SOI晶圓片制造技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心分支，歷經(jīng)五十年技術(shù)沉淀與產(chǎn)業(yè)迭代，已形成以SIMOX、BSOI、Eltran及Smart Cut為核心的四大成熟工藝體系，并在2025年展現(xiàn)出顯著的技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)化擴(kuò)展趨勢(shì)。
2025-12-26 15:15:14
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德國(guó)大陸 ARS 408毫米波雷達(dá)外觀和標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)分析
2025-12-03 10:34:5519118 
用于單向可見(jiàn)光成像的多層衍射光學(xué)處理器的晶圓級(jí)納米制造。 加州大學(xué)洛杉磯分校薩繆利工程學(xué)院的研究人員與博通公司光學(xué)系統(tǒng)部門(mén)合作，報(bào)告了一種寬帶、偏振不敏感的單向成像儀，該成像儀在可見(jiàn)光譜中運(yùn)行，能夠
2025-12-02 07:38:38123 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，晶圓檢測(cè)是確保芯片質(zhì)量與性能的核心環(huán)節(jié)。隨著工藝精度的不斷提升，晶圓溫度對(duì)檢測(cè)結(jié)果的影響日益凸顯。熱電偶溫度監(jiān)測(cè)技術(shù)因其高靈敏度和實(shí)時(shí)性，被廣泛應(yīng)用于晶圓檢測(cè)環(huán)境中，用于實(shí)時(shí)監(jiān)控
2025-11-27 10:07:18386 
在緊湊的板對(duì)板連接中，您是否正被微小的對(duì)準(zhǔn)偏差所困擾？這不僅影響生產(chǎn)效率，更可能成為產(chǎn)品可靠性的隱患。TE Connectivity（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“TE”）新型0.8毫米自由高度浮動(dòng)連接器，正是為化解這一挑戰(zhàn)而來(lái)。
2025-11-26 11:52:53579 在超高純度晶圓制造過(guò)程中，盡管晶圓本身需達(dá)到11個(gè)9（99.999999999%）以上的純度標(biāo)準(zhǔn)以維持基礎(chǔ)半導(dǎo)體特性，但為實(shí)現(xiàn)集成電路的功能化構(gòu)建，必須通過(guò)摻雜工藝在硅襯底表面局部引入特定雜質(zhì)。
2025-10-29 14:21:31620 
晶圓制造過(guò)程中，多個(gè)關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)都極易受到污染，這些污染源可能來(lái)自環(huán)境、設(shè)備、材料或人體接觸等。以下是最易受污染的環(huán)節(jié)及其具體原因和影響： 1. 光刻（Photolithography） 污染類(lèi)型
2025-10-21 14:28:36685 馬蘭戈尼干燥原理通過(guò)獨(dú)特的流體力學(xué)機(jī)制顯著提升了晶圓制造過(guò)程中的干燥效率與質(zhì)量，但其應(yīng)用也需精準(zhǔn)調(diào)控以避免潛在缺陷。以下是該技術(shù)對(duì)晶圓制造的具體影響分析：正面影響減少水漬污染與殘留定向回流機(jī)制：利用
2025-10-15 14:11:06423 
關(guān)于晶圓和芯片哪個(gè)更難制造的問(wèn)題，實(shí)際上兩者都涉及極高的技術(shù)門(mén)檻和復(fù)雜的工藝流程，但它們的難點(diǎn)側(cè)重不同。以下是具體分析：晶圓制造的難度核心材料提純與單晶生長(zhǎng)超高純度要求：電子級(jí)硅需達(dá)到
2025-10-15 14:04:54612 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來(lái)源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場(chǎng)景等方面。以下是具體分析：定義與來(lái)源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
MEMS晶圓級(jí)電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過(guò)程中，整個(gè)硅晶圓表面通過(guò)電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級(jí)和圖形化特性：它能在同一時(shí)間對(duì)晶圓上的成千上萬(wàn)個(gè)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行批量加工，極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性，是實(shí)現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。
2025-09-01 16:07:282073 
晶圓處理前端模塊是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造裝備中的重要組成部分，承擔(dān)著在超凈環(huán)境中安全傳輸晶圓的關(guān)鍵任務(wù)。這類(lèi)設(shè)備不僅要維持極高的潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，還必須實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)可靠的晶圓轉(zhuǎn)移，以滿(mǎn)足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造對(duì)工藝精度和生產(chǎn)
2025-08-26 09:57:53391 EFEM（設(shè)備前端模塊）晶圓搬運(yùn)系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其主要作用是在超凈環(huán)境下實(shí)現(xiàn)晶圓的安全、精準(zhǔn)傳輸。這類(lèi)系統(tǒng)不僅需要維持極高的潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，還必須確保晶圓傳輸?shù)木_性和穩(wěn)定性
2025-08-26 09:57:19813 ，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。 WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃
2025-08-25 11:29:30
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，Die（發(fā)音為/da?/，中文常稱(chēng)為裸片、裸晶、晶?；蚓┦侵笍囊徽瑘A形硅晶圓（Wafer）上，通過(guò)精密切割（Dicing）工藝分離下來(lái)的、單個(gè)含有完整集成電路（IC）功能的小方塊。
2025-08-21 10:46:543211 在晶圓加工流程中，早期檢測(cè)宏觀缺陷是提升良率與推動(dòng)工藝改進(jìn)的核心環(huán)節(jié)，這一需求正驅(qū)動(dòng)檢測(cè)技術(shù)與晶圓測(cè)試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測(cè)的重要性與挑戰(zhàn)在晶圓層面，一個(gè)宏觀缺陷可能影響多個(gè)芯片，甚至在
2025-08-19 13:48:231116 
本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié)，主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流程，為該技術(shù)實(shí)現(xiàn)短互連長(zhǎng)度、小尺寸、高集成度等特性提供了重要支撐。
2025-08-12 10:35:001543 
據(jù)科技日?qǐng)?bào)報(bào)道，我國(guó)微型稀土永磁電機(jī)領(lǐng)域再創(chuàng)輝煌，據(jù)內(nèi)蒙古包頭市的稀土新材料技術(shù)創(chuàng)新中心消息顯示，厚度只有6毫米的稀土永磁軸向磁通電機(jī)研制成功。 據(jù)悉，功率只有3瓦； 但是有著每分鐘4500
2025-08-06 14:47:421129 退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過(guò)控制加熱和冷卻過(guò)程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232023 
劃片機(jī)（DicingSaw）在生物晶圓芯片的制造中扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在實(shí)現(xiàn)高精度切割方面。生物晶圓芯片通常指在硅、玻璃、石英、陶瓷或聚合物（如PDMS）等基片上制造的，用于生物檢測(cè)、診斷
2025-07-28 16:10:29709 
Texas Instruments IWRL1432毫米波雷達(dá)傳感器是一款基于FMCW雷達(dá)技術(shù)的集成單芯片毫米波傳感器。該器件可在76GHz至81GHz頻段內(nèi)工作，被分為四個(gè)功率域（射頻/模擬子系統(tǒng)、前端控制器子系統(tǒng) (FECSS)、應(yīng)用子系統(tǒng) (APPSS) 和硬件加速器 (HWA)）。
2025-07-25 09:32:061403 
Texas Instruments AWRL1432毫米波雷達(dá)傳感器是一款基于調(diào)頻連續(xù)波 (FMCW) 雷達(dá)技術(shù)的集成式單芯片毫米波傳感器。該器件可在76GHz至81GHz頻段內(nèi)工作，分為四個(gè)電源域
2025-07-24 16:52:501159 
Texas Instruments IWR2944毫米波雷達(dá)傳感器是一款單芯片毫米波傳感器，由FMCW收發(fā)器、雷達(dá)數(shù)據(jù)處理元件（能夠在76GHz至81GHz頻段運(yùn)行）和車(chē)載網(wǎng)絡(luò)外圍器件組成
2025-07-23 16:00:231335 
晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類(lèi)型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類(lèi) 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過(guò)對(duì)晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量和分析，幫助識(shí)別工藝中的問(wèn)題，并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項(xiàng)目的量產(chǎn)管理中，WAT是您保持產(chǎn)線穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的重要工具。
2025-07-17 11:43:312774 一、引言
在晶圓制造過(guò)程中，晶圓總厚度變化（TTV）是衡量晶圓質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，直接影響芯片制造的良品率與性能。切割過(guò)程中，受切削力、振動(dòng)、刀具磨損等因素影響，切割深度難以精準(zhǔn)控制，導(dǎo)致晶圓 TTV
2025-07-17 09:28:18404 
一、引言
在半導(dǎo)體制造中，晶圓總厚度變化（TTV）均勻性是決定芯片性能與良品率的關(guān)鍵因素，而切割過(guò)程產(chǎn)生的應(yīng)力會(huì)導(dǎo)致晶圓變形，進(jìn)一步惡化 TTV 均勻性。淺切多道工藝作為一種先進(jìn)的晶圓切割技術(shù)，在
2025-07-14 13:57:45465 關(guān)鍵字:90毫米大直徑測(cè)徑儀,大直徑測(cè)量,90毫米測(cè)寬儀,
測(cè)徑儀功能描述：
量程大于90mm
實(shí)時(shí)測(cè)量：實(shí)時(shí)顯示測(cè)量值，數(shù)據(jù)刷新 1~10次/秒可設(shè)置。
PID控制：實(shí)時(shí)反饋，實(shí)現(xiàn)工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)閉環(huán)控制
2025-07-10 14:28:21
，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及
2025-07-10 13:42:33
On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測(cè)解決方案，專(zhuān)為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測(cè)量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過(guò)將微型熱電偶傳感器（Thermocouple）直接鑲嵌于晶圓表面，實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶圓溫度
2025-06-27 10:03:141396 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專(zhuān)門(mén)用于清潔承載晶圓的載具（如載具、花籃、托盤(pán)等），避免污染物通過(guò)載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面，從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
ALN4300-02-2335毫米波低噪聲放大器（LNA）是專(zhuān)門(mén)針對(duì)高頻通信與機(jī)載雷達(dá)所打造的高性能器件，頻率范圍精準(zhǔn)覆蓋 23 - 35GHz 毫米波頻段。ALN4300-02-2335使用先進(jìn)
2025-06-19 09:14:18
、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓厚度測(cè)量設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測(cè)、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工
2025-06-18 15:40:06
摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測(cè)量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對(duì)芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時(shí)研究測(cè)量方法、測(cè)量設(shè)備精度等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58551 晶圓檢測(cè)是指在晶圓制造完成后，對(duì)晶圓進(jìn)行的一系列物理和電學(xué)性能的測(cè)試與分析，以確保其質(zhì)量和性能符合設(shè)計(jì)要求。這一過(guò)程是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，直接影響后續(xù)封裝和芯片的良品率。 隨著圖形化和幾何結(jié)構(gòu)
2025-06-06 17:15:28715 
貼膜是指將一片經(jīng)過(guò)減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱(chēng)為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179 
晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構(gòu)建于晶圓之上，其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow
2025-05-28 16:12:46
關(guān)鍵詞：鍵合晶圓；TTV 質(zhì)量；晶圓預(yù)處理；鍵合工藝；檢測(cè)機(jī)制 一、引言 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，鍵合晶圓技術(shù)廣泛應(yīng)用于三維集成、傳感器制造等領(lǐng)域。然而，鍵合過(guò)程中諸多因素會(huì)導(dǎo)致晶圓總厚度偏差（TTV
2025-05-26 09:24:36850 
技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：激光退火；晶圓；TTV 變化；管控方法 一、引言 激光退火作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，在改善晶圓電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用。然而，激光退火過(guò)程中產(chǎn)生的高熱量及不均勻的能量分布，易導(dǎo)致晶圓內(nèi)部應(yīng)力變化，從而引
2025-05-23 09:42:45580 設(shè)備拋光機(jī)上的經(jīng)典應(yīng)用案例。企業(yè)背景與痛點(diǎn)廣東一半導(dǎo)體制造公司專(zhuān)注于高端芯片生產(chǎn)，其先進(jìn)的 12 英寸晶圓生產(chǎn)線采用了前沿的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)，旨在實(shí)現(xiàn)晶圓
2025-05-22 14:58:29
摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57508 
摘要：本文針對(duì)晶圓切割過(guò)程中 TTV（總厚度偏差）控制難題，提出一種用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理及其在控制 TTV 方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為提升晶圓切割質(zhì)量
2025-05-21 11:00:27406 摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過(guò)對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn)，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
2025-05-20 17:51:391022 ?隨著半導(dǎo)體制造工藝的生產(chǎn)自動(dòng)化需求以及生產(chǎn)精度、流程可控性的需求，晶圓卡塞盒作為承載晶圓的核心載體，其管理效率直接影響到生產(chǎn)流程的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。本文將結(jié)合RFID技術(shù)與半導(dǎo)體行業(yè)的需求，闡述
2025-05-20 14:57:31625 
前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
常規(guī)IC封裝需經(jīng)過(guò)將晶圓與IC封裝基板焊接，再將IC基板焊接至普通PCB的復(fù)雜過(guò)程。與之不同，WLP基于IC晶圓，借助PCB制造技術(shù)，在晶圓上構(gòu)建類(lèi)似IC封裝基板的結(jié)構(gòu)，塑封后可直接安裝在普通PCB
2025-05-14 11:08:162420 
WD4000晶圓制造翹曲度厚度測(cè)量設(shè)備通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。自動(dòng)測(cè)量
2025-05-13 16:05:20
TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是一種專(zhuān)為半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)的溫度測(cè)量設(shè)備，通過(guò)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將高精度耐高溫的熱電偶傳感器嵌入晶圓表面，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓特定位置及整體溫度分布的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)，記錄晶圓在制程
2025-05-12 22:23:35785 在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 圓片級(jí)封裝（WLP），也稱(chēng)為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問(wèn)世以來(lái)，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362066 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
（ESD）和電氣特性的測(cè)量能力，為提高晶圓良品率提供了強(qiáng)大的支持。本文將探討如何通過(guò)使用Keithley 6485靜電計(jì)的技術(shù)和方法來(lái)提升晶圓良品率。 1. 靜電計(jì)的應(yīng)用背景 靜電計(jì)是用于測(cè)量微弱電流、靜電和電壓的儀器，廣泛應(yīng)用于晶圓制造和測(cè)試過(guò)程中
2025-04-15 14:49:13513 
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測(cè)試封裝，一目了然。 全書(shū)共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類(lèi)來(lái)安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過(guò)將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對(duì)晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54765 BergStak HS? 0.50毫米平行扣卡連接器AMPHENOLAMPHENOL的FCI Basics BergStak HS?連接器系列以其快速的數(shù)據(jù)傳輸、高信號(hào)質(zhì)量和長(zhǎng)期應(yīng)用下經(jīng)過(guò)時(shí)間驗(yàn)證
2025-04-08 10:05:15
在半導(dǎo)體行業(yè)的核心—晶圓制造中，材料的選擇至關(guān)重要。PEEK具有耐高溫、耐化學(xué)腐蝕、耐磨、尺寸穩(wěn)定性和抗靜電等優(yōu)異性能，在晶圓制造的各個(gè)階段發(fā)揮著重要作用。其中晶圓夾用于在制造中抓取和處理晶圓。注塑
2025-03-20 10:23:42802 
方案提供服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者EV集團(tuán)(EV Group,簡(jiǎn)稱(chēng)EVG)今日發(fā)布下一代GEMINI?自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng),專(zhuān)為300毫米(12英寸)晶圓量產(chǎn)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)的核心升級(jí)為全新開(kāi)發(fā)的高精度強(qiáng)力鍵合模塊,在滿(mǎn)足全球
2025-03-20 09:07:58889 
本文介紹了晶圓清洗的污染源來(lái)源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
2025-03-18 16:43:051684 
MEMS傳感器晶圓劃片機(jī)技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用分析MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器晶圓劃片機(jī)是用于切割MEMS傳感器晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，需滿(mǎn)足高精度、低損傷及工藝適配性等要求。以下是相關(guān)技術(shù)特點(diǎn)、工藝難點(diǎn)及國(guó)產(chǎn)化
2025-03-13 16:17:45859 
ALN4000-10-3530毫米波低噪聲放大器WENTEQ
ALN4000-10-3530是一款由WENTEQ Microwave生產(chǎn)的毫米波低噪聲放大器，專(zhuān)為毫米波頻段
2025-03-12 09:30:05
芯片制造的畫(huà)布 芯片制造的畫(huà)布：晶圓的奧秘與使命 在芯片制造的宏大舞臺(tái)上，晶圓（Wafer）扮演著至關(guān)重要的角色。它如同一張潔白的畫(huà)布，承載著無(wú)數(shù)工程師的智慧與夢(mèng)想，見(jiàn)證著從砂礫到智能的奇跡之旅。晶
2025-03-10 17:04:251542 日本硅晶圓制造商Sumco宣布，將在2026年底前停止宮崎工廠的硅晶圓生產(chǎn)。 Sumco報(bào)告稱(chēng)，主要用于消費(fèi)、工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的小直徑晶圓需求仍然疲軟。具體而言，隨著客戶(hù)要么轉(zhuǎn)向200毫米晶圓，要么在
2025-02-20 16:36:31815 眾所周知，幾乎所有 SiC 器件都是在 150 毫米晶圓上制造的，使用更大的晶圓存在重大挑戰(zhàn)。從 200 毫米晶圓出貨器件是降低 SiC 器件成本的關(guān)鍵一步，其他公司也在開(kāi)發(fā) 200 毫米技術(shù)
2025-02-19 11:16:55811 新品76毫米晶閘管/晶閘管模塊，電壓為1600V和1800V壓力接觸技術(shù)英飛凌76mm晶閘管功率啟動(dòng)器（1600V和1800V，3400A）模塊采用壓裝技術(shù)，適用于軟啟動(dòng)應(yīng)用，是一種經(jīng)濟(jì)高效的全集
2025-02-13 18:06:11655 
大家元宵節(jié)快樂(lè)！
半導(dǎo)體新人，想尋求一家紙箱供應(yīng)商。
用于我司成品晶圓發(fā)貨，主要是6寸和8寸晶圓。
我司成立尚短，采購(gòu)供應(yīng)商庫(kù)里沒(méi)有合適的廠家，因此來(lái)求助發(fā)燒友們。
我們的需求是：
瓦楞紙箱（質(zhì)量
2025-02-12 18:04:36
Dicing 是指將制造完成的晶圓（Wafer）切割成單個(gè) Die 的工藝步驟，是從晶圓到獨(dú)立芯片生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié)之一。每個(gè) Die 都是一個(gè)功能單元，Dicing 的精準(zhǔn)性直接影響芯片的良率和性能。
2025-02-11 14:28:492943 ALN3750-13-3335毫米波低噪聲放大器WENTEQALN3750-13-3335毫米波低噪聲放大器是毫米波通信系統(tǒng)中的核心組件，專(zhuān)為高頻信號(hào)放大而設(shè)計(jì)，尤其適用于5G及未來(lái)6G通信
2025-02-11 09:32:09
在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
技術(shù)干貨丨視頻處理器晶振應(yīng)用方案一、定義與作用視頻拼接控制器也稱(chēng)視頻處理器，在液晶拼接屏中起了重要的作用,它是大屏拼接系統(tǒng)中的核心設(shè)備,但正如主機(jī)需要CPU一樣，液晶拼接屏也同樣需要一個(gè)類(lèi)似CPU
2025-02-07 09:32:56
0 （https://global.canon/en/news/2025/20250122.html）。 佳能表示，這是“35毫米全畫(huà)幅傳感器有史以來(lái)實(shí)現(xiàn)的最大像素?cái)?shù)量”，但別指望該公司會(huì)將其應(yīng)用于面向消費(fèi)者
2025-01-24 16:10:555161 晶圓，作為芯片制造的基礎(chǔ)載體，其表面平整度對(duì)于后續(xù)芯片制造工藝的成功與否起著決定性作用。
2025-01-24 10:06:022134 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對(duì) BOW（彎曲度）的精確測(cè)量。而在測(cè)量過(guò)程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24520 都說(shuō)晶圓清洗機(jī)是用于晶圓清洗的，既然說(shuō)是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)一定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶圓清洗呢？效果怎么樣呢？好多疑問(wèn)。我們先來(lái)給大家介紹這個(gè)根本問(wèn)題，就是全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:191113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對(duì)晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測(cè)量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測(cè)量過(guò)程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10639 第一個(gè)工藝過(guò)程：晶圓及其制造過(guò)程。 ? 為什么晶圓制造如此重要 隨著技術(shù)進(jìn)步，晶圓的需求量持續(xù)增長(zhǎng)。目前國(guó)內(nèi)市場(chǎng)硅片尺寸主流為100mm、150mm和200mm，硅片直徑的增大會(huì)導(dǎo)致降低單個(gè)芯片制造成本的降低，所以目前300mm硅片的需求量也在
2025-01-09 09:59:262099 
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