NLAS4717EP是采用亞微米硅柵CMOS技術(shù)制造的先進(jìn)CMOS模擬開(kāi)關(guān)。該器件是雙獨(dú)立單刀雙擲（SPDT）開(kāi)關(guān)，在3.0 V時(shí)具有4.5歐姆的低R DS（on）。該器件還具有保證Break-Before-Make（BBM） ）切換，確保開(kāi)關(guān)永遠(yuǎn)不會(huì)使驅(qū)動(dòng)器短路。 NLAS4717EP有兩種小尺寸封裝： WQFN：1.4 x 1.8 mm mm 微型泵：2.0 x 1.5 mm
