MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優(yōu)點是熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大，缺點是擊穿電壓低，工作電流小。

它是在一塊硅片上制作兩個相距很近的PN結，然后讓電流從其中一邊流入另一邊流出而形成電壓輸出信號；當外加正、反向脈沖時則因在兩電極之間產生電勢差而使兩邊電位發(fā)生變化而產生控制作用，從而實現(xiàn)對信號的放大與調制等處理功能。

由于這種特殊的結構使得它在高頻電路中得到了廣泛的應用。例如：開關功率級中的Pwm控制器就是由 MOS管構成的。另外，隨著集成度的提高及的進步，目前已有許多新型的 MOS管應用于各種數(shù)字集成電路中如CMOS門陣列芯片等等。

IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

IGBT （Insulated Gate Bipolar Transistor ） 緣柵雙極型晶體管是電力電子技術發(fā)展過程中出現(xiàn)的一種新型場效應晶體管制成的二極管組態(tài)元件。其特點是工作頻率高、體積小、重量輕、可靠性好等特點，因而得到迅速發(fā)展和廣泛應用，成為繼 PN 結之后又一重要的大規(guī)模實用化的電子元器件之一 。

IGBT與MOSFET的主要區(qū)別有：

1.結構不同：IGBT是由N溝道MOSFET和PN結構組成的，而MOSFET只有N溝道MOSFET；

2.功率密度不同：IGBT的功率密度比MOSFET高；

3.損耗不同：IGBT的損耗比MOSFET低；

4.可靠性不同：IGBT的可靠性比MOSFET高。

原理不同：

1） IGCT 的工作原理是將輸入交流電源變換成直流或低頻脈動高壓，再經(jīng)過整流濾波后變成可調節(jié)的高頻低壓大電流，經(jīng)逆導通回路將高頻高壓變?yōu)榈妥杩沟暮愣娏鬏斔偷截撦d端。它的主要優(yōu)點是效率高、損耗小、速度快且穩(wěn)定可靠等優(yōu)點。

2） MOSFET的工作過程則是利用基區(qū)產生的漏源電場來推動溝道導電層進行載流子遷移并發(fā)生復合的現(xiàn)象來實現(xiàn)開通/關斷的功能。