本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:13
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外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4717658 在microLED顯示器和功率器件的驅(qū)動下，外延設(shè)備的出貨量在未來五年將增長三倍以上。 外延在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的位置 化合物半導(dǎo)體外延片正大舉進軍超越摩爾領(lǐng)域 據(jù)麥姆斯咨詢介紹，目前，外延生長用于硅基
2020-01-30 09:58:585823 的12英寸單片式碳化硅外延生長設(shè)備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進階段的8英寸晶片，12英寸晶片憑借直徑的大幅增加，在相同生產(chǎn)流程下單片可承載的芯片數(shù)量顯著提升分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片
2025-12-28 09:55:37808 ，熱量是不能及時傳導(dǎo),易形成局部高溫,進而可能損傷元器件、組件,從而影響系統(tǒng)的可靠性及正常工作周期 。所以慎重選擇電源灌封膠非常重要，可以使用有機硅材質(zhì)的電源灌封膠，因其優(yōu)良的物理化學(xué)性能和工藝性能成為灌
2019-02-27 17:19:23
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
本指南提供了有關(guān)Arm SystemReady計劃和SystemReady預(yù)硅啟用的常見問題的答案。
信息分為以下幾個部分：
?SystemReady一般常見問題解答回答了有關(guān)SystemReady
2023-08-08 06:21:04
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors），近日推出業(yè)界領(lǐng)先的QUBIC4 BiCMOS硅技術(shù)，鞏固了其在射頻領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，實現(xiàn)在高頻率上提供更優(yōu)的性能和更高集成度的同時，為客戶帶來成本
2019-07-12 08:03:23
Verilog設(shè)計內(nèi)外延時
2012-08-15 16:31:14
各位大俠，小女子在做半導(dǎo)體退火的工藝，不知道哪位做過有n型單晶硅退火？具體參數(shù)是什么？任何經(jīng)驗都可以提，請照顧一下新手，謝謝！:handshake
2011-03-01 09:37:32
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
我想了解關(guān)于LED關(guān)于外延片生長的結(jié)構(gòu)，謝謝
2013-12-11 12:50:27
與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講，等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體
2018-09-03 09:31:49
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術(shù)給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導(dǎo)體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡(luò)向長期
2019-08-20 08:01:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
單晶硅太陽能電池詳細工藝
2012-08-06 11:49:37
可控硅電源采用的串聯(lián)諧振，即電壓型諧振頻率跟蹤。因此效率較高、功率因數(shù)較高。所以有明顯的節(jié)電效果，加熱每噸棒料用電341度?！】煽?b class="flag-6" style="color: red">硅電源前級不可控全橋整流，不會在整流段引起波形的變形，沒有關(guān)斷角
2014-02-27 11:53:46
可控硅中頻電源裝置簡稱可控硅中頻裝置,是利用可控硅的開關(guān)特性把50Hz的工頻電流變換成中頻電流的一種電源裝置,主要是在感應(yīng)熔煉,感應(yīng)加熱,感應(yīng)淬火等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。它的優(yōu)點是:1) 效率高可控硅電源
2013-12-27 09:11:10
` 有誰用過SEMILAB的SRP-2000外延片厚度測試儀，關(guān)于測試儀的機構(gòu)和控制部分，尤其是精度部分希望交流，資料可發(fā)g-optics@163.com，多謝！`
2018-11-20 20:25:37
最近在做一個用晶閘管或者可控硅做電源開關(guān)的項目，請問在這個電路里可控硅怎么實現(xiàn)開通和關(guān)斷？非常感謝！
2017-07-11 22:41:13
1995年希臘科學(xué)家A.G.Nassiopuoulos等人用高分辨率的紫外線照相技術(shù),各向異性的反應(yīng)離子刻蝕和高溫氧化的后處理工藝,首次在硅平面上刻劃了尺寸小于20nm的硅柱和 硅線的表面結(jié)構(gòu),觀察到了類似于多孔硅的光激發(fā)光現(xiàn)象。
2019-09-26 09:10:15
表面硅MEMS加工技術(shù)是在集成電路平面工藝基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種MEMS工藝技術(shù)，它利用硅平面上不同材料的順序淀積和選擇腐蝕來形成各種微結(jié)構(gòu)。什么是表面硅MEMS加工技術(shù)？表面硅MEMS加工技術(shù)先在
2018-11-05 15:42:42
組件可以通過創(chuàng)建和獲取電源管理鎖來控制功耗編譯時可使用CONFIG_PM_ENABLE選項啟用電源管理功能電源管理配置（摘自官網(wǎng)）啟用電源管理功能將會增加中斷延遲。額外延遲與多個因素有關(guān)，例如CPU頻率
2021-12-27 06:11:35
表面組裝技術(shù)是以工藝為中心的制造技術(shù)。產(chǎn)品種類、功能、性能和品質(zhì)要求決定工藝，工藝決定設(shè)備。不同產(chǎn)品設(shè)計要求采用相應(yīng)的工藝，而不同工藝要求相應(yīng)的設(shè)備?！ 。?）貼裝工藝與設(shè)備，如同計算機軟件
2018-09-06 10:44:00
NPN 硅外延三極管型號
2009-11-12 14:28:41
21 VDMOS功率器件用硅外延片:1973 年美國IR 公司推出VDMOS 結(jié)構(gòu)，將器件耐壓、導(dǎo)通電阻和電流處理能力提高到一個新水平。功率VDMOS 管是在外延片上制作的，由于一個管芯包括幾千個元胞
2009-12-21 10:52:2442 多晶硅生產(chǎn)工藝流程圖
2009-03-30 20:22:1512187 
IR收購ATMI硅外延服務(wù)部
電源管理技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)宣布收購ATMIInc.(納斯達克：ATMI)的特殊硅外延服務(wù)部。目
2009-07-06 08:45:271208 ASM啟用功新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM今天推出了其PowerFill(TM)的外延硅(Epi Si)溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PowerFill是一個精
2010-01-23 09:32:321062 采用PowerFill外延硅工藝的電源器件
ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精
2010-01-25 09:17:05708 ASM啟用新的PowerFill外延技術(shù)的電源設(shè)備
ASM International近日推出了其PowerFillTM的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。owerFill是
2010-01-27 08:39:292222 晶體硅太陽能電池制造工藝詳解
晶體硅太陽能電池的制造工藝流程說明如下：
（1） 切
2010-04-20 08:43:005125 利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長的GaN藍光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:3429 蘇州敏芯微電子成功研發(fā)面向 MEMS 微硅傳感器制程的 SENSA 工藝。敏芯目前已經(jīng)將此工藝應(yīng)用于公司生產(chǎn)的微硅壓力傳感芯片 MSP 系列產(chǎn)品中
2011-04-28 09:05:351922 半導(dǎo)體硅工藝學(xué)是一部半導(dǎo)體材料技術(shù)叢書，重點闡述了半導(dǎo)體硅晶體us恒章、外延、雜質(zhì)擴散和離子注入等工藝技術(shù)
2011-12-15 15:17:38119 本文以有機硅為中心，主要介紹了有機硅的特性、有機硅分類、有機硅單體生產(chǎn)工藝詳情及有機硅的用途進行了簡單的介紹。
2017-12-20 18:00:5654994 氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。兩家公司最近合作的宗旨是，在為全球范圍內(nèi)多家杰出的消費類電子產(chǎn)品公司生產(chǎn)外延片的同時，展示ALLOS 200 mm硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)在Veeco Propel? MOCVD反應(yīng)器上的可復(fù)制性。
2018-11-10 10:18:181790 LED的波長、亮度、正向電壓等主要光電參數(shù)基本上取決于外延片材料，因此，外延片材料作為LED工作原理中的核心部分，了解LED外延片技術(shù)的發(fā)展及工藝非常重要。
2018-11-01 16:41:125593 Veeco Instruments Inc. (Nasdaq: VECO) 與 ALLOS Semiconductors GmbH 10日宣布取得又一階段的合作成果，雙方共同努力，致力于為Micro LED生產(chǎn)應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品技術(shù)。
2018-11-15 14:53:494130 耐威科技表示，本次“8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”的研制成功，使得聚能晶源成為截至目前公司已知全球范圍內(nèi)領(lǐng)先的可提供具備長時可靠性的 8 英寸 GaN 外延晶圓的生產(chǎn)企業(yè)，且在
2018-12-20 15:21:176873 采用硅(SOI)工藝的高功率開關(guān)簡介這些部件非常適用于大規(guī)模MIMO和類似的多通道系統(tǒng)，它們采用緊湊的SMT封裝，5 V單電源供電，具有低偏置電流，無需使用外部元件。
2019-06-06 06:05:003114 
重慶市大足區(qū)人民政府官網(wǎng)信息顯示，近日，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司（以下簡稱“聚力成半導(dǎo)體”）一期廠房正式啟用，計劃10月開始外延片的量產(chǎn)，生產(chǎn)線達21條，年產(chǎn)能達12萬片。
2019-06-10 16:43:314942 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN-on-Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性。此外，公司還報告了其 300 mm 外延片的成功發(fā)展藍圖。
2020-04-08 16:53:125033 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是2SC3356微波低噪聲放大用NPN外延硅射頻晶體管的數(shù)據(jù)手冊免費下載。
2020-12-16 08:00:007 近日，為了解決晶片尺寸不匹配的問題并應(yīng)對 microLED 生產(chǎn)產(chǎn)量方面的挑戰(zhàn)，ALLOS 應(yīng)用其獨特的應(yīng)變工程技術(shù)，展示了 200 mm 硅基氮化鎵 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重復(fù)性
2020-12-24 10:20:302566 最近做芯片和外延的研究，發(fā)現(xiàn)同樣的外延工藝和芯片工藝做出來的芯片性能差別很大，大到改變試驗設(shè)計的“世界觀”?；逡r底的質(zhì)量好壞很關(guān)鍵。
2021-08-12 10:55:585381 
制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺、化學(xué)機械拋光機、***、離子注入機、引線鍵合機、晶圓劃片機、晶圓減薄機。
1、單晶爐
單晶爐
2022-04-02 15:47:496608 本文研究了外延沉積前原位工藝清洗的效果，該過程包括使用溶解的臭氧來去除晶片表面的有機物，此外，該過程是在原位進行的，沒有像傳統(tǒng)上那樣將晶圓從工藝轉(zhuǎn)移到?jīng)_洗罐。結(jié)果表明，與不使用溶解臭氧作為表面處理
2022-04-12 13:25:491227 
我們已經(jīng)使用“種子層概念”在薄膜太陽能電池的玻璃上形成大晶粒多晶硅(多晶硅)膜，該概念基于薄的大晶粒多晶硅模板(種子層)的外延增厚。由于玻璃襯底，所有工藝步驟都被限制在大約600℃的溫度?；诜蔷?b class="flag-6" style="color: red">硅
2022-04-13 15:24:372644 
的。IVWorks（韓國）利用基于深度學(xué)習的人工智能 (AI) 外延技術(shù)制造氮化鎵 (GaN) 外延片，這是直流功率器件和 5G 通信設(shè)備的關(guān)鍵材料，已獲得 670 萬美元的 B 輪投資. 因此，IVWorks 現(xiàn)在已獲得總計 1000 萬美元的資金。三星旗下專業(yè)投資子公司三星風險投資參與了
2022-07-29 18:19:472652 
通過圖形化硅氧化或氮化硅掩蔽薄膜生長，可以在掩蔽膜和硅暴露的位置生長外延層。這個過程稱為選擇性外延生長(SEG)。
2022-09-30 15:00:3810576 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:403153 固相外延，是指固體源在襯底上生長一層單晶層，如離子注入后的熱退火實際上就是一種固相外延過程。離于注入加工時，硅片的硅原子受到高能注入離子的轟擊
2022-11-09 09:33:5215305 該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 10:08:542005 硅光(SiliconPhotonics)技術(shù)是指用成熟的硅基工藝，在硅基底上直接蝕刻或集成電芯片、調(diào)制器、探測器、光柵耦合器、光波導(dǎo)、合分波器、環(huán)形器等器件。
2022-12-13 11:20:261887 氮化鎵外延片生長工藝較為復(fù)雜，多采用兩步生長法，需經(jīng)過高溫烘烤、緩沖層生長、重結(jié)晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配或應(yīng)力而產(chǎn)生翹曲，為目前全球氮化鎵外延片主流制備方法。
2023-02-05 14:50:007537 氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產(chǎn)品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業(yè)規(guī)模不斷擴大。
2023-02-06 17:14:355312 硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經(jīng)過各種氣體反應(yīng)在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產(chǎn)物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極小面積上的一種電子產(chǎn)品。氮化鎵功率器件制造主要
2023-02-11 11:31:4213768 
通常是指的在藍寶石襯底上用外延的方法（MOCVD）生長的GaN。外延片上面一般都已經(jīng)做有u-GaN，n-GaN，量子阱，p-GaN。
2023-02-12 14:31:254278 硅基氮化鎵技術(shù)是一種新型的氮化鎵外延片技術(shù)，它可以提高外延片的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高外延片的性能。
2023-02-14 14:19:012596 碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設(shè)備和工藝技術(shù)水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質(zhì)逐步提高,碳化硅在新能源汽車、光伏產(chǎn)業(yè)、高壓輸配線和智能電站等
2023-02-16 10:50:0912987 氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。
2023-02-20 15:50:3215328 功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括：在硅圓片上加工芯片（主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕），進行芯片封裝，對加工完畢的芯片進行技術(shù)性能指標測試，其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴散工藝等。
2023-02-24 15:34:136137 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:185703 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
? 硅基光電子集成芯片以成熟穩(wěn)定的CMOS工藝為基礎(chǔ)，將傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，極大提升芯片的信息傳輸和處理能力，可廣泛應(yīng)用于超大數(shù)據(jù)中心、5G/6G、物聯(lián)網(wǎng)、超級
2023-06-26 15:46:041712 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-03 11:21:03863 
碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。
2023-08-15 14:43:343034 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:3410639 
探測器引起了人們的廣泛關(guān)注。為了滿足高性能、雙多色紅外焦平面器件制備的要求，需要對碲鎘汞p型摻雜與激活進行專項研究。使用分子束外延方法直接在碲鎘汞工藝中進行摻雜，As很難占據(jù)Te位，一般作為間隙原子或者占據(jù)金屬位，
2023-09-26 09:18:142277 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LED外延芯片工藝流程及晶片分類.doc》資料免費下載
2023-11-03 09:42:540 外延工藝的介紹，單晶和多晶以及外延生長的方法介紹。
2023-11-30 18:18:166531 
碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，高質(zhì)量的碳化硅同質(zhì)外延材料是碳化硅器件研制的基礎(chǔ)，外延材料的性能直接決定了碳化硅器件性能的實現(xiàn)。
2023-12-15 09:45:535133 
分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和釋放到襯底上的多種元素的分子束。
2024-01-15 18:12:1011188 
上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，證券代碼688584）正式在科創(chuàng)板掛牌上市，標志著這家深耕半導(dǎo)體硅外延片領(lǐng)域多年的企業(yè)，迎來了全新的發(fā)展階段。
2024-02-19 09:37:461579 上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創(chuàng)板成功上市，成為半導(dǎo)體行業(yè)的新星。該公司專注于半導(dǎo)體硅外延片的研發(fā)與生產(chǎn)，以其卓越的產(chǎn)品質(zhì)量和創(chuàng)新的工藝技術(shù)在市場上樹立了良好的口碑。
2024-02-26 11:20:081859 襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:413482 
上海合晶硅材料股份有限公司（以下簡稱“上海合晶”，股票代碼：SH:688584）近日在上海證券交易所科創(chuàng)板成功掛牌上市，標志著這家在半導(dǎo)體硅外延片制造領(lǐng)域深耕多年的企業(yè)邁入了全新的發(fā)展階段。
2024-03-11 16:05:081927 聚焦碳化硅襯底片和碳化硅外延設(shè)備兩大業(yè)務(wù)。公司已掌握行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅襯底技術(shù)和工藝，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領(lǐng)先水平。
2024-03-22 09:39:291418 作為半導(dǎo)體單晶材料制成的晶圓片，它既可以直接進入晶圓制造流程，用于生產(chǎn)半導(dǎo)體器件；也可通過外延工藝加工，產(chǎn)出外延片。
2024-04-24 12:26:525872 
麥斯克電子近日宣布，其年產(chǎn)360萬片8英寸硅外延片的項目已成功封頂。據(jù)CEFOC中電四公司透露，該項目的總投資額超過14億元，建設(shè)規(guī)模宏大，占地建筑面積超過5萬平方米。預(yù)計項目建成并投產(chǎn)后，將大幅提升麥斯克電子在硅外延片領(lǐng)域的生產(chǎn)能力，年產(chǎn)量將達到360萬片8英寸硅外延片。
2024-05-06 14:58:312194 前言硅片按照產(chǎn)品工藝進行分類，主要可分為硅拋光片、外延片和SOI硅片。上期我們已經(jīng)介紹SOI硅片，本期關(guān)注硅拋光片和外延片。硅拋光片硅拋光片又稱硅單晶拋光片，單晶硅錠經(jīng)過切割、研磨和拋光處理后得到
2024-06-12 08:09:075138 
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2024-10-10 10:58:260 系統(tǒng)等領(lǐng)域。除硅基激光器外，硅基光探測器、硅基光調(diào)制器等硅基光電子器件技術(shù)已經(jīng)基本成熟，但作為最有希望實現(xiàn)低成本、大尺寸單片集成的硅基外延激光器仍然面臨著諸多挑戰(zhàn)。
2024-10-24 17:26:3732073 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496643 
器件的穩(wěn)定性和可靠性。
二、外延填充方法
1. 實驗準備
在進行外延填充之前，首先需要通過實驗確定外延生長和刻蝕的工藝參數(shù)。這通常包括使用與待填充的碳化硅正式片具有
2024-12-30 15:11:02504 
集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，而外延片作為集成電路制造過程中的關(guān)鍵材料，其性能和質(zhì)量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成、制備工藝及其對芯片性能的影響。
2025-01-24 11:01:382188 
SiC外延設(shè)備的復(fù)雜性主要體現(xiàn)在反應(yīng)室設(shè)計、加熱系統(tǒng)和旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)等關(guān)鍵部件的精確控制上。在SiC外延生長過程中，晶型夾雜和缺陷問題頻發(fā)，嚴重影響外延膜的質(zhì)量。如何在提高外延生長速率和品質(zhì)的同時，有效避免這些問題的產(chǎn)生，可以從以下幾個方面入手。?
2025-02-06 10:10:581349 引言
碳化硅（SiC）外延晶片因其卓越的物理和化學(xué)特性，在功率電子、高頻通信、高溫傳感等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。在SiC外延晶片的制備過程中，硅面貼膜是一道關(guān)鍵步驟，用于保護外延層免受機械損傷和污染。然而
2025-02-07 09:55:37317 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ZSKY -DTA114YE PNP硅外延平面數(shù)字晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-05-13 17:03:060 在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 
半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝（FEOL）階段進行。以下是具體說明：所屬環(huán)節(jié)定位：作為核心步驟之一，外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層
2025-08-11 14:36:351273 
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061537 
一、引言
碳化硅外延片作為功率半導(dǎo)體器件的核心材料，其總厚度偏差（TTV）是衡量產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標，直接影響器件的性能與可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多種因素影響，其中生長工藝參數(shù)起著決定性
2025-09-18 14:44:40645 
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