- 利用TRENCHSTOP5 IGBT提高焊機功率密度

還進行了一次簡單的基準(zhǔn)測試，在100kHz時運行全橋電焊平臺，以檢查其在高頻率運轉(zhuǎn)時的性能。測試范圍是在保持IGBT外殼與周圍環(huán)境之間的相同溫度波動的同時，測量最大輸出電流。與此同時還監(jiān)測系統(tǒng)效率和最大的集電極－發(fā)射極和柵極－發(fā)射極電壓過沖。為了進行正確的比較，驅(qū)動設(shè)置始終保持不變，直至系統(tǒng)不穩(wěn)定或引發(fā)故障。表1對測試結(jié)果進行了總結(jié)。

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焊機(28035) 焊機(28035)
TRENCHSTOP5(1459) TRENCHSTOP5(1459)

提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

多年來，工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無源組件的尺寸上。

2020-08-25 14:36:01

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英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊，大幅提升逆變器的功率密度

TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機驅(qū)動和靜態(tài)無功發(fā)生器

2022-05-30 15:10:15

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提高電源功率密度的主要方向

隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設(shè)備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術(shù)發(fā)展的方向。那么，電源的小型化主要由哪些因素決定呢？

2015-09-09 11:11:07

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德州儀器：功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。

2020-08-20 11:12:14

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提高信息娛樂系統(tǒng)功率密度的設(shè)計考慮

在本文中，我們將討論一些設(shè)計技術(shù)，以在不影響性能的情況下實現(xiàn)更高的功率密度。

2021-09-13 11:29:54

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使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計這一趨勢將持續(xù)下去，從而實現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助

2023-11-16 13:28:33

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三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計。

2025-09-23 09:26:33

2072

功率擴展：TRENCHSTOP? IGBT7 Easy產(chǎn)品系列推出新的電流額定值模塊

相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實現(xiàn)對電機驅(qū)動應(yīng)用的高可控性。

2020-04-30 07:19:00

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Vishay推出的新款microBUCK? 穩(wěn)壓器可提高功率密度和瞬變響應(yīng)能力

日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達98 %，減少功率損耗。

2021-03-24 16:58:21

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功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李寧遠）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會越來越小。功率密度不斷提高的好處

2022-12-26 09:30:52

3464

650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實現(xiàn)最大功率密度

40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度

2018-10-23 16:21:49

650V系列IGBT在家用焊機電源應(yīng)用

0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate

2014-08-13 09:25:59

IGBT驅(qū)動芯片額定輸出功率密度不足的分析

技術(shù)開始走俏起來。在本文中，小編將為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT設(shè)計過程中存在的一個問題講解，那就是當(dāng)驅(qū)動芯片的額定輸出功率密度相對不足時，這一現(xiàn)象會導(dǎo)致器件的老化加速。如果IGBT設(shè)計過程中出現(xiàn)這個問題，并且

2018-08-14 15:05:21

功率MOSFET技術(shù)提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進行詳細分析，可以界定必須要改進的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率

2019-07-04 06:22:42

提高IPM系統(tǒng)級功率密度以應(yīng)對新壓力

星期二海報對話會議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura

2018-10-18 09:14:21

BLDC功率密度大于PMSM的原因

推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機驅(qū)動器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM

2019-05-11 19:39:49

Leadway GaN系列模塊的功率密度

采用諧振電感與變壓器磁集成設(shè)計，配合GaN高頻特性，進一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術(shù)實現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway

2025-10-22 09:09:58

【深圳】誠聘硬件工程師（高功率密度ACDC硬件）

獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件）（薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責(zé)：1、負責(zé)采用軟開關(guān)拓撲3kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計；2、負責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)

2017-09-06 17:28:43

一種新型正激高功率密度逆變器

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯一種新型正激高功率密度逆變器

2012-04-08 16:29:16

中科君芯1200V系列IGBT在工業(yè)焊機電源中的應(yīng)用

前言相對傳統(tǒng)工頻焊機，逆變焊機在變壓器體積、有效功率輸出及焊機輸出電壓、電流穩(wěn)定性方面都具先天優(yōu)勢，在可預(yù)見的未來將逐步占領(lǐng)焊機行業(yè)的主導(dǎo)地位。IGBT (Insulated Gate

2014-08-13 09:01:33

什么是功率密度？如何實現(xiàn)高功率密度？

什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？

2021-03-11 06:51:37

什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？

什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？

2021-03-11 08:12:17

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度

漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高

2022-04-12 11:07:51

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度

2022-06-14 10:14:18

在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度

在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度

2022-11-02 19:16:13

基于GaN電源集成電路的超高效率、高功率密度140W PD3.1 AC-DC適配器

了功率密度本設(shè)計實現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。

2023-06-16 09:04:37

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實現(xiàn)更高功率密度

在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實現(xiàn)

2019-03-01 09:52:45

如何利用CPLD實現(xiàn)直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計

本文充分利用CPLD的特點，設(shè)計了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強和可靠性高等優(yōu)點的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個SSPC，各個功率開關(guān)問相互獨立工作，進一步提高了功率密度。

2021-04-30 06:08:29

如何在高功率密度模塊電源中實現(xiàn)低損耗設(shè)計

，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱

2016-01-25 11:29:20

如何實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計？

實現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計的方法

2020-11-24 07:13:23

如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？

如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？

2021-04-25 07:40:14

怎么測量空間中某點的電磁功率（功率密度）？

怎么測量天線輻射下空間中某點的電磁功率（功率密度）？

2013-10-16 16:32:02

權(quán)衡功率密度與效率的方法

整個壽命周期成本時，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心

2020-10-27 10:46:12

氮化鎵GaN技術(shù)怎么實現(xiàn)更高的功率密度

在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?/div>

2019-08-06 07:20:51

用什么方法提高功率密度？

適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池數(shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓撲結(jié)構(gòu)，去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片

2020-10-27 08:10:42

英飛凌第四代IGBT—T4在軟開關(guān)逆變焊機中的應(yīng)用

工作可靠性大大提高，并且有進一步提升功率密度的可能。FF300R12KS4FF300R12KT4圖9FF300R12KS4和FF300R12KT4散熱器表面溫度場分布仿真圖5 結(jié)論軟開關(guān)逆變焊機正成為逆

2018-12-03 13:47:57

設(shè)計精選：18 W/in3 功率密度的AC-DC 電源技巧

分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對設(shè)備

2018-12-03 10:00:34

逆變和可控硅和igbt焊機用途的區(qū)別有哪些

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等。可控硅焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆

2012-07-09 14:12:10

逆變和可控硅和igbt焊機用途的區(qū)別有哪些

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯常見的逆變焊機有mos管逆變焊機，igbt逆變焊機，可控硅逆變焊機等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機是指機器內(nèi)使用可控硅的電焊機，（因為可控硅逆

2012-07-09 10:21:16

集成MOSFET如何提升功率密度

集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動著整個行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品

2020-10-28 09:10:17

高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)？

傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)

2021-03-07 08:47:04

高功率密度的解決方案

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過機電元件

2022-11-07 06:45:10

高功率密度高頻電源變壓器的應(yīng)用方案

，上世紀80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計算機的開關(guān)電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3

2016-01-18 10:27:02

中紅外激光功率密度探測單元的研制

中紅外激光功率密度探測單元的研制摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器

2010-04-28 16:05:36

PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

用改進的PQFN器件一對一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強，并實現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個組件代替一個并聯(lián)的組件對。

2011-03-09 09:13:02

6854

電裝展出輸出功率密度高達60kW/L的SiC逆變器

電裝在汽車展會“人與車科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了輸出功率密度高達60kW/L的逆變器，并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L，輸出功率為30kW時，輸出功率密度為

2012-05-28 10:08:56

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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP

2015-12-14 17:47:34

2932

高功率密度逆變電源研制

高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看

2016-03-25 13:57:20

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級換代了？

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機驅(qū)動應(yīng)用進行芯片優(yōu)化，實現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。

2018-06-21 10:10:44

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關(guān)于高功率密度電源的散熱問題講解（1）

TI高功率密度電源設(shè)計中的散熱解決方案-上篇

2018-08-24 00:10:00

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高功率密度的小功率AC-DC電源模塊特點介紹

設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源

2018-08-16 01:30:00

8383

高效高功率密度電源設(shè)計的注意事項

設(shè)計超高功率密度的小功率AC-DC電源

2019-05-13 06:21:00

5835

提高開關(guān)電源功率密度和效率的方法

開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計算機中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。

2020-10-02 16:23:00

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功率密度的基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效的散熱通過

2020-10-20 15:01:15

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功率密度的解決方案詳細說明

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓撲和控制選擇，有效的散熱，通過機電

2020-11-19 15:14:00

通過新拓撲結(jié)構(gòu)和功率器件提高系統(tǒng)效率和功率密度

基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結(jié)構(gòu)

2021-03-12 09:46:34

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最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費下載

2023-12-06 14:39:00

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探究功率密度基礎(chǔ)技術(shù)

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個重要方面：降低損耗最優(yōu)拓撲和控制選擇有效

2022-01-14 17:10:26

2448

實現(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器拓撲

在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計中實現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。

2022-03-31 09:26:45

3366

如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。

2022-05-31 09:47:06

3204

基于GaN功率器件的大功率和高功率密度EV逆變器

提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實現(xiàn)高功率密度的一種方法。

2022-07-26 10:18:46

1154

240W高功率密度高效LLC電源

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費下載

2022-08-09 14:21:54

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

2022-10-31 08:23:24

如何實現(xiàn)電機驅(qū)動系統(tǒng)功率密度

一般電驅(qū)動系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價，電機本體以有效比功率指標(biāo)評價，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價；一般乘用車動力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價，而商用車動力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價。

2022-10-31 10:11:21

6554

用氮化鎵重新考慮功率密度

用氮化鎵重新考慮功率密度

2022-11-01 08:27:30

功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能

2022-12-26 07:15:02

2251

功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計目標(biāo)。

2023-02-06 14:24:20

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功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。

2023-03-23 09:27:49

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您知道超高功率密度的電源怎么設(shè)計嗎？

點擊藍字?關(guān)注我們隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓撲也受到了許多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在

2023-04-13 00:30:04

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如何提高系統(tǒng)功率密度

在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時也會帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。

2023-05-18 10:56:27

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碳化硅模塊提高電機驅(qū)動器的功率密度

800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實現(xiàn)遠超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。

2023-05-20 16:00:23

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利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢對抗RCIED

氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。

2023-05-24 10:48:09

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用于提高功率密度的無源元件創(chuàng)新

為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員的重要目標(biāo)？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡單。

2023-07-08 11:14:00

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IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類車規(guī)級IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在

2023-08-23 09:33:23

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搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進一步拓展了PrimePACK封

2023-09-14 08:16:10

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寬帶隙技術(shù)能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度

和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙（GaN）技術(shù)，以及該技

2023-10-03 14:26:00

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高功率密度電機的設(shè)計方案

主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5

2023-10-08 10:48:51

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如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項目。同時，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。

2023-10-17 10:50:31

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提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

2023-11-23 15:53:38

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通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度

通過GaN電機系統(tǒng)提高機器人的效率和功率密度

2023-11-29 15:16:27

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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

2023-12-01 16:35:28

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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例

采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計實例

2023-12-05 15:06:06

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功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體冷知識：功率器件的功率密度

2023-12-05 17:06:45

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功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計和優(yōu)化中，功率密度是一個不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。

2023-12-21 16:38:07

2526

AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案

AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案

2023-12-25 13:36:42

1807

激光功率密度計算公式

? 在處理激光光學(xué)時，功率和能量密度是需要理解的兩個重要概念。這兩個術(shù)語經(jīng)常互換使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語。表1：用于描述激光束和其他電磁輻射

2024-03-05 06:30:22

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IGBT焊機驅(qū)動波形的正常表現(xiàn)及影響因素

）是一種功率電子器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和快速開關(guān)特性。IGBT焊機利用IGBT器件的這些特性，通過精確控制電流和電壓，實現(xiàn)對焊接過程的高效控制。二、IGBT焊機驅(qū)動波形的重要性焊接質(zhì)量：驅(qū)動波形直接影響焊接電流的穩(wěn)定性和一致性，從而影響焊

2024-07-25 10:37:07

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利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率，增強IGBT模塊功率密度

第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻

2024-08-01 10:58:01

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igbt焊機驅(qū)動電壓怎樣測量

Transistor）是一種絕緣柵雙極型晶體管，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT焊機是一種利用IGBT作為主要功率器件的焊接設(shè)備，具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點。二、IGBT焊機驅(qū)動電壓的作用 IGBT焊機的驅(qū)動電壓是指控制IGBT開關(guān)狀態(tài)的電壓信號。驅(qū)動電壓的高低、

2024-08-07 15:58:12

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