具有顯示 LAMMPS運動軌跡 的功能，LAMMPS運動軌跡文件的后綴名為....
導(dǎo)致醛類分子缺少ESPIT熒光發(fā)射帶的原因分析
通過密度泛函理論(DFT)和波函數(shù)從頭算方法(NEVPT2)，本項目研究了10 個酮分子和5個醛分子....
QM/MM幾何構(gòu)型優(yōu)化計算的python腳本
對于激發(fā)態(tài)我們往往需要得到理論預(yù)測的吸收譜峰形，也就是將每個激發(fā)態(tài)的吸收按一定的半峰寬進(jìn)行高斯展寬。....
QUANTUMESPRESSO在Device Studio中的應(yīng)用
目前用戶可通過Device Studio進(jìn)行 QUANTUM ESPRESSO 以下性質(zhì)的計算： 結(jié)....
一種普適的原子尺度氫脆量化機(jī)制
具體而言，對于完美晶體而言，當(dāng)氫原子被金屬的晶格間隙捕獲，將會導(dǎo)致間隙局域電子密度增加，使得間隙處P....
Device Studio應(yīng)用實例之LAMMPS應(yīng)用實例
上一期的教程給大家介紹了Device Studio應(yīng)用實例之Nanodcal應(yīng)用實例的內(nèi)容，本期將介....
Device Studio亮點功能
Device Studio在Windows系統(tǒng)下，針對Nanodcal、RESCU新增一鍵計算功能。....
異構(gòu)層狀材料微結(jié)構(gòu)與力學(xué)性能關(guān)聯(lián)的本構(gòu)建模分析
通過分析發(fā)現(xiàn)，層狀材料中界面引入的非均勻變形程度以及非均勻變形區(qū)域的大小是主導(dǎo)其單拉力學(xué)響應(yīng)的關(guān)鍵，....
Device Studio結(jié)構(gòu)操作內(nèi)容
對于結(jié)構(gòu)的操作，用戶可先仔細(xì)閱讀工具欄（Toolbars）中各快捷圖標(biāo)的功能描述，再根據(jù)需要對結(jié)構(gòu)進(jìn)....
Device Studio結(jié)構(gòu)操作的內(nèi)容
Device Studio支持從ZY、XY、XZ、YZ、YX和ZX面觀察結(jié)構(gòu)的3D視圖，如在3D顯示....
一種低成本的Co/Ni二元納米顆粒修飾的CW電極
本文通過木材基體上的羥基與浸泡金屬離子之間的配位鍵，得到了分布均勻的Co-Ni納米粒子。隨后，高溫煅....
節(jié)線拓?fù)浒虢饘贀碛械碾娮咏Y(jié)構(gòu)
拓?fù)洳牧献鳛橐活惥哂歇毺亓孔游飸B(tài)性質(zhì)的特殊材料，其相關(guān)研究受到科研人員的廣泛關(guān)注和重視。
三個不同激發(fā)態(tài)的D-A小分子材料
激發(fā)態(tài)的性質(zhì)對材料的光電性能起著決定性的作用，根據(jù)波函數(shù)的重疊程度，激發(fā)態(tài)可以被分為兩種經(jīng)典的類型，....
Device Studio支持的文件類型及結(jié)構(gòu)建模5.1-5.3的內(nèi)容
Device Studio支持從本地或在線數(shù)據(jù)庫導(dǎo)入結(jié)構(gòu)，或在導(dǎo)入結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上搭建新的結(jié)構(gòu)，支持創(chuàng)建....
Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.7-5.8內(nèi)容
上一期的教程給大家介紹了Device Studio支持的文件類型及結(jié)構(gòu)建模5.4-5.6的內(nèi)容，本期....
利用高分辨率透射電鏡在UO2雙晶中觀察到了兩種特殊的GBs
研究發(fā)現(xiàn)對鈾原子在GB的分布是由鈾-氧相互作用造成的。CRG和Yakub勢的這種優(yōu)勢與之前的研究一致....
Device Studio簡介
彈出新建項目界面，用戶可使用該界面創(chuàng)建新的項目，項目文件的后綴名為 .hpf 。用戶可根據(jù)需要對該項....
Au納米晶體在剪切加載下通過孿晶界滑移主導(dǎo)的塑性變形機(jī)制
原子尺度動態(tài)分析表明，Au納米孿晶的塑性變形由4種特征的位錯機(jī)制參與（如示意圖2A）。這4種不同位錯....
