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32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫?yīng)時(shí)間和最小化的封裝尺寸。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域包括存儲(chǔ)服務(wù)器、交換機(jī)和路由器、測(cè)試設(shè)備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
- sram(117308)
- 快速異步(5391)
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ST發(fā)布密集型數(shù)據(jù)寫2-Mbit串口EEPROM芯片
全球領(lǐng)先的EEPROM存儲(chǔ)器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體率先發(fā)布針對(duì)密集型數(shù)據(jù)寫應(yīng)用的2-Mbit串口EEPROM芯片.
2011-06-21 09:00:35
1899
1899新唐科技推出內(nèi)建8Mbit OTP弦音樂(lè)IC方案W567CP80
新唐科技股份有限公司首次推出內(nèi)建8Mbit OTP (One Time PROM)的高音質(zhì)16和弦音樂(lè)IC方案, 定名為 W567CP80.
2012-07-09 10:19:352979
2979富士通半導(dǎo)體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產(chǎn)品
富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產(chǎn)品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產(chǎn)品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲(chǔ)器，是富士通半導(dǎo)體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產(chǎn)品將于2013年3月起開(kāi)始提供新品樣片。
2013-03-25 16:09:371375
1375富士通業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM將量產(chǎn)
富士通推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）合作開(kāi)發(fā)。
2019-08-08 11:17:221800
1800英飛凌擴(kuò)展數(shù)據(jù)記錄存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合，推出業(yè)內(nèi)首款1Mbit車規(guī)級(jí)串行EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器及新型4Mbit F-RAM存儲(chǔ)器
1Mbit EXCELON? F-RAM是業(yè)內(nèi)首款車規(guī)級(jí)串行F-RAM存儲(chǔ)器。 ? ? 這兩款新品已通過(guò)AEC-Q100 1級(jí)認(rèn)證，支持更寬泛的溫
2023-08-09 14:32:40895
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81133A/81134A 12 Mbit擴(kuò)展模式存儲(chǔ)器產(chǎn)品情況說(shuō)明書
Information on the 12 Mbit Pattern Memory for the 81133A/34A
2019-09-19 09:04:38
8Mbit的esp-03的corect固件問(wèn)題求解
嗨，
我有 8Mbit 的 esp-03 的 corect 固件問(wèn)題
當(dāng)我將新的 lua 固件下載到 4Mb 時(shí)，一切都是 corect，
當(dāng)我嘗試對(duì) 8Mb 做同樣的事情時(shí)，我也必須
2023-04-26 08:48:33
64Mbit 3V異步SRAM已經(jīng)建成90nm CMOS技術(shù)
＝43301數(shù)據(jù)表@ HTTP://wwwyCysP.COM/？RID＝49137 以上來(lái)自于百度翻譯 以下為原文Cypress packs 64Mbit memory in SRAM chips
2019-07-23 11:58:19
SRAM和FRAM技術(shù)的共同屬性
。鑒于這兩部分都具有使用SPI接口的實(shí)現(xiàn)，很明顯，可以認(rèn)為這些部分可以在大多數(shù)設(shè)計(jì)中互換使用。以下各節(jié)描述了這些技術(shù)的共同屬性?！ ∮洃浫萘俊 ‘?dāng)今市場(chǎng)上可用的串行SRAM支持從64 Kbit到1
2020-12-17 16:18:54
AM335x 與 異步SRAM的接口
請(qǐng)問(wèn)：
????????? AM335x能否接異步SRAM，如果SRAM的工作電壓為3.3v, 是否可行？
謝謝！
2018-05-15 07:39:02
Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器) PSRAM EM7324SU16xP-70LFx
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit
2013-08-22 09:30:32
Cyclone 配置芯片
, 16-, and 64-Mbit flash memory devices that serially configure Stratix? II FPGAs and the Cyclone
2012-08-11 09:23:58
DDR2上512Mbit (32Mbit * 16) 是什么意思？
一塊DDR2的說(shuō)明寫的是512Mbit (32Mbit * 16) ，這個(gè)是什么意思？
2015-02-10 15:15:26
EMLSI半導(dǎo)體
我司是韓國(guó)EMLSI半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)指定代理.公司主要產(chǎn)品有：1,Low power sram(低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~16Mbit.2,PSRAM[Pseudo SRAM] (虛擬
2011-07-26 10:31:04
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2011-07-26 10:32:18
Gowin UHS PSRAM Memory Interface IP快速用戶指南
Gowin UHS PSRAM Memory Interface & 2CH IP 用戶指南主要內(nèi)容包括 IP 的特征與功能描述、端口說(shuō)明、時(shí)序說(shuō)明、配置調(diào)用、參考設(shè)計(jì)等， 旨在幫助用戶快速
2022-10-10 09:18:38
Mobile SDRAM
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit
2013-08-02 09:43:10
Mobile SDRAM/DDR 低功耗
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit
2013-08-16 09:22:13
W25Q40換成W25Q64模塊是否能正常工作？
如果將閃存芯片W25Q40（4Mbit）換成W25Q64（64Mbit），模塊是否能正常工作？而且，最有趣的是，是否支持在 NodeMcu 中處理文件？
PS
如何確定可用于錄制文件的閃存容量？
2023-04-28 07:33:59
stm32f103zet6外擴(kuò)SRAM如何選擇
SPI接口外擴(kuò)SRAM ,可以采用VTI科技公司的一款VTI7064的產(chǎn)品，VTI7064是一款容量為64Mbit，讀電流：最大25mA，待機(jī)電流：正常值為50uA，封裝為SOP-8，20 MHz時(shí)鐘
2019-02-27 17:00:34
樂(lè)鑫ESPRESSIF串行外設(shè)接口64 Mbit 偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)? ESP-PSRAM64
其中一款近期非常熱銷的ESP-PSRAM64芯片。ESP-PSRAM64 和 ESP-PSRAM64H 是 64 Mbit 偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)? (Pseudo SRAM)，采用高性能高可靠性的 CMOS
2020-05-11 09:56:38
介紹W25Q64和驅(qū)動(dòng)函數(shù)
可說(shuō)的。關(guān)于FATFS的移植下一篇文章介紹。本篇文章主要介紹W25Q64和驅(qū)動(dòng)函數(shù)。W25Q64容量是64Mbit的flash，64Mbit = 8MByte。其內(nèi)部組織關(guān)系如下：W25Q64內(nèi)部
2022-01-26 07:53:10
以32Mbit-C1模式刷新SPI_MODE_MAP=6的固件，它永遠(yuǎn)不會(huì)進(jìn)入用戶代碼，為什么？
我編譯了一個(gè) SPI_MODE_MAP=6 的固件，在 32Mbit 刷寫模式下在0x01000地址刷寫后工作正常，但加載器 （1.4b1） 顯示它是 32Mbit（512K 512K） 模式（我也
2024-07-22 07:04:27
原廠供應(yīng)記憶存儲(chǔ)芯片 Cellular RAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 PSRAM
)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速SRAM）4Mbit-16Mbit.4.Serial SRAM(串行
2013-08-29 10:11:56
哪種類型的同步SRAM用于外部存儲(chǔ)器？
你好，我懷疑，在4Mbit（128 K×32）流水線同步SRAM（CY7C1339 G）。沒(méi)有這個(gè)引腳ADSP，ADSC，我能得到同步SRAM內(nèi)存。我可以用作為一個(gè)外部存儲(chǔ)器，如果我能比我用ADSP
2019-08-15 07:02:35
基于CY15B104Q 4-Mbit（512K x 8）的串行FRAM
MIKROE-2768，F(xiàn)RAM 2 CLICK Board帶有CY15B104Q 4 Mbit（512K x 8）串行F-RAM。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或F-RAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于SRAM
2020-07-22 10:30:31
帶備用電池的SPI SRAM PICtail開(kāi)發(fā)板
AC164151，PICtail和PICtail Plus開(kāi)發(fā)板，演示了標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)平臺(tái)上帶備用電池的23LCV1024 1 Mbit串行SRAM的功能
2020-08-21 09:48:09
德國(guó)IPSiLog Serial SRAM 串行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 SPI-SRAM 可替代Samsung
：1.Low power SRAM (低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit-16Mbit.2.Async Fast SRAM(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速
2013-08-23 11:00:03
用于高性能MCU上的代碼下載與執(zhí)行的TM4C129參考設(shè)計(jì)
描述此參考設(shè)計(jì)展示了如何實(shí)現(xiàn)異步并列式閃存和 SRAM 存儲(chǔ)器并將其連接到性能微控制器 TM4C129。通過(guò)在主機(jī)總線 16 模式下使用 EPI 接口并提供用于連接 1Gbit-8Mbit 范圍
2022-09-16 08:09:27
請(qǐng)問(wèn)STM32cubeIDE怎么配置以太網(wǎng)的速率是10Mbit/s？
STM32cubeIDE怎么配置以太網(wǎng)的速率是10Mbit/s啊，PHY使用的是microchip的LAN8742
2023-08-07 09:08:00
請(qǐng)問(wèn)stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義嗎？
stm32f103zet6搭配256Mbit SDRAM有意義么，看原子戰(zhàn)艦也才8M，是不是有點(diǎn)浪費(fèi)，F(xiàn)1性能能消耗這么大內(nèi)存么？
2019-05-07 02:35:35
請(qǐng)問(wèn)為什么SPI時(shí)鐘波特率限制在18Mbit/s？
我正在使用 STM32F072RB MCU，我正在嘗試提高 SPI 波特率。HSI48 時(shí)鐘為 48MHz，最小 SPI 時(shí)鐘預(yù)分頻比為 2，即 24Mbit/s。但是，它給我一個(gè)錯(cuò)誤，指出波特率超過(guò) 18MBit/s。為什么會(huì)這樣，還有什么可以改變的嗎？
2023-01-11 08:46:47
請(qǐng)問(wèn)有超過(guò)1Mbit的EEPROM推薦嗎
查看了Microchip 的EEPROM資料，好像都是只有到1Mbit， 這樣折算下來(lái)，也才有128KByte的數(shù)據(jù)量可以存儲(chǔ)。請(qǐng)問(wèn)各位見(jiàn)多識(shí)廣的大神，有沒(méi)有1MByte的數(shù)據(jù)量存儲(chǔ)的EEPROM推薦，有的話型號(hào)是什么？
2019-01-21 08:12:36
韓國(guó)EMLSI Mobile SDRAM DDR低功耗 Cypress SRAM SDRAM
(異步高速SRAM）4Mbit-72Mbit.3.Sync Fast SRAM(同步高速SRAM）4Mbit-16Mbit.4.Serial SRAM(串行靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2013-08-30 10:31:33
韓國(guó)EMLSI和美國(guó)Everspin半導(dǎo)體
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)1Mbit~8Mbit.3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虛擬靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit~64Mbit.4,Cellular RAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)4Mbit
2013-07-17 09:52:33
M25P20 pdf datasheet (2 Mbit,
The M25P20 is a 2 Mbit (256K x 8) Serial Flash Memory, with advanced write protectionmechanisms
2009-04-12 00:20:40
26
26國(guó)內(nèi)衛(wèi)星通信TDM/QPSK/FDMA(2 Mbit/s)系統(tǒng)進(jìn)網(wǎng)技術(shù)要求
國(guó)內(nèi)衛(wèi)星通信TDM/QPSK/FDMA(2 Mbit/s)系統(tǒng)進(jìn)網(wǎng)技術(shù)要求：
2009-08-20 14:12:1124
24FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F
FM22LD16 datasheet pdf,4Mbit F-RAM Memory
The FM22LD16 is a 256Kx16 nonvolatile memorythat reads
2010-03-03 15:05:3111
11FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit
FM28V100 datasheet pdf ,1Mbit Bytewide F-RAM Memory
The FM28V100 is a 128K x 8 nonvolatile
2010-03-03 15:07:3928
28交換機(jī)采用155Mbit/s中繼對(duì)通信網(wǎng)絡(luò)帶來(lái)的影響
交換機(jī)采用155Mbit/s中繼對(duì)通信網(wǎng)絡(luò)帶來(lái)的影響
在當(dāng)今通信領(lǐng)域激烈競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代，各通信運(yùn)營(yíng)商面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。為了在競(jìng)爭(zhēng)中立于不敗之地，必
2009-08-20 00:42:551914
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65納米144-Mbit SRAM（賽普拉斯）
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賽普拉斯半導(dǎo)體公司推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRI
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全球最大的序列式快閃存儲(chǔ)器(Serial Flash)生產(chǎn)制造公司宣布，領(lǐng)先業(yè)界推出全球第一顆256Mbit序列快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)品─MX25L25635E
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892賽普拉斯36-Mbit和18-Mbit容量的四倍速和雙倍速S
賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出新型36-Mbit 和 18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和雙倍速 (DDR) SRAM，這些新產(chǎn)品是其65-nm SRAM
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755華邦電子推出W989D6C系列512Mbit行動(dòng)內(nèi)存
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賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一款容量高達(dá) 72 Mbit 的先進(jìn)先出 (FIFO) 存儲(chǔ)器。該款全新的高容量 (HD) FIFO 是視頻及成像應(yīng)用的理想選擇，可滿足高效緩沖所需的高容量和高頻率要求
2011-06-17 09:42:022992
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賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長(zhǎng)電池使用壽命)異步SRAM
2011-08-02 09:01:301027
1027富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品
上海， 2016-11-08——富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
2017-03-24 18:03:201911
1911富士通推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM，是穿戴式裝置與助聽(tīng)器的絕佳選擇
富士通電子元器件（上海）有限公司推出業(yè)界最高密度4 Mbit ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器）（注1）產(chǎn)品 MB85AS4MT。此產(chǎn)品為富士通半導(dǎo)體與松下電器半導(dǎo)體（注2）合作開(kāi)發(fā)的首款ReRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品。
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1609cy7c1360c 9-mbit流水線SRAM
The CY7C1360C/CY7C1362C SRAM integrates 256K × 36 and 512K × 18 SRAM cells with advanced
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5SRAM 72-Mbit QDR? II SRAM 2 字突發(fā)結(jié)構(gòu)
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2017-10-10 08:58:4212
12SRAM 72-Mbit QDR? II+ SRAM 4 字突發(fā)架構(gòu)（2.5 周期讀延遲
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17SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM
SRAM CY14B101Q1, CY14B101Q2, CY14B101Q3 1 Mbit (128 K × 8) Serial SPI nvSRAM
2017-10-10 09:03:593
3SRAM 1-Mbit (128 K × 8) 串行 SPI nvSRAM，帶實(shí)時(shí)時(shí)鐘
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16異步SRAM高性能低功耗存儲(chǔ)器的實(shí)現(xiàn)
異步SRAM產(chǎn)品分為快速與低功耗兩個(gè)極為不同的產(chǎn)品類型，每個(gè)系列都具有其自己的一系列特性、應(yīng)用和價(jià)格。快速異步SRAM具有更快的存取速度，但功耗較高；低功耗SRAM功耗低，但存取速度慢。 從技術(shù)角度
2017-10-16 11:11:380
02017年四季度中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告 固定及移動(dòng)寬帶下載速率逼近20Mbit/s大關(guān)
據(jù)報(bào)道2017年第四季度中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告已經(jīng)出來(lái)，報(bào)告表明我國(guó)固定寬帶平均下載速率超19Mbit/s，網(wǎng)絡(luò)提速工作成效明顯，固定及移動(dòng)寬帶下載速率逼近20Mbit/s大關(guān)，僅歷時(shí)不到1年半。
2018-02-01 11:00:262843
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2018年第一季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到20.15Mbit/s，取得標(biāo)志性成果
5月2日寬帶發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布了第19期《中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告》（2018年第一季度）。報(bào)告顯示，2018年第一季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到20.15Mbit/s，已超越20Mbit/s大關(guān)，取得了標(biāo)志性成果，相比2017年第一季度同比提升達(dá)到54.9%。
2018-06-14 09:45:004373
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中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告：我國(guó)平均網(wǎng)絡(luò)下載速率已經(jīng)超過(guò)20Mbit/s
前不久，寬帶發(fā)展聯(lián)盟發(fā)布了第19期《中國(guó)寬帶速率狀況報(bào)告》，其中顯示，我國(guó)2018年第一季度網(wǎng)絡(luò)寬帶平均下載速率達(dá)到了20.15Mbit/s，正式超過(guò)20Mbit/s大關(guān)取得了顯著成績(jī)，相比
2018-09-18 11:45:112212
2212Mbit非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器nvSRAM系列
包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲(chǔ)器。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02933
933基于使用STM32F103單片機(jī)，實(shí)現(xiàn)64Mbit單對(duì)單通信
簡(jiǎn)單的一種應(yīng)用，ARM芯片作為master，flash為slaver，實(shí)現(xiàn)單對(duì)單通信。ARM主控芯片STM32F103，flash芯片為MACRONIX INTERNATIONAL的MX25L6465E，64Mbit。
2018-10-18 15:19:352120
2120
我國(guó)4G網(wǎng)絡(luò)的平均下載速率已達(dá)到每秒23.58Mbit/s同比提高了16.6%
在4G網(wǎng)絡(luò)下載速率方面，三大運(yùn)營(yíng)商中，中國(guó)聯(lián)通的4G網(wǎng)絡(luò)用戶下載速率最高為每秒24.86Mbit/s，移動(dòng)居其次是每秒23.46Mbit/s，電信則是每秒23.23Mbit/s。值得注意的是，移動(dòng)和電信的用戶下載速率確實(shí)均低于每秒23.58Mbit/s的全國(guó)平均值。
2019-08-26 09:39:305266
52662019年第三季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率已達(dá)到了37.69Mbit/s
報(bào)告顯示，2019年第三季度我國(guó)固定寬帶網(wǎng)絡(luò)平均下載速率達(dá)到37.69Mbit/s，環(huán)比上季度提升了6.3%，同比去年同期提升了12.7Mbit/s，年度提升幅度達(dá)到50.8%；我國(guó)移動(dòng)寬帶用戶使用4G網(wǎng)絡(luò)訪問(wèn)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)的平均下載速率達(dá)到24.02Mbit/s，同比去年同期提升幅度也達(dá)到了11.9%。
2019-11-28 10:13:471870
1870RY1100 2Mbit s誤碼測(cè)試儀的詳細(xì)資料介紹
RY1100 2Mbit/s誤碼測(cè)試儀適用于測(cè)量通信線路數(shù)據(jù)通信的誤碼率和分析線路故障及原因?？煞奖愕赝瓿蓪?duì)2M系統(tǒng)，N×64k信道傳輸參數(shù)測(cè)量及日常維護(hù)測(cè)試。
2020-05-28 08:00:001
1異步SRAM存儲(chǔ)器的功能以及應(yīng)用領(lǐng)域的概述
CYPRESS的異步SRAM產(chǎn)品包含業(yè)界最多樣的異步低功耗SRAM產(chǎn)品組合，密度范圍從64Kb至64Mb。MoBL SRAM提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)電壓、總線寬度及封裝選項(xiàng)。 此裝置提供領(lǐng)先業(yè)界的待機(jī)功率消耗
2020-08-24 17:29:472697
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XM8A51216V33A在功能上等效于異步SRAM
等效于異步SRAM，是一種高性能8Mbit CMOS存儲(chǔ)器，組織為512K字乘16位和1024K字乘8位，支持異步SRAM存儲(chǔ)器接口。星憶存儲(chǔ)代理英尚微電子支持提供例程及產(chǎn)品應(yīng)用解決方案等產(chǎn)品服務(wù)。 特征
2020-09-09 11:44:112413
2413Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns
Cypress 16兆字節(jié)快速異步SRAM﹐其存取時(shí)間小于10ns。異步SRAM內(nèi)含l億多個(gè)晶體管﹐采用6個(gè)晶體管存儲(chǔ)單元﹐是該公司4兆字節(jié)快速異步SRAM的后續(xù)產(chǎn)品.Cypress負(fù)責(zé)這種
2020-11-17 16:35:161014
1014帶有ECC的異步SRAM存儲(chǔ)器可適用于各種應(yīng)用領(lǐng)域
賽普拉斯憑借可服務(wù)于各種高可靠性工業(yè)，通信，數(shù)據(jù)處理，醫(yī)療，消費(fèi)和軍事應(yīng)用的性能，快速SRAM器件可提供片上ECC。這些器件具有與老一代異步SRAM兼容的外形匹配功能。 帶有ECC的異步SRAM
2021-01-16 11:26:151440
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關(guān)于VTI7064 64Mbit串行SRAM的接口說(shuō)明
VTI7064 64Mbit串行SRAM，它支持1.8v和3.3V 64Mbit的SPI/QPI（串行外圍接口/四重外圍接口）SRAM器件。該RAM可配置為1位輸入和輸出分離或4位I/O通用接口
2021-03-18 16:25:171997
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國(guó)產(chǎn)串行SRAM芯片EMI7064的特征介紹
現(xiàn)在的電子系統(tǒng)應(yīng)用，對(duì)SRAM要求越來(lái)越高，單片機(jī)或ARM內(nèi)部的RAM越來(lái)越不夠用。國(guó)產(chǎn)EMI公司的64Mbit SPI接口的SRAM芯片EMI7064。這樣的IC用途一般是：數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理
2021-03-31 09:53:413658
3658
ISSI IS61WV25616BLL是一種高速的4Mbit靜態(tài)SRAM
擴(kuò)展到了汽車，通信，數(shù)字消費(fèi)，工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存內(nèi)容，以幫助處理大量數(shù)據(jù)。 ISSI IS61WV25616BLL是高速的4Mbit靜態(tài)SRAM，它是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)，可生產(chǎn)出高性能和低功耗
2021-04-08 15:44:022100
2100
2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR的功能及特征
和橫跨傳統(tǒng)市場(chǎng)的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴(kuò)展溫度的2Mbit串行FRAM存儲(chǔ)器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:022186
21864Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡(jiǎn)介
：同步和異步。同步SRAM是與稱為時(shí)鐘的外部信號(hào)同步的設(shè)備。設(shè)備只會(huì)在時(shí)鐘的特定狀態(tài)下將信息讀取和寫入內(nèi)存。另一方面，異步SRAM不依賴于時(shí)鐘的狀態(tài)。它會(huì)在收到指令后立即開(kāi)始向內(nèi)存中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?賽普拉斯為網(wǎng)絡(luò)、汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航
2021-06-08 16:58:106514
6514為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s
數(shù)據(jù)段波特率最大5Mbit/s可以穩(wěn)定通信，為什么PCAN-USB FD能夠支持8Mbit/s或者最大的12Mbit/s？ 我們帶著這個(gè)疑問(wèn)對(duì)PEAK的所有CAN FD接口進(jìn)行了測(cè)試，發(fā)現(xiàn)帶NXP
2021-08-23 09:54:234564
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國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I的簡(jiǎn)單介紹
（異步SRAM）、Sync SRAM （同步SRAM）等。下面我司介紹一款4Mbit異步低功耗國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I。
2021-09-22 15:48:252900
2900國(guó)產(chǎn)異步低功耗SRAM芯片的詳細(xì)介紹
靜態(tài)存儲(chǔ)SRAM芯片包含業(yè)界多樣的異步低功耗SRAM。而帶有ECC的異步SRAM適用于各種要求最高可靠性和性能標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)，醫(yī)療，商業(yè)，汽車和軍事應(yīng)用。快速SRAM是諸如交換機(jī)和路由器，IP電話，測(cè)試設(shè)備和汽車電子產(chǎn)品之類的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的理想選擇。
2021-10-11 16:33:1113517
13517富士通新品8Mbit FRAM高達(dá)100萬(wàn)億次的寫入耐久性
FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)，富士通推出了具有并行接口型號(hào)MB85R8M2TA的8Mbit?FRAM存儲(chǔ)芯片，這是富士通FRAM產(chǎn)品系列中第一款保證
2021-12-11 14:46:171147
1147偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I
暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲(chǔ)器。 ? 偉凌創(chuàng)芯4Mbit異步快速SRAM芯片 EMI504WF16VA-10I 是4Mbit異步快速SRAM芯片，位寬為256K*16K字。它使用16條公共輸入和輸出
2021-12-21 15:49:531942
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國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM
快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。 國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容量16Mbit異步快速隨機(jī)靜態(tài)存儲(chǔ)器，位寬8
2022-01-07 16:43:332544
2544高性能異步SRAM技術(shù)角度
當(dāng)前有兩個(gè)不同系列的異步SRAM：快速SRAM(支持高速存取)和低功耗SRAM(低功耗)。從技術(shù)角度看來(lái)，這種權(quán)衡是合理的。在低功耗SRAM中，通...
2022-02-07 12:37:562
2SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開(kāi)源設(shè)計(jì)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SBC 85 1Mbit內(nèi)存板開(kāi)源設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-11 11:30:302
2具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的4Mbit FeRAM MB85RQ4ML
加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體正在批量生產(chǎn)具有快速數(shù)據(jù)傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲(chǔ)器可以在最大 108MHz 的工作頻率下實(shí)現(xiàn)每秒 54MByte 的數(shù)據(jù)傳輸率，并具有四個(gè) I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。
2022-08-26 15:35:441050
1050英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲(chǔ)器已開(kāi)始批量供貨
【 2022 年 11 月 22 日，德國(guó)慕尼黑訊】 近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣布該公司最新推出的8 Mbit和16 Mbit EXCELON
2022-11-23 13:57:42792
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1Mbit存儲(chǔ)MRAM芯片MR0A16A
Everspin型號(hào)MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲(chǔ)芯片，組織為16位的65536個(gè)字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時(shí)序，續(xù)航時(shí)間無(wú)限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時(shí)間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:081211
12114Mbit的磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1廣泛用于嵌入式系統(tǒng)
4Mbit的磁存儲(chǔ)器HS4MANSQ1A-DS1廣泛用于嵌入式系統(tǒng)
2024-04-22 09:57:36896
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BY25Q64ESSIG低功耗設(shè)計(jì)優(yōu)化車載電源管理
博雅BOYA 64Mbit NOR Flash BY25Q64ESSIG憑借133MHz高速讀取與車規(guī)級(jí)溫度適應(yīng)性，為車載DVD系統(tǒng)提供快速啟動(dòng)及可靠固件存儲(chǔ)。其低功耗設(shè)計(jì)與10萬(wàn)次擦寫壽命保障系統(tǒng)在-40℃~85℃環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，助力提升車載影音設(shè)備性能。
2025-12-19 09:53:00153
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FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析
FM25V10 1-Mbit 串行 F-RAM 芯片的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，找到一款性能卓越、功能豐富且穩(wěn)定可靠的非易失性存儲(chǔ)器至關(guān)重要。今天，我們就來(lái)深入探討 Cypress 公司推出
2026-01-04 17:25:09367
367- 設(shè)計(jì)技術(shù)
- 可編程邏輯
- 電源/新能源
- MEMS/傳感技術(shù)
- 測(cè)量?jī)x表
- 嵌入式技術(shù)
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- 模擬技術(shù)
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- 接口/總線/驅(qū)動(dòng)
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- EDA/IC設(shè)計(jì)
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