*1(L/S*2)高分辨率。扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）技術(shù)為何會(huì)獲得臺(tái)積電、三星等代工大廠(chǎng)的青睞？比較傳統(tǒng)的光刻機(jī)設(shè)備，尼康DSP-100的技術(shù)原理有何不同？能解決AI芯片生產(chǎn)當(dāng)中的哪些痛點(diǎn)問(wèn)題？ 針對(duì)2nm、3nm芯片制造難題，光刻機(jī)龍頭企業(yè)ASML新款光刻機(jī)又能帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)？本文進(jìn)行詳細(xì)分析。
2025-07-24 09:29:39
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探索HMC395：DC - 4 GHz高性能增益模塊MMIC放大器 在電子工程領(lǐng)域，放大器作為關(guān)鍵組件，其性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天，我們將深入探討一款備受關(guān)注的放大器——HMC395，一款
2025-12-31 16:05:1074 紫外LED是指發(fā)光波長(zhǎng)405nm以下的LED，又可以進(jìn)一步分為UVA(320-405nm),UVB(280-320nm),UVC(200-280nm)。隨著水俁公約生效，含汞產(chǎn)品將被逐步限制使用，而
2025-12-30 11:21:08
0 探索DS90C365A：高性能LVDS發(fā)射器的卓越之選 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，選擇合適的芯片對(duì)于實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的系統(tǒng)至關(guān)重要。今天，我們將深入探討TI公司的DS90C365A，一款+3.3V可編程LVDS
2025-12-29 17:05:12406 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造的智能手機(jī)系統(tǒng)
2025-12-25 08:56:008274 
在光通信與傳感領(lǐng)域，850nm波段作為多模光纖的主要工作窗口，在數(shù)據(jù)中心短距離互聯(lián)、局域網(wǎng)布線(xiàn)系統(tǒng)中占據(jù)著不可替代的地位。然而，長(zhǎng)期以來(lái)，適用于這一波段的精密測(cè)試設(shè)備卻相對(duì)缺失。武漢昊衡科技突破
2025-12-19 17:31:111969 
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常需要挑選合適的MOSFET來(lái)滿(mǎn)足特定的應(yīng)用需求
2025-12-19 09:35:06504 。此外，通信波長(zhǎng)的應(yīng)用范圍也逐漸擴(kuò)大，除常規(guī)的1310nm波段和1550nm波段外，諸如850nm、980nm、1064nm等非常見(jiàn)波段的使用日益廣泛。面對(duì)這些特殊波
2025-12-12 17:38:041167 脈銳光電1064nm單頻窄線(xiàn)寬光纖激光器采用光纖DFB激光腔結(jié)構(gòu)，輸出波長(zhǎng)1064nm波段的單縱模窄線(xiàn)寬連續(xù)激光，光譜線(xiàn)寬小于20kHz，輸出光譜邊模抑制比超過(guò)60dB。該激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的單頻單縱模輸出，具有更高的可靠性。是精密測(cè)量、超分辨成像等應(yīng)用的理想激光源。
2025-11-28 16:35:17875 
在精密制造與前沿科研的賽道上，對(duì)核心加工工具的性能要求日益嚴(yán)苛。更高功率、更優(yōu)光束、更穩(wěn)性能，已成為推動(dòng)技術(shù)突破的關(guān)鍵所在。致力于高端激光技術(shù)創(chuàng)新的晶眾光電，推出的1030nm與515nm兩款高功率飛秒激光器，以覆蓋工業(yè)與科研多重場(chǎng)景的強(qiáng)勁性能，為精微加工與科學(xué)研究提供可靠的核心光源解決方案。
2025-11-28 11:45:10675 在工業(yè)制造與科研探索不斷邁向精微極致的今天，單一波長(zhǎng)的激光解決方案已難以滿(mǎn)足多元化的應(yīng)用需求。晶眾光電，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的激光技術(shù)解決方案提供商，正式推出一款1064nm 532nm雙波長(zhǎng)固體激光器
2025-11-28 11:42:16623 為進(jìn)一步滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)850nm波段光器件精準(zhǔn)測(cè)量的需求，昊衡科技FLA系列光纖鏈路分析儀拓展850nm測(cè)量新波段，為多模光纖鏈路、850nm光器件及芯片級(jí)樣品提供一套更高效、更全面的檢測(cè)解決方案
2025-11-27 17:30:441777 最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車(chē)電子
2025-11-25 21:03:40
在日常工作或?qū)嶒?yàn)中，大家可能會(huì)接觸到各種各樣的電源設(shè)備。而其中，可調(diào)電源因?yàn)槟軌蛱峁╈`活的電壓和電流調(diào)節(jié)，廣泛應(yīng)用于電子測(cè)試、科研實(shí)驗(yàn)、維修保養(yǎng)等領(lǐng)域。但是，面對(duì)市場(chǎng)上琳瑯滿(mǎn)目的可調(diào)電源品牌，如何選擇一個(gè)既穩(wěn)定又性?xún)r(jià)比高的品牌呢？今天，我們就來(lái)聊聊“可調(diào)電源的品牌哪個(gè)好”，幫助大家做出明智的選擇。
2025-11-19 09:16:58325 
在工業(yè)領(lǐng)域，工業(yè)一體機(jī)與UV固化機(jī)的結(jié)合主要體現(xiàn)為集成點(diǎn)膠與固化功能的一體化設(shè)備（如UV點(diǎn)膠固化一體機(jī)），其通過(guò)自動(dòng)化控制與高效固化技術(shù)，顯著提升了生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量，廣泛應(yīng)用于電子制造、光學(xué)器件
2025-11-03 09:57:44260 智能照明控制模塊哪個(gè)品牌好? 隨著智能家居行業(yè)的快速發(fā)展，智能照明控制模塊成為提升家居、商業(yè)空間照明體驗(yàn)的核心設(shè)備。面對(duì)市場(chǎng)需求，華爾永盛憑借多年技術(shù)積累與產(chǎn)品創(chuàng)新，成為 2025 年智能照明控制
2025-10-30 09:49:28314 LIGHTHOUSE低噪聲高穩(wěn)定532nm DPSS連續(xù)激光器Sprout-C?LIGHTHOUSE低噪聲高穩(wěn)定532nm DPSS連續(xù)激光器Sprout-C是一種緊湊的模塊化二極管泵浦固態(tài)
2025-10-23 14:20:14
266nm單縱模深紫外連續(xù)激光器單頻CW激光器?DPSS 266nm單縱模深紫外連續(xù)激光器單頻CW激光器配有諧振頻率轉(zhuǎn)換級(jí)，發(fā)射固定波長(zhǎng)為266 nm。激光頭裝在密封的鋁制外殼內(nèi)，可在各種環(huán)境條件
2025-10-23 14:15:14
特性會(huì)發(fā)生顯著變化，例如： 葉綠素含量下降 ：導(dǎo)致可見(jiàn)光波段（400-700 nm）反射率異常 細(xì)胞結(jié)構(gòu)破壞 ：引起近紅外波段（700-1300 nm）散射特征改變 水分與糖分異常 ：影響短波紅外波段（1300-2500 nm）吸收峰分布 研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)突破 （一）光譜特征提取方法 植被指數(shù)優(yōu)
2025-10-16 15:53:38421 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，在全球科技競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的當(dāng)下，我國(guó)光子產(chǎn)業(yè)正以前所未有的速度蓬勃發(fā)展，其中激光芯片技術(shù)的持續(xù)突破成為關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。尤其在1470nm、1550nm及1940nm等波長(zhǎng)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)
2025-10-13 03:14:005692 
紫外UV固化太陽(yáng)光模擬器是一種模擬太陽(yáng)光中的紫外（UV）成分的設(shè)備，主要用于加速UV固化過(guò)程，通過(guò)LED燈陣和特殊光學(xué)系統(tǒng)，以365nm的單波長(zhǎng)輸出，為材料提供高效的UV光照測(cè)試。在評(píng)估材料老化速率
2025-09-29 18:05:27357 
選擇合適的半導(dǎo)體槽式清洗機(jī)需要綜合考慮多方面因素，以下是一些關(guān)鍵的要點(diǎn)：明確自身需求清洗對(duì)象與工藝階段材料類(lèi)型和尺寸：確定要清洗的是硅片、化合物半導(dǎo)體還是其他特殊材料，以及晶圓的直徑（如常見(jiàn)的12
2025-09-28 14:13:45442 
### **STP8NM60FP-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介**STP8NM60FP-VB 是一款高性能的 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封裝，專(zhuān)為高電壓、高電流的應(yīng)用設(shè)計(jì)。該
2025-09-18 16:24:06
### 1. **產(chǎn)品簡(jiǎn)介 - STF8NM60ND-VB**STF8NM60ND-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單極 N 型 MOSFET，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）耐壓能力
2025-09-18 14:07:46
### STF11NM60ND-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介STF11NM60ND-VB 是一款高效單 N 溝道 MOSFET，采用 TO220F 封裝，專(zhuān)為高電壓功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有 650V
2025-09-18 10:51:52
與CWDM復(fù)用器/解復(fù)用器一起使用時(shí)，CWDM光模塊可以通過(guò)在同一單個(gè)光纖上傳輸具有單獨(dú)光波長(zhǎng)（1270nm至1610nm）的多個(gè)數(shù)據(jù)通道來(lái)增加網(wǎng)絡(luò)容量。 使用選擇指南： 傳輸距離：根據(jù)您的網(wǎng)絡(luò)需求選擇
2025-09-13 10:54:071050 | C-Band (1530 nm - 1565 nm) 這是EDFA的標(biāo)準(zhǔn)工作波段。 | | 輸出功率 | 高達(dá) +30 dBm (約 1000 mW 或 1 Watt) | | 小信號(hào)增益 | 通常
2025-09-12 16:54:50775 
選擇合適的實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)（RTOS，Real-Time Operating System）可能會(huì)影響你在不同行業(yè)的職業(yè)發(fā)展路徑。
2025-09-09 14:47:41930 三星美國(guó)廠(chǎng)2nm 產(chǎn)線(xiàn)運(yùn)作 美國(guó)2nm晶圓代工廠(chǎng)近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠(chǎng)區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國(guó)德州新廠(chǎng)2nm產(chǎn)線(xiàn)近期傳出繼續(xù)運(yùn)作，業(yè)界已傳出力拼明年2026年內(nèi)量產(chǎn)目標(biāo)。臺(tái)積電
2025-09-02 11:26:511510 一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性1.高亮度，低衰減，耗能小，壽命長(zhǎng)；2.光色性好；3.LED貼片壽命：＞5萬(wàn)小時(shí)；4.光衰低，壽命長(zhǎng)；5.質(zhì)量保障，常規(guī)都有庫(kù)存，交貨及時(shí)。二、實(shí)物展示三、規(guī)格參數(shù)產(chǎn)品名稱(chēng)
2025-08-27 12:29:53
度亙核芯基于自主開(kāi)發(fā)的高功率、高效率、高可靠性的980nm單基橫模半導(dǎo)體激光芯片與單模光纖耦合模塊技術(shù)平臺(tái)，成功推出全國(guó)產(chǎn)化830nm單模半導(dǎo)體激光芯片與830nm單模光纖耦合模塊，是國(guó)際上為數(shù)不多
2025-08-26 13:08:361308 
, Milan Mashanovitcha, Paul Leisherb 摘要 1550 nm波長(zhǎng)的瓦級(jí)半導(dǎo)體光放大器（SOA）在自由空間光通信（FSO）等多種應(yīng)用中，是替代摻鉺光纖放大器（EDFA）的理想選擇
2025-08-25 14:04:25650 
TVS管以快速的響應(yīng)速度、精準(zhǔn)的鉗位電壓及多樣化的封裝形式，使其廣泛應(yīng)用于各種需要瞬態(tài)電壓保護(hù)的電子電路領(lǐng)域，如電子儀器與儀表、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備與計(jì)算機(jī)系統(tǒng)與通訊設(shè)備等等。在保護(hù)設(shè)計(jì)中，選擇
2025-08-14 10:25:0526784 
度亙核芯推出1470nm和1550nm兩大波長(zhǎng)系列芯片，其額定輸出功率達(dá)到7.5W，創(chuàng)業(yè)界新高！基于度亙核芯強(qiáng)大的平臺(tái)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，形成了5.5W、6.5W、7.5W等系列產(chǎn)品。在芯片開(kāi)發(fā)的基礎(chǔ)上
2025-08-12 12:03:541334 Texas Instruments TPSM365R15EVM/TPSM365R15FEVM評(píng)估模塊旨在評(píng)估TPSM365R15降壓電源模塊的電氣性能。這些評(píng)估模塊包括TPSM365
2025-08-11 16:11:15973 
深圳市銀月光科技推出655nm VCSEL+460nm LED二合一光源，融合高效光束與殺菌抑炎功能，助力高端生發(fā)設(shè)備，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-08-05 18:12:24839 如何選擇合適的直流負(fù)載或交流負(fù)載？
2025-08-04 17:53:19881 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）近日，龍圖光罩宣布珠海項(xiàng)目順利投產(chǎn)，公司第三代掩模版PSM產(chǎn)品取得顯著進(jìn)展。KrF-PSM和ArF-PSM陸續(xù)送往部分客戶(hù)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證，其中90nm節(jié)點(diǎn)產(chǎn)品已成功完成從
2025-07-30 09:19:5010524 
安捷倫(Agilent) 81490A 參考發(fā)射模塊81490A 光接收機(jī)極限測(cè)試的參考發(fā)射機(jī)33 GHz 典型光電帶寬光波長(zhǎng)1310 nm 和 1550 nm 單模光纖850 nm 多模光纖
2025-07-26 17:27:35
缺失，將引發(fā)測(cè)試數(shù)據(jù)失真：例如缺失 320-400nm 波段的模擬器，在測(cè)試紫外固化材料時(shí)，其固化速率測(cè)量值將偏低 40% 以上，形成對(duì)材料性能的誤判。
三、光譜偏離率SPD：揭示光譜絕對(duì)偏差的參數(shù)
2025-07-21 15:35:58
面對(duì)近來(lái)全球大廠(chǎng)陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來(lái)的巨大供應(yīng)短缺，芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開(kāi)發(fā)能力，服務(wù)客戶(hù)痛點(diǎn)，率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 度亙核芯基于自主開(kāi)發(fā)的高功率、高效率、高可靠性的單模808nm半導(dǎo)體激光芯片，推出國(guó)際領(lǐng)先的高性能蝶形光纖耦合模塊，率先在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。應(yīng)用背景單模高性能808nm泵浦光，為
2025-07-01 08:11:361281 也會(huì)導(dǎo)致更多的信號(hào)干擾。因此，需要根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的發(fā)射功率模塊。2、接收靈敏度：接收靈敏度決定了藍(lán)牙模塊能否在多遠(yuǎn)距離內(nèi)成功接收信號(hào)。接收靈敏度越高的模塊，能夠接收信號(hào)的距離就越遠(yuǎn)。因此
2025-06-28 21:46:14
HC2525G121CBV-BV30
產(chǎn)品規(guī)格
產(chǎn)品尺寸2.52.51.9mm
電壓3.2-3.6V
傳輸速率
電流350MA
功能性光譜范圍內(nèi)，顯色性較高，能夠真實(shí)還原被照射物體的顏色，色彩還原能力優(yōu)異。
產(chǎn)品特點(diǎn)
光色性好，抗靜電能力強(qiáng)，顯色性高。
聯(lián)系電話(huà)13145985025
2025-06-28 10:18:34
如何選擇合適的工業(yè)化超聲波清洗設(shè)備？專(zhuān)家指導(dǎo)在制造業(yè)中，選擇合適的工業(yè)化超聲波清洗設(shè)備至關(guān)重要。不同的應(yīng)用需要不同類(lèi)型的設(shè)備，而且性能和功能也各不相同。本文將為您提供專(zhuān)家指導(dǎo)，幫助您了解如何選擇適合
2025-06-18 17:24:14581 
隨著新能源和移動(dòng)電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展，鋰電池已經(jīng)廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域。在鋰電池的生產(chǎn)過(guò)程中，清洗工序是必不可少的環(huán)節(jié)，因此選擇合適的鋰電池清洗機(jī)成為了生產(chǎn)者的一個(gè)重要任務(wù)。下面，我們將探討如何針對(duì)
2025-06-05 17:36:18592 
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 01、1064nm激光二極管介紹 1064nm半導(dǎo)體激光管可提供現(xiàn)貨，或與連續(xù)或脈沖半導(dǎo)體激光管驅(qū)動(dòng)器連用。它們可與低噪聲連續(xù)或高速納秒脈沖驅(qū)動(dòng)器兼容1064nm波長(zhǎng)的高輸出功率半導(dǎo)體激光管模塊包括
2025-06-04 09:41:38997 
選擇合適的背負(fù)式AGV需要考慮以下幾個(gè)方面： 負(fù)載能力 確定所需搬運(yùn)貨物的重量和尺寸，選擇負(fù)載能力匹配的聯(lián)集背負(fù)式AGV。常見(jiàn)的聯(lián)集背負(fù)式AGV負(fù)載重在200-1000公斤，甚至更高。 工作環(huán)境
2025-05-21 16:33:49498 天津見(jiàn)合八方光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“見(jiàn)合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品；包括850nm SLD，850nm RSOA，同時(shí)，850nm SOA也在測(cè)試驗(yàn)證階段，即將發(fā)布。
2025-05-17 11:15:33882 
ASE中心波長(zhǎng)λASE25℃, If=400mA 1070 nm工作波長(zhǎng)λ25℃, Pin=0dBm 1060 nm-3dB
2025-04-29 09:01:59
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715 較為激進(jìn)的技術(shù)路線(xiàn)，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
選擇合適的臺(tái)慶電感時(shí)，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景和使用需求來(lái)考慮多個(gè)因素。以下是一些關(guān)鍵的步驟和考慮因素： 一、了解電感的基本參數(shù) 額定電流 ：根據(jù)電路中的功耗和電流負(fù)載來(lái)選擇合適的額定電流。額定電流
2025-04-14 15:51:44625 。 ? ?● 根據(jù)所需帶動(dòng)負(fù)載的扭力大小選擇合適的電機(jī)型號(hào)。通常，扭力在0.8Nm以下時(shí)，可選擇20、28、35、39、42等規(guī)格的電機(jī)；扭力在1Nm左右時(shí)，57電機(jī)較為合適；對(duì)于更大扭力的需求，則需選擇86、110、130等規(guī)格的步進(jìn)電機(jī)。 2. 轉(zhuǎn)速要求： ? ?● 步進(jìn)電機(jī)的
2025-04-14 07:38:161015 隨著防偽檢測(cè)、食品、紡織等領(lǐng)域?qū)ψ贤夤庠葱枨蟮奶嵘?b class="flag-6" style="color: red">365nm紫光燈方案憑借其高純度UVA波段輸出等特性，成為替代傳統(tǒng)檢測(cè)方式操作復(fù)雜、運(yùn)維成本高的理想選擇。本文將分享納祥科技便攜小巧型365nm
2025-04-11 15:34:581739 
超窄帶陷波濾光片（Bragg Notch Filter，簡(jiǎn)稱(chēng)BNF）和帶通濾光片（Bragg Bandpass Filter,簡(jiǎn)稱(chēng)BPF）是目前實(shí)現(xiàn)超低波數(shù)拉曼光譜(通常50cm-1以下才稱(chēng)為超低波數(shù)拉曼)測(cè)量常用的方法。設(shè)計(jì)波長(zhǎng)覆蓋350-3000nm波段，超低波數(shù)拉曼信號(hào)可低至10cm-1.
2025-04-09 16:54:15726 
據(jù)外媒wccftech的報(bào)道，臺(tái)積電2nm制程取得了突破性進(jìn)展；蘋(píng)果的A20芯片或成首發(fā)客戶(hù)；據(jù)Wccftech的最新消息顯示，臺(tái)積電公司已啟動(dòng)2nm測(cè)試晶圓快速交付計(jì)劃，當(dāng)前試產(chǎn)良率突破60%大關(guān)
2025-03-24 18:25:091240 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠(chǎng)商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADCMP395相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ADCMP395的引腳圖、接線(xiàn)圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，ADCMP395真值表，ADCMP395管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-03-12 18:55:40
據(jù)外媒曝料稱(chēng)三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱(chēng)三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 選擇合適的境外云服務(wù)器需圍繞業(yè)務(wù)需求、性能匹配、安全合規(guī)、成本效益四大核心維度展開(kāi)，通過(guò)精準(zhǔn)定位目標(biāo)用戶(hù)群體、評(píng)估資源需求、平衡安全與成本，實(shí)現(xiàn)最優(yōu)配置。以下UU云小編將詳細(xì)介紹怎么選擇合適的境外云服務(wù)器。
2025-02-28 09:54:261185
你好，請(qǐng)問(wèn)TIDA-00554 光譜開(kāi)發(fā)模塊在測(cè)量固體粉末時(shí)，Digital resolution參數(shù)設(shè)置如何選擇最合適的值？用戶(hù)手冊(cè)中提到，Digital resolution的值至少采用大于2
2025-02-28 07:15:17
在選擇一款合適的直流伺服電機(jī)和減速機(jī)時(shí)，我們需要綜合考慮多個(gè)因素，以確保所選設(shè)備能夠滿(mǎn)足特定的應(yīng)用需求，同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和可靠的運(yùn)行。以下將從電機(jī)類(lèi)型、性能參數(shù)、減速機(jī)選型、應(yīng)用環(huán)境以及成本效益
2025-02-27 12:04:241274 
您好！請(qǐng)問(wèn)DLP650LNIR用于800nm，35fs，1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級(jí)的功率密度?
2025-02-26 06:16:47
在激光錫焊中，不同波長(zhǎng)適合不同的焊接材料和應(yīng)用場(chǎng)景。具體選擇915nm還是976nm波長(zhǎng)，需綜合考慮材料吸收率、工藝需求及設(shè)備性能，松盛光電將匯總一些關(guān)鍵分析及建議。
2025-02-24 16:11:04984 
根據(jù)電路需求選擇合適的MOS管是一個(gè)綜合考慮多個(gè)因素的過(guò)程，以下是一些關(guān)鍵步驟和注意事項(xiàng)： ? 一、明確電路需求 首先，需要明確電路的具體需求，包括所需的功率、開(kāi)關(guān)速度、工作溫度范圍、負(fù)載類(lèi)型等
2025-02-24 15:20:42984 在激光焊錫技術(shù)中，選擇915nm和976nm的波長(zhǎng)主要是基于錫對(duì)這些波長(zhǎng)的激光具有良好的吸收特性。在激光焊接過(guò)程中，激光能量被材料吸收并轉(zhuǎn)化為熱能，從而實(shí)現(xiàn)焊接的目的。錫作為一種常用的焊接材料，其對(duì)不同波長(zhǎng)的激光吸收率穩(wěn)定性對(duì)焊接質(zhì)量和效率有著重要影響。
2025-02-24 14:35:551048 
請(qǐng)問(wèn)：我現(xiàn)在要設(shè)計(jì)CH氣體檢測(cè)設(shè)備應(yīng)用的激光源波長(zhǎng)為3370nm，請(qǐng)問(wèn)貴司的DMD微鏡的反射波長(zhǎng)是多少？我們的要求能滿(mǎn)足嗎？
2025-02-24 08:08:31
因?yàn)橐獙?duì)人體掃描，之前一直再看450NIR，650NIR做的投影產(chǎn)品，但這種太少還都是在國(guó)外才有的賣(mài)。
所以想問(wèn)一下，如果用850nm的光源，是不是用普通的DMD芯片就可以，不一定是近紅外波段的NIR系列芯片。
另外，如果有人有類(lèi)似的投影儀產(chǎn)品，歡迎聯(lián)系我，謝謝！
2025-02-21 17:15:31
我想問(wèn)一下DLP500YX這款DMD評(píng)估板上面的DMD窗口可以更換嗎？本來(lái)是400-700nm的可見(jiàn)光，我想換成紅外波段的窗口行不行？
2025-02-21 07:36:44
我想知道該型號(hào)關(guān)于370-420nm波長(zhǎng)的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少？
2025-02-21 07:05:14
選擇合適的鋁殼電阻，需要綜合多方面因素進(jìn)行考量。以下是一些關(guān)鍵要點(diǎn)：
根據(jù)電路的具體需求確定所需阻值，在簡(jiǎn)單的分壓電路中，若想獲得特定的電壓輸出，需依據(jù)輸入電壓和期望的輸出電壓，利用歐姆定律計(jì)算出
2025-02-20 13:48:04
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒(méi)有在355nm下的客戶(hù)應(yīng)用案例？
這個(gè)是激光器的參數(shù)：355nm，脈寬5ns，單脈沖能量60uJ，照射面積0.37cm^2，
2025-02-20 08:42:33
請(qǐng)問(wèn)在波長(zhǎng)為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
范圍：600 至 1700 nm應(yīng)用光纖：9/125 微米 50/125 微米，62.5/125 微米1523 nm 處的近動(dòng)態(tài)范圍：37 dB（±0.1 nm 峰
2025-02-19 14:36:55
我嘗試使用脈沖激光照射具有調(diào)制圖案的DMD反射鏡（DLP9500），我想知道DMD是否能夠承受以下參數(shù)的激光：
激光器：532nm
脈沖能量：3mJ
脈沖寬度：5ns
重復(fù)頻率：2kHz
照明面積：1cm2
2025-02-18 06:05:30
的關(guān)鍵設(shè)備。本文將探討365nm紫外點(diǎn)光源固化燈的工作原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)以及如何選擇適合的固化設(shè)備，幫助企業(yè)更好地理解這一技術(shù)并作出合理選擇。 1. 365nm紫外點(diǎn)光源固化燈的工作原理 紫外點(diǎn)光源固化燈通常由高強(qiáng)度紫外燈管和適配的光
2025-02-13 15:44:392484 根據(jù)電路需求選擇合適的村田電感型號(hào)，需要綜合考慮多個(gè)因素以確保電感能夠滿(mǎn)足電路的性能要求。那么如何根據(jù)電路需求選擇合適村田電感型號(hào)?我為在大家介紹以下幾點(diǎn)： 一、明確電路需求 首先，需要明確電路
2025-02-13 14:26:26692 據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠(chǎng)的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線(xiàn)規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995 ”）攜自主研發(fā)的覆蓋850nm、1060nm、1270nm、1310nm、1490nm、1550nm、1625nm、1653nm波段的SOA（半導(dǎo)體光放大器）及增益芯片驚艷亮相，彰顯了“中國(guó)芯”的強(qiáng)勁實(shí)力。
2025-02-06 15:17:531058 近日，全球知名的EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）大廠(chǎng)Cadence宣布了一項(xiàng)重要合作成果：聯(lián)發(fā)科（MediaTek）已選擇采用其人工智能驅(qū)動(dòng)的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具，在英偉達(dá)（NVIDIA）的加速計(jì)算平臺(tái)上進(jìn)行2nm芯片的開(kāi)發(fā)工作。
2025-02-05 15:22:381069 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4
2025-01-22 14:27:241107 近日，據(jù)韓媒最新報(bào)道，三星電子在面對(duì)其12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時(shí)，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b nm工藝的基礎(chǔ)上，全面重新設(shè)計(jì)新版1b
2025-01-22 14:04:071410 高達(dá)14億美元，不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù)，更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線(xiàn)的啟動(dòng)，標(biāo)志著歐洲在半導(dǎo)
2025-01-21 13:50:441023 一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國(guó)內(nèi)第一家代工廠(chǎng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國(guó)內(nèi)多家代工廠(chǎng)關(guān)于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647 鉛酸電池和鋰電池各有優(yōu)劣，沒(méi)有絕對(duì)的誰(shuí)好誰(shuí)壞。在選擇時(shí)，您只需根據(jù)自己的實(shí)際情況，權(quán)衡利弊，就能選出最適合自己的電池。希望今天的這篇文章能幫助您在電池選擇的道路上不再迷茫，讓您的生活因合適的電池而更加美好！
2025-01-20 14:59:485270 
在選擇合適的PLD（可編程邏輯器件）型號(hào)時(shí)，需要考慮多個(gè)因素，以確保所選器件能夠滿(mǎn)足應(yīng)用需求并具有成本效益。以下是一些關(guān)鍵的步驟和考慮因素： 一、明確應(yīng)用需求 功能需求 ：確定PLD需要實(shí)現(xiàn)的具體
2025-01-20 09:40:551047 ? ? ? 選擇合適的傳感器需要考慮多個(gè)因素，以確保傳感器能夠滿(mǎn)足特定的應(yīng)用需求和工作環(huán)境。以下是一些關(guān)鍵的步驟和考慮因素： ? ? ? 一、明確應(yīng)用場(chǎng)景與需求 ? ? ? 1. 了解測(cè)量的物理量
2025-01-20 00:11:551336 
選擇合適的液力偶合器需要綜合考慮多個(gè)因素，以確保其能夠滿(mǎn)足工作機(jī)的傳動(dòng)要求、提高工作效率、保障設(shè)備的安全穩(wěn)定運(yùn)行。以下是一些關(guān)鍵的選擇步驟和注意事項(xiàng)： 一、明確工作需求 傳動(dòng)要求 ：根據(jù)工作機(jī)的傳動(dòng)
2025-01-18 09:22:22967 三元鋰電池和磷酸鐵鋰電池哪個(gè)好？看完這篇你就懂了！
2025-01-17 16:53:413769 量水堰計(jì)作為一種重要的水文監(jiān)測(cè)設(shè)備，廣泛應(yīng)用于水庫(kù)、河流和水渠等水域的流量監(jiān)測(cè)。選擇合適的量水堰計(jì)型號(hào)與規(guī)格，對(duì)于準(zhǔn)確測(cè)量水流數(shù)據(jù)、保障水利工程的正常運(yùn)行具有重要意義。那么如何選擇合適的量水堰計(jì)
2025-01-17 16:01:11962 
激光誘導(dǎo)擊穿光譜（LIBS）技術(shù)是一種快速、原位、多元素分析的工具，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、地質(zhì)研究等領(lǐng)域。選擇合適的LIBS設(shè)備對(duì)于科研工作的成功至關(guān)重要。本文將探討在科研中如何選擇適合
2025-01-14 18:14:03801 
光耦（光電耦合器）是一種利用光電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)電信號(hào)隔離的半導(dǎo)體器件。它們?cè)陔娮与娐分邪缪葜陵P(guān)重要的角色，尤其是在需要電氣隔離的應(yīng)用中，如電源管理、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)控制系統(tǒng)。選擇合適的光耦型號(hào)對(duì)于確保電路
2025-01-14 15:54:101703 在電氣工程和電子制造中，線(xiàn)規(guī)的選擇是一個(gè)關(guān)鍵因素，它直接影響到系統(tǒng)的安全性、效率和成本。AWG（美國(guó)線(xiàn)規(guī)）是一種廣泛使用的線(xiàn)規(guī)系統(tǒng)，它根據(jù)導(dǎo)線(xiàn)的直徑來(lái)分類(lèi)。選擇合適的AWG線(xiàn)規(guī)需要考慮多個(gè)因素，包括
2025-01-13 16:36:472472 ，使打印出的成品在視覺(jué)和觸覺(jué)上更加貼近設(shè)計(jì)意圖，為后續(xù)改進(jìn)提供了便利性。那什么是SLA立體光固化成型技術(shù)（以下簡(jiǎn)稱(chēng)SLA技術(shù)）呢？其實(shí)，它的核心原理就是利用一定波長(zhǎng)和強(qiáng)度的紫外光（如波長(zhǎng)325nm
2025-01-09 18:57:50
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