多年來，工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項艱巨的任務。大多數(shù)公司將研究重點集中在減小用于能量轉換的無源組件的尺寸上。
2020-08-25 14:36:01
5150 
TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應用于風電、電機驅動和靜態(tài)無功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:154677 
隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術發(fā)展的方向。那么，電源的小型化主要由哪些因素決定呢？
2015-09-09 11:11:072290 為了更好地理解對功率密度的關注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:142070 
在本文中，我們將討論一些設計技術，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541594 
提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應用和產(chǎn)品。這篇博客向設計工程師介紹了意法半導體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術，幫助
2023-11-16 13:28:339931 
鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332072 
相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現(xiàn)對電機驅動應用的高可控性。
2020-04-30 07:19:00986 日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。
2021-03-24 16:58:211873 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 09:30:523464 40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
技術開始走俏起來。在本文中，小編將為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT設計過程中存在的一個問題講解，那就是當驅動芯片的額定輸出功率密度相對不足時，這一現(xiàn)象會導致器件的老化加速。如果IGBT設計過程中出現(xiàn)這個問題，并且
2018-08-14 15:05:21
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關鍵金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導體Toshiyuki Iimura
2018-10-18 09:14:21
推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM
2019-05-11 19:39:49
采用諧振電感與變壓器磁集成設計，配合GaN高頻特性，進一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術實現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件） （薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責：1、負責采用軟開關拓撲3kW-10kW的DCDC硬件方面設計；2、負責高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)
2017-09-06 17:28:43
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
前言相對傳統(tǒng)工頻焊機，逆變焊機在變壓器體積、有效功率輸出及焊機輸出電壓、電流穩(wěn)定性方面都具先天優(yōu)勢，在可預見的未來將逐步占領焊機行業(yè)的主導地位。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:01:33
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高
2022-04-12 11:07:51
漏感能量損耗，限制了QR反激式轉換器的最大開關頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高
2022-06-14 10:14:18
在PFC電路中使用升壓轉換器提高功率密度
2022-11-02 19:16:13
了功率密度本設計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標準足夠的保證金。
2023-06-16 09:04:37
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)
2019-03-01 09:52:45
本文充分利用CPLD的特點，設計了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強和可靠性高等優(yōu)點的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個SSPC，各個功率開關問相互獨立工作，進一步提高了功率密度。
2021-04-30 06:08:29
，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標準封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術指標有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱
2016-01-25 11:29:20
實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設計的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？
2013-10-16 16:32:02
整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉換設備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心
2020-10-27 10:46:12
在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度。”
2019-08-06 07:20:51
適配器。此外，不同的便攜式設備內(nèi)部的電池數(shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓撲結構， 去適應輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。 具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片
2020-10-27 08:10:42
工作可靠性大大提高，并且有進一步提升功率密度的可能。FF300R12KS4FF300R12KT4圖9FF300R12KS4和FF300R12KT4散熱器表面溫度場分布仿真圖5 結論軟開關逆變焊機正成為逆
2018-12-03 13:47:57
分立式電源解決方案和預先設計好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對設備
2018-12-03 10:00:34
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆
2012-07-09 14:12:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆
2012-07-09 10:21:16
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結構
2021-03-07 08:47:04
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件
2022-11-07 06:45:10
，上世紀80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計算機的開關電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3
2016-01-18 10:27:02
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
11 用改進的PQFN器件一對一替換標準SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。
2011-03-09 09:13:026854 電裝在汽車展會“人與車科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了輸出功率密度高達60kW/L的逆變器，并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L，輸出功率為30kW時，輸出功率密度為
2012-05-28 10:08:562455 貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP
2015-12-14 17:47:342932 高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:2020 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅動應用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關特性。
2018-06-21 10:10:4413292 TI高功率密度電源設計中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:003829 設計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2018-08-16 01:30:008383 設計超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:005835 
開關型電源（SMPS）在通常便攜式計算機中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。
2020-10-02 16:23:009660 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面： 降低損耗 最優(yōu)拓撲和控制選擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:151461 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓撲和控制選擇，有效的散熱，通過機電
2020-11-19 15:14:0011 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結構
2021-03-12 09:46:343467 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉換器的功率密度.doc》資料免費下載
2023-12-06 14:39:00308 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設計的基本技術，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：
降低損耗
最優(yōu)拓撲和控制選擇
有效
2022-01-14 17:10:262448 在QR反激式轉換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。
2022-03-31 09:26:453366 
功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2022-05-31 09:47:063204 
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:461154 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費下載
2022-08-09 14:21:5468 功率密度基礎技術簡介
2022-10-31 08:23:243 一般電驅動系統(tǒng)以質量功率密度指標評價，電機本體以有效比功率指標評價，逆變器以體積功率密度指標評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標評價。
2022-10-31 10:11:216554 用氮化鎵重新考慮功率密度
2022-11-01 08:27:301 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處
2022-12-26 07:15:022251 功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導體重要的設計目標。
2023-02-06 14:24:203472 
對于電源管理應用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉換器的額定（或標稱）輸出功率除以轉換器所占體積，如圖1所示。
2023-03-23 09:27:491978 
點擊藍字?關注我們 隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關注。那么利用圖騰柱PFC如何在
2023-04-13 00:30:041447 
在功率器件領域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談論功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復原、低輸出電荷和高電壓轉換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:272254 
800 V 架構降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠超硅（Si）基技術（如 IGBT）能力的功率密度。
2023-05-20 16:00:232401 
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構建RF功率放大器（PA）的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:092071 
為什么提高功率密度是轉換器設計人員的重要目標？不論是數(shù)據(jù)中心服務器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡單。
2023-07-08 11:14:001409 IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導致的熱應力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在
2023-08-23 09:33:233280 
封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封
2023-09-14 08:16:101726 
和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應用的故障率遠高于預期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟性，以滿足未來應用需求。本文將介紹寬帶隙 （GaN） 技術，以及該技
2023-10-03 14:26:001305 
主體結構采用SPM的結構，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5
2023-10-08 10:48:511469 
未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應適應不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅動或電力系統(tǒng)等應用中滿足這些變流器要求。
2023-10-17 10:50:311820 
提高4.5kV IGBT模塊的功率密度
2023-11-23 15:53:382051 
通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度
2023-11-29 15:16:271263 
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
2023-12-01 16:35:281096 
采用IGBT7高功率密度變頻器的設計實例
2023-12-05 15:06:062056 
功率半導體冷知識：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:451652 
在電力電子系統(tǒng)的設計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標。它直接關系到設備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:072526 
AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案
2023-12-25 13:36:421807 
? 在處理激光光學時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術語經(jīng)?；Q使用，但含義不同。表1定義了與激光光學相關的功率密度、能量密度和其他相關術語。 表1：用于描述激光束和其他電磁輻射
2024-03-05 06:30:223778 
）是一種功率電子器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降和快速開關特性。IGBT焊機利用IGBT器件的這些特性，通過精確控制電流和電壓，實現(xiàn)對焊接過程的高效控制。 二、IGBT焊機驅動波形的重要性 焊接質量 ：驅動波形直接影響焊接電流的穩(wěn)定性和一致性，從而影響焊
2024-07-25 10:37:073072 第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結合的SLC技術在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻
2024-08-01 10:58:011505 
Transistor）是一種絕緣柵雙極型晶體管，具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點，廣泛應用于電力電子領域。IGBT焊機是一種利用IGBT作為主要功率器件的焊接設備，具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點。 二、IGBT焊機驅動電壓的作用 IGBT焊機的驅動電壓是指控制IGBT開關狀態(tài)的電壓信號。驅動電壓的高低、
2024-08-07 15:58:123436 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費下載
2024-08-26 09:34:041 新品D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列D2PAK和DPAK封裝的TRENCHSTOP的IGBT7系列，是采用額定電壓為1200V的IGBT7S7芯片，器件采用D2PAK
2024-11-14 01:03:501615 本文是德州儀器（Texas Instruments）發(fā)布的關于有源鉗位反激控制器（UCC28780）的應用簡報，介紹了其在提高功率密度方面的優(yōu)勢，主要內(nèi)容包括： *附件：源鉗位反激控制器
2024-12-17 16:42:361605 
電感器，能夠顯著提高功率密度，使其與最先進的替代品相媲美，同時保持巨大的性能優(yōu)勢。多相耦合電感器在繞組之間具有反向耦合，能夠在每個相的電流中實現(xiàn)電流紋波的消除。這一優(yōu)
2024-12-23 14:07:421371 
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