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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>電源新聞>SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值,2020年破10億美元

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功率半導(dǎo)體需求旺 預(yù)計(jì)2030SiC增長(zhǎng)10倍,GaN翻至60倍

相比)SiC成長(zhǎng)10倍,GaN翻至60倍,Si增長(zhǎng)45.1%。 該機(jī)構(gòu)指出,SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)主要在中國(guó)和歐洲擴(kuò)張,從2017~2018,SiC增長(zhǎng)41.8%至3.7美元。目前,SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)占70%,并且主要在信息和通信設(shè)備領(lǐng)域需求增加。6英寸晶圓的推出使得成本降低,預(yù)計(jì)將進(jìn)一
2019-06-25 11:22:428864

未來(lái)十將是GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng),將以18%速度增長(zhǎng)

在未來(lái)十,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動(dòng)機(jī)的需求驅(qū)動(dòng),新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長(zhǎng)。據(jù)有關(guān)報(bào)告稱,至2022SiCGaN功率半導(dǎo)體
2013-04-26 10:10:041901

功率半導(dǎo)體觀察:SiCGaN飛速發(fā)展的時(shí)代

SiC、GaN等下一代功率器件的企業(yè)有所增加,為數(shù)眾多的展示吸引了各方關(guān)注。SiCGaN也變得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:494103

受惠電動(dòng)汽車增長(zhǎng) 2020GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6美元 

市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement(以下簡(jiǎn)稱Yole)認(rèn)為,市場(chǎng)規(guī)模方面,2020GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6美元。從(2020將支配市場(chǎng)的)電源和PFC(功率因數(shù)校正)領(lǐng)域,到UPS(不間斷電源)和馬達(dá)驅(qū)動(dòng),很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181552

安森美:SiCGaN助力更小電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)發(fā)展

根據(jù)IHS Markit分析,由于混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車,電源和太陽(yáng)能逆變器主要應(yīng)用市場(chǎng)的需求,預(yù)計(jì)2020碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)將達(dá)到近10美元。全球主要功率半導(dǎo)體
2019-02-15 00:09:0010884

半導(dǎo)體材料Si、SiCGaN 優(yōu)勢(shì)及瓶頸分析

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiCGaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013829

基于SiCGaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

SiC)和氮化鎵(GaN)占有約90%至98%的市場(chǎng)份額。供應(yīng)商。WBG半導(dǎo)體雖然還不是成熟的技術(shù),但由于其優(yōu)于硅的性能優(yōu)勢(shì)(包括更高的效率,更高的功率密度,更小的尺寸和更少的冷卻),正在跨行業(yè)進(jìn)軍。 使用基于SiCGaN功率半導(dǎo)體來(lái)獲
2021-04-06 17:50:534300

重磅發(fā)布!TI發(fā)布首款汽車級(jí)GaN FET:功率密度翻倍,效率達(dá)99%!

GaN功率半導(dǎo)體的新興市場(chǎng)預(yù)計(jì)在 2021 突破 10 美元。 氮化鎵是一種寬能隙半導(dǎo)體材料,相較于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體,氮化鎵能夠提供顯著的優(yōu)勢(shì)來(lái)支援功率應(yīng)用,這些優(yōu)勢(shì)包括在更高功率獲取更大的節(jié)能效益,以致寄生功耗大幅度降低;氮化鎵技術(shù)也容許更多精簡(jiǎn)元件的
2020-11-18 09:40:577949

具有SiCGaN的高功率

電力電子將在未來(lái)幾年發(fā)展,尤其是對(duì)于組件,因?yàn)?WBG 半導(dǎo)體技術(shù)正變得越來(lái)越流行。高工作溫度、電壓和開關(guān)頻率需要 GaNSiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiCGaN 組件的過(guò)渡標(biāo)志著功率器件發(fā)展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:411404

功率半導(dǎo)體的革命:SiCGaN的共舞

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優(yōu)于現(xiàn)在使用的Si(硅),作為“節(jié)能王牌”受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。
2013-03-07 14:43:025394

RF功率半導(dǎo)體2018突破15美元,GaN推動(dòng)市場(chǎng)上揚(yáng)

ABI Research公司發(fā)現(xiàn), 2018,RF功率半導(dǎo)體(4 GHz和3W)的支出繼續(xù)增長(zhǎng),超過(guò)15美元大關(guān)。 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施部分也發(fā)生了變化,所有的部分都在上升。長(zhǎng)期以來(lái)被認(rèn)為有希望成為RF
2019-05-20 09:13:481436

GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027達(dá)45美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展,為氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020,GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7美元,預(yù)計(jì)2021至2027的復(fù)合年增長(zhǎng)率將
2021-05-21 14:57:182770

GaN功率器件的兩種技術(shù)路線對(duì)比

這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃?,國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬(wàn)美元,相比2019增長(zhǎng)了2倍,并有望在2026突破10美元大關(guān),達(dá)到11美元,復(fù)合增長(zhǎng)率將接近70%。主要的應(yīng)用市場(chǎng)包括電信和數(shù)據(jù)通信、汽車,以及便攜設(shè)備市場(chǎng)等。
2022-01-26 11:14:317198

同是功率器件,為什么SiC主要是MOSFET,GaN卻是HEMT

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)在我們談?wù)摰谌?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體的時(shí)候,常說(shuō)的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:366224

2006全球25大半導(dǎo)體廠商排名-帶營(yíng)收額說(shuō)明

2006全球25大半導(dǎo)體廠商排名以下為iSuppli此次評(píng)出的2006全球25大半導(dǎo)體廠商排名:  1. 英特爾,營(yíng)收額313.59美元
2008-05-26 14:32:52

2016全球半導(dǎo)體營(yíng)收排行

今年前20大半導(dǎo)體供貨商營(yíng)收排名計(jì)算。采芯網(wǎng)表示,聯(lián)發(fā)科受惠于中國(guó)大陸手機(jī)客戶OPPO、Vivo快速成長(zhǎng),可望推升今年?duì)I收達(dá)86.1美元增29%,不僅為成長(zhǎng)幅度第二大的廠商,更超越英飛凌與ST
2016-11-22 18:11:46

2016上半年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究報(bào)告

與宏力半導(dǎo)體合并后的企業(yè))和華力微電子業(yè)相繼啟動(dòng)新一輪的產(chǎn)能擴(kuò)增計(jì)劃;在增加(元器件)產(chǎn)能的驅(qū)動(dòng)下,2016整個(gè)上半年的IC制造業(yè)產(chǎn)值達(dá)到70.4美元,復(fù)合增長(zhǎng)率為11.3%。在IC設(shè)計(jì)也保持強(qiáng)勁
2016-06-30 17:26:58

2017全球壓力感測(cè)器產(chǎn)值達(dá)73.4美元

劃分》表示,全球壓力感測(cè)器市場(chǎng)的產(chǎn)值在2011為51.1美元,預(yù)計(jì)到2017達(dá)到73.4美元,2012至2017的年均復(fù)合增長(zhǎng)率為6.3%。壓力感測(cè)器在2011的總出貨量為87個(gè),預(yù)計(jì)到
2012-12-12 15:56:00

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2012-12-12 15:57:25

5G會(huì)給半導(dǎo)體帶來(lái)什么投資機(jī)會(huì)

Yole數(shù)據(jù)顯示2017GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模約3.8美元。其中電信、軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)占比分別為40%、38%。預(yù)計(jì)2023將達(dá)到13美元,其中電信、軍事領(lǐng)域的市場(chǎng)占比分別為43%、34
2019-06-11 04:20:38

5G創(chuàng)新,半導(dǎo)體在未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何?

2019中美貿(mào)易戰(zhàn)打響,全球經(jīng)濟(jì)衰退并沒有阻擋科技的發(fā)展趨勢(shì)。從全球半導(dǎo)體巨頭來(lái)看,我國(guó)研究調(diào)整機(jī)構(gòu)將根據(jù)科技、5g、人工智能的發(fā)展趨勢(shì),汽車、AR應(yīng)用和云數(shù)據(jù)中心成為推動(dòng)2020年半導(dǎo)體增長(zhǎng)
2019-12-03 10:10:00

5G和電動(dòng)車的興起讓化合物半導(dǎo)體成為新貴

仍在于Wafer Cost,根據(jù)yole development測(cè)算,單片成本SiC比Si基產(chǎn)品高出7-8倍。研究機(jī)構(gòu)IHS預(yù)測(cè)到2025SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到30美元。在未來(lái)的10
2019-05-06 10:04:10

2020度河北gan部開始了嗎?

2020度河北gan部開始了嗎?,現(xiàn)在已經(jīng)可以做了,有什么問題可以聯(lián)系我
2020-02-21 21:47:02

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)介紹

GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNSiC區(qū)別

半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙,能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實(shí)現(xiàn)更高功率,更高開關(guān)速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導(dǎo)體GaNSiC
2022-08-12 09:42:07

GaN基微波半導(dǎo)體器件材料的特性

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅(Si)和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)、磷化銦(InP)等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00

SiC GaN有什么功能?

基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽(yáng)能光伏逆變器、能源存儲(chǔ)、車輛電氣化(如充電器
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SiC/GaN具有什么優(yōu)勢(shì)?

基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)替代加速,華秋與MDD達(dá)成合作,精選型號(hào)限時(shí)9折!

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半導(dǎo)體庫(kù)存水位上漲 半導(dǎo)體市場(chǎng)回暖趨勢(shì)明顯

預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)回暖趨勢(shì)明朗。4月份全球半導(dǎo)體銷售額環(huán)比改善明顯。據(jù)Wind數(shù)據(jù)顯示,4月份全球半導(dǎo)體銷售額為240.7美元,環(huán)比增幅達(dá)到3.39%,創(chuàng)20105月份以來(lái)的新高;同比下降2.11
2012-06-12 15:23:39

SuperData:預(yù)計(jì)2020全球虛擬現(xiàn)實(shí)VR市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)280美元

的銷量預(yù)測(cè)從最初的260萬(wàn)部降至74.5萬(wàn)部。但是SuperData依然相信,到2020,消費(fèi)版VR軟件的銷售額將從2016的4.07美元增長(zhǎng)至140美元。 SuperData
2016-12-15 14:32:33

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》氮化鎵發(fā)展技術(shù)

/ xzl1019 未來(lái) 5 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電,預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W,大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)(從 45 W 到 100 W)都是 GaN。如有侵權(quán),請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20

【華秋×薩科微】2023年半導(dǎo)體行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概覽WSTS 預(yù)測(cè),2023全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將同比減少4.1%,降至 5,566美元,但這一波下行周期有望在2023下半年出現(xiàn)拐點(diǎn),受益于國(guó)際行情,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)占全球半導(dǎo)體
2023-03-17 11:08:33

中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)份額進(jìn)一步提升,2023將迎全新發(fā)展良機(jī)

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2023-03-17 11:13:35

什么是基于SiCGaN功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。  基于 SiCGaN功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:MOSFET與IGBT模塊

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2022-11-11 11:50:23

全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)格局:前十名供應(yīng)商全是海外企業(yè)?

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2022-11-11 11:46:29

全球半導(dǎo)體產(chǎn)值再創(chuàng)新高,AOI設(shè)備需求熱度有望保持

根據(jù)OFweek行業(yè)研究中心最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)表明,2015全球半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)值3373美元,較20143336美元微幅增長(zhǎng)1.1%,半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)值373美元,與2014基本持平。在全球智能產(chǎn)業(yè)
2016-02-16 11:33:37

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

富信半導(dǎo)體:投資10擴(kuò)產(chǎn)片式電阻,月產(chǎn)250

。位于安徽省馬鞍山的半導(dǎo)體分立器件制造商“安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司”,憑借良好的地域優(yōu)勢(shì)與時(shí)代趨勢(shì),積極研究市場(chǎng)需求,深化市場(chǎng)布局,為快速擴(kuò)大市場(chǎng)份額開啟了“月產(chǎn)250只片式電阻”項(xiàng)目:投資10
2021-12-31 11:56:10

德州儀器第二季度營(yíng)收37美元 同比增長(zhǎng)13%

德州儀器是一家全球性的半導(dǎo)體公司,也是世界一流的實(shí)時(shí)數(shù)字處理解決方案的設(shè)計(jì)商和提供商。自1996轉(zhuǎn)型成專注于為信號(hào)處理市場(chǎng)生產(chǎn)半導(dǎo)體,在全球約有30300名雇員,并在亞洲、歐洲和美洲的超過(guò)25個(gè)
2017-07-28 14:27:01

意法半導(dǎo)體公布2018第三季度財(cái)報(bào)

(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)公布了按照U.S. GAAP(美國(guó)通用會(huì)計(jì)準(zhǔn)則)編制的截至20189月29日的第三季度財(cái)報(bào)。意法半導(dǎo)體第三季度實(shí)現(xiàn)凈營(yíng)收25.2美元,毛利率
2018-10-29 11:42:21

報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55

掙一個(gè),對(duì)半導(dǎo)體企業(yè)來(lái)說(shuō)真不是小目標(biāo)

Insights的報(bào)告顯示,2015營(yíng)收排前二十的半導(dǎo)體廠商包括了Intel、三星、TSMC、SK海力士和高通等企業(yè),排名前二十的廠商中,收入最高的是英特爾503美元,而最低的是飛思卡爾的44美元。當(dāng)然
2016-09-01 11:36:32

未來(lái)5,GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)會(huì)發(fā)生哪些變化?

市場(chǎng)將以93%的復(fù)合成長(zhǎng)率(CAGR)成長(zhǎng),預(yù)計(jì)在2020時(shí)可望達(dá)到3千萬(wàn)美元產(chǎn)值。目前銷售GaN功率組件的主要半導(dǎo)體業(yè)者包括英飛凌/IR、宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EfficientPower
2015-09-15 17:11:46

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析

氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

美元增長(zhǎng)到202225美元1。此外,隨著通信行業(yè)對(duì)器件性能的要求逐漸提高,GaN、GaAs等化合物半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)逐漸顯現(xiàn),傳統(tǒng)硅工藝器件逐漸被取代,預(yù)計(jì)到2025,化合物半導(dǎo)體將占據(jù)射頻器件市場(chǎng)份額的80%以上。
2019-06-13 04:20:24

深愛半導(dǎo)體 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能單相IPM模塊

深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊 IPM(Intelligent Power Module,智能功率模塊) 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03

碳化硅與氮化鎵的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8
2019-05-09 06:21:14

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562
2021-01-12 11:48:45

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562元,同比增長(zhǎng)15.77%。2020H1,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為3539元,同比增長(zhǎng)16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代,都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板在高鐵、太陽(yáng)能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37

第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵/GaN 未來(lái)發(fā)展及技術(shù)應(yīng)用

GaN將在高功率、高頻率射頻市場(chǎng)及5G 基站PA的有力候選技術(shù)。未來(lái)預(yù)估5-10內(nèi)GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導(dǎo)體市場(chǎng)需求。。。以下內(nèi)容均摘自網(wǎng)絡(luò)媒體,如果不妥,請(qǐng)聯(lián)系站內(nèi)信進(jìn)行刪除
2019-04-13 22:28:48

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過(guò)渡。SiCGaN材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22

芯言新語(yǔ) | 從技術(shù)成熟度曲線看新型半導(dǎo)體材料

材料的代表,寬禁帶材料SiCGaN相對(duì)于前兩代半導(dǎo)體材料具有可見光波段的發(fā)光特性、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優(yōu)勢(shì),可以應(yīng)用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展
2017-02-22 14:59:09

適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiCGaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過(guò)兩個(gè)例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計(jì)的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34

重磅突發(fā)!又一家芯片公司被收購(gòu),價(jià)格57

,共同開發(fā)氮化鎵功率器件。之后,兩家企業(yè)還與富達(dá)投資(Fidelity)一道,于2021底向GaN Systems投資1.5美元,推動(dòng)公司的產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)推廣。另外,公司還與車規(guī)半導(dǎo)體重要原廠瑞薩
2023-03-03 16:48:40

功率半導(dǎo)體材料GaNSiC使用新趨勢(shì)

功率半導(dǎo)體”多被用于轉(zhuǎn)換器及逆變器等電力轉(zhuǎn)換器進(jìn)行電力控制。目前,功率半導(dǎo)體材料正迎來(lái)材料更新?lián)Q代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優(yōu)
2012-07-02 11:18:331845

半導(dǎo)體行業(yè)成長(zhǎng)暗淡 產(chǎn)值進(jìn)入衰退期

市調(diào)機(jī)構(gòu)顧能(Gartner)二度下修2012與2013全球半導(dǎo)體產(chǎn)值增率,從今年10月修正的0.6%與6.9%,再修正為負(fù)3%與4.2%,修正后預(yù)估今、明兩全球半導(dǎo)體產(chǎn)值為2,980美元與3,100美元
2012-11-19 09:09:31893

傳感器迅速崛起 預(yù)計(jì)2020年產(chǎn)值將達(dá)105美元

近日,艾邁斯半導(dǎo)體(ams)公司在京舉辦媒體發(fā)布會(huì),該公司CEO Alexander Everke介紹了傳感器市場(chǎng)的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)、極其豐富的傳感器應(yīng)用,以及艾邁斯半導(dǎo)體(ams)公司的相關(guān)情況。 傳感器迅速崛起 預(yù)計(jì)2020年產(chǎn)值將達(dá)105美元 智能傳感器是技術(shù)創(chuàng)新的核心。
2016-12-27 11:23:111133

第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaNSiC如何撬動(dòng)新型功率器件

,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn),與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529

功率半導(dǎo)體需求成長(zhǎng),羅姆加大SiC產(chǎn)能投資

)要讓汽車及工業(yè)設(shè)備占營(yíng)收過(guò)半,并在20263月以前投資600日?qǐng)A(約5.6美元),讓SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高16倍。
2018-08-05 11:37:004652

第三代半導(dǎo)體材料將進(jìn)入高速成長(zhǎng)期 5G/汽車電子正在路上

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 18:48:001951

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院估計(jì),2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8美元,而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬(wàn)美元。
2018-03-29 14:56:1236743

2027超越100美元GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場(chǎng)一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的,但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaNSiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長(zhǎng)。
2018-05-23 15:00:0510612

2017工業(yè)半導(dǎo)體廠商產(chǎn)值前20名分別是哪些公司?

根據(jù)IHS Markit最新研究分析,2017全球工業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)值為491美元,增率11.8%。從公布的2017工業(yè)半導(dǎo)體廠商產(chǎn)值Top 20排名來(lái)看,2017前十大工業(yè)半導(dǎo)體供貨商營(yíng)收皆呈現(xiàn)向上成長(zhǎng)格局。
2018-07-19 15:27:487704

2017工業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)值Top20廠商公布 木林森、歐司朗等登榜

根據(jù)IHS Markit最新研究分析,2017全球工業(yè)半導(dǎo)體產(chǎn)值為491美元增率11.8%。
2018-07-20 16:06:434483

2027功率半導(dǎo)體市場(chǎng)超越100美元

新興市場(chǎng)碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020達(dá)到近10美元,推動(dòng)力來(lái)自混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏(PV)逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:234043

新興市場(chǎng)SiC 、GaN 功率半導(dǎo)體預(yù)計(jì)將在2020達(dá)到近10美元

對(duì)SiC行業(yè)持續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)的預(yù)期很高,主要推動(dòng)力是混合動(dòng)力和電動(dòng)汽車銷售的增長(zhǎng)。
2019-03-15 08:55:054052

第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展

5G將于2020將邁入商用,加上汽車走向智慧化、聯(lián)網(wǎng)化與電動(dòng)化的趨勢(shì),將帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發(fā)展。2018全球SiC基板產(chǎn)值將達(dá)1.8美元,而GaN基板產(chǎn)值
2020-03-15 09:56:575001

20206月,世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額為345美元

據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)報(bào)道:20206月,世界半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額為345美元,同比增長(zhǎng)5.1%(5.5%)、較5月份346美元,環(huán)比下降0.3%。
2020-08-17 16:03:412759

半導(dǎo)體材料:Si、SiCGaN

作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限,而此時(shí)以SiCGaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo),SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0013306

中國(guó)半導(dǎo)體將快速發(fā)展,預(yù)計(jì)2030中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)將達(dá)5385美元

據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)(WSTS)的統(tǒng)計(jì),2018,全球半導(dǎo)體營(yíng)收創(chuàng)下紀(jì)錄,達(dá)到4680美元,2019由于存儲(chǔ)器市場(chǎng)的周期性調(diào)整,下滑至4123美元。由于新冠病毒疫情對(duì)全球經(jīng)濟(jì)和供應(yīng)鏈的影響,WSTS預(yù)測(cè),2020全球半導(dǎo)體營(yíng)收微增至4260美元,2021將回升至4520美元
2020-09-14 17:19:573929

2020氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告

器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到7.45 美元;GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到4.50美元。 基于此,新材料在線特推出【2020氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】,供業(yè)內(nèi)人士參考: 原文標(biāo)題:【重磅報(bào)告】2020氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告 文章出處:【微信公眾號(hào):新材料在線】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)
2020-10-09 10:16:034445

全球SiCGaN功率半導(dǎo)體銷售收入,預(yù)計(jì)到2029將超過(guò)50美元

SiC肖特基二極管已經(jīng)上市十多年了,近年來(lái)出現(xiàn)了SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC MOSFETs)和結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SiC JFETs)。SiC功率模塊也越來(lái)越多,包括混合SiC模塊
2020-11-13 14:11:432446

SiCGaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì),2019 以來(lái)發(fā)生了什么變化?

預(yù)計(jì)在 2021 突破 10 美元。 報(bào)告表示,全球 SiCGaN 功率半導(dǎo)體的銷售收入,預(yù)計(jì)從 2018 的 5.71 美元增至 2020 年底的 8.54 美元。預(yù)計(jì)未來(lái)十,每年
2020-11-16 10:19:322918

國(guó)內(nèi)氮化鎵、碳化硅等產(chǎn)值或達(dá)70

日前,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲在2020國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇上透露,雙循環(huán)模式推動(dòng)國(guó)產(chǎn)化替代,2020中國(guó)SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產(chǎn)值預(yù)計(jì)將約為70元。
2020-11-26 16:23:072095

2020中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值突破3兆元,意義何在?

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)估,雖受到疫情干擾,但仍樂觀預(yù)估2020全球半導(dǎo)體產(chǎn)值約4,260美元(約新臺(tái)幣12.78兆元),增幅3.3%;相較之下,中國(guó)臺(tái)灣因疫情控制得宜產(chǎn)能未受
2020-12-07 15:09:454128

明年全球LED產(chǎn)值可望達(dá)到157美元

根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下光電研究處表示,2020LED產(chǎn)業(yè)受到新冠肺炎疫情沖擊,市場(chǎng)需求明顯下滑,預(yù)估產(chǎn)值僅達(dá)151.27美元,10%,為歷年罕見的衰退幅度。展望2021,隨著
2020-12-23 15:29:02792

2020我國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將超過(guò)150美元

近年來(lái)我國(guó)力爭(zhēng)推進(jìn)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化,半導(dǎo)體設(shè)備的投資活躍,繼二季度繼續(xù)位居世界首位。2020三季度我國(guó)大陸的半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)63%,達(dá)到56.2美元。2020我國(guó)大陸半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將
2020-12-24 09:25:182568

2020LED產(chǎn)值僅達(dá)151.27美元,10%

根據(jù)TrendForce旗下光電研究處的最新報(bào)告,2020LED產(chǎn)業(yè)受到新冠肺炎疫情沖擊,市場(chǎng)需求明顯下滑,預(yù)估產(chǎn)值僅達(dá)151.27美元,10%,是歷年罕見的衰退幅度。展望2021,隨著
2020-12-28 16:33:132674

2020半導(dǎo)體的并購(gòu)總金額達(dá)到1180美元的歷史新高

據(jù)知名分析機(jī)構(gòu)IC Insights報(bào)道,在五項(xiàng)的重大收購(gòu)和十多筆小交易的推動(dòng)下,2020半導(dǎo)體的并購(gòu)總金額達(dá)到1180美元的歷史新高,超過(guò)了2015達(dá)到的創(chuàng)紀(jì)錄的1077美元。分析進(jìn)一步
2021-01-15 14:05:212488

2025全球半導(dǎo)體的研發(fā)支出將增至893美元

1 月 20 日消息,根據(jù)權(quán)威半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司 IC Insights 最新發(fā)布的《The McClean Report》報(bào)告,2020 全球半導(dǎo)體公司的研發(fā)支出預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng) 5%,達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的 684 美元,并預(yù)計(jì)到 2025 將增至 893 美元。
2021-01-21 10:29:162703

2020模擬芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)540美元,增速領(lǐng)先半導(dǎo)體行業(yè)平均增速

模擬芯片無(wú)處不在,幾乎所有常見的電子設(shè)備都需要使用模擬芯片。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù),2020全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模為4331美元,模擬芯片的市場(chǎng)規(guī)模則達(dá)到540美元,占比約為13%,是半導(dǎo)體行業(yè)中的重要組成部分。
2021-02-18 14:15:448683

SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹

,特別適用于5G射頻和高壓功率器件。 據(jù)集邦咨詢(TrendForce)指出,因疫情趨緩所帶動(dòng)5G基站射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源等需求逐步提升,預(yù)期2021GaN通訊及功率器件營(yíng)收分別為6.8和6100萬(wàn)美元,增30.8%及90.6%,SiC器件功率領(lǐng)域營(yíng)收
2021-05-03 16:18:0013729

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

20216月,富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC(碳化硅)、Si(硅)功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 將達(dá)到 40471 日元,而 2020 為 28043
2021-06-23 14:25:032538

中瓷電子擬斥資38元將進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體

氮化鎵企業(yè)納微半導(dǎo)體宣布收購(gòu)GeneSiC Semiconductor(GeneSiC),加速向高功率市場(chǎng)擴(kuò)張。納微半導(dǎo)體稱,合并后的公司將在下一代功率半導(dǎo)體GaNSiC)領(lǐng)域創(chuàng)建一個(gè)全面的、行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)組合,到2026,其總市場(chǎng)機(jī)會(huì)估計(jì)每年超過(guò)200美元
2022-09-06 16:15:151469

機(jī)構(gòu):化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)2027體量將達(dá)到24美元

研究機(jī)構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對(duì)化合物半導(dǎo)體襯底市場(chǎng)的預(yù)測(cè),認(rèn)為在功率和光學(xué)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下,到2027市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到24美元,2021-2027間復(fù)合年增長(zhǎng)率為16%。 該機(jī)
2022-11-21 10:31:392027

使用多個(gè)電流探頭研究SiCGaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個(gè)電流探頭研究SiCGaN功率半導(dǎo)體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測(cè)量結(jié)果、三電流探頭法原理和測(cè)量結(jié)果。
2023-02-19 17:06:181355

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達(dá)半導(dǎo)、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:302069

三安宣布進(jìn)軍美洲市場(chǎng),為市場(chǎng)提供SiCGaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導(dǎo)體與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道,面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場(chǎng)。
2024-01-13 17:17:562208

202311月全球半導(dǎo)體行業(yè)總銷售額480美元

202311月全球半導(dǎo)體行業(yè)總銷售額480美元 根據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)公布的數(shù)據(jù),在202311月全球半導(dǎo)體行業(yè)銷售額總計(jì)480美元,這是自20228月以來(lái)近15個(gè)月的全球半導(dǎo)體
2024-01-16 16:23:291258

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